MOS ক্যাপাসিটর কি?
MOS ক্যাপাসিটর কি?
MOS ক্যাপাসিটরের সংজ্ঞা
MOS হল Metal Oxide Semiconductor-এর সংক্ষিপ্ত রূপ। একটি MOS ক্যাপাসিটর একটি অর্ধপরিবাহী বডি বা সাবস্ট্রেট, একটি ইনসুলেটর এবং একটি মেটাল গেট নিয়ে গঠিত। সাধারণত, গেটটি ভারীভাবে n+ পলিসিলিকন দ্বারা তৈরি করা হয় যা মেটালের মতো কাজ করে। সিলিকন ডাইঅক্সাইড (SiO2) ক্যাপাসিটর প্লেটগুলির মধ্যে দিয়ে দিয়ে ডাইইলেকট্রিক মাধ্যম হিসেবে কাজ করে, যেখানে মেটাল এবং অর্ধপরিবাহী লেয়ার দুটি প্লেট হিসেবে কাজ করে।
MOS ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা তার গেট টার্মিনালে প্রয়োগ করা ভোল্টেজের উপর নির্ভর করে, যেখানে প্রয়োগ করার সময় বডি সাধারণত গ্রাউন্ড করা থাকে।
ফ্ল্যাট ব্যান্ড ভোল্টেজ MOS ক্যাপাসিটরের সাথে সম্পর্কিত একটি গুরুত্বপূর্ণ পরিভাষা। এটি সংজ্ঞায়িত হয় ক্যাপাসিটর প্লেটগুলিতে কোনো চার্জ না থাকার ভোল্টেজ হিসেবে, ফলে অক্সাইডের মধ্যে কোনো স্থির বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র থাকে না। যখন প্রয়োগ করা গেট ভোল্টেজ ফ্ল্যাট ব্যান্ড ভোল্টেজের (Vgb > Vfb) চেয়ে বড়, তখন পজিটিভ চার্জ পলিসিলিকন (মেটাল) গেটে এবং নেগেটিভ চার্জ অর্ধপরিবাহীতে আন্দোলিত হয়। শুধুমাত্র নেগেটিভ চার্জিত ইলেকট্রন উপলব্ধ হয় নেগেটিভ চার্জ হিসেবে এবং তারা পৃষ্ঠতলে সঞ্চিত হয়। এটি পৃষ্ঠতল সঞ্চয় নামে পরিচিত।
যদি প্রয়োগ করা গেট ভোল্টেজ ফ্ল্যাট ব্যান্ড ভোল্টেজের (Vgb < Vfb) চেয়ে কম হয়, তখন পলিসিলিকন গেট এবং অক্সাইডের মধ্যে ইন্টারফেসে নেগেটিভ চার্জ এবং অর্ধপরিবাহীতে পজিটিভ চার্জ আন্দোলিত হয়।
এটি শুধুমাত্র নেগেটিভ চার্জিত ইলেকট্রন পৃষ্ঠতল থেকে সরিয়ে দিয়ে ডোনার থেকে স্থির পজিটিভ চার্জ প্রকাশ করার মাধ্যমে সম্ভব। এটি পৃষ্ঠতল ডিপ্লিশন নামে পরিচিত।
MOS ক্যাপাসিটর এককভাবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় না, তবে এটি MOS ট্রানজিস্টরের একটি অপরিহার্য অংশ, যা সবচেয়ে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত অর্ধপরিবাহী ডিভাইস।
n-টাইপ বডি সহ MOS ক্যাপাসিটরের সাধারণ ক্ষমতা-ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্য নিম্নরূপ,
MOS ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা বনাম গেট ভোল্টেজ (CV) ডায়াগ্রাম। ফ্ল্যাটব্যান্ড ভোল্টেজ (Vfb) সঞ্চয় অঞ্চল থেকে ডিপ্লিশন অঞ্চলকে পৃথক করে। থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (Vth) ডিপ্লিশন অঞ্চল থেকে ইনভার্শন অঞ্চলকে পৃথক করে।
প্রস্তাবিত
