MOS Capacitor คืออะไร

MOS Capacitor คืออะไร?

คำนิยามของ MOS Capacitor

MOS ย่อมาจาก Metal Oxide Semiconductor ซึ่ง MOS Capacitor ประกอบด้วยตัวนำกึ่งตัวนำหรือสารรองพื้นฐาน ฉนวน และประตูโลหะ โดยทั่วไปประตูจะทำจากโพลีซิลิคอนที่ถูกดอปหนักซึ่งทำงานเหมือนโลหะ ไดออกไซด์ซิลิกอน (SiO2) ใช้เป็นวัสดุดีอิเล็กทริกระหว่างแผ่นคาปาซิเตอร์ โดยที่ชั้นโลหะและชั้นกึ่งตัวนำทำหน้าที่เป็นสองแผ่นของคาปาซิเตอร์

ความจุไฟฟ้าของ MOS Capacitor จะเปลี่ยนแปลงตามแรงดันที่นำไปใช้ที่เทอร์มินัลประตู โดยที่ตัวนำกึ่งตัวนำจะถูกต่อลงดินระหว่างการใช้งาน

แรงดันแบนแบน (Flat Band Voltage) เป็นคำศัพท์ที่สำคัญเกี่ยวกับ MOS Capacitor ซึ่งถูกกำหนดว่าเป็นแรงดันที่ไม่มีประจุบนแผ่นคาปาซิเตอร์และไม่มีสนามไฟฟ้าสถิตขวางผ่านออกไซด์ แรงดันประตูบวกที่มากกว่าแรงดันแบนแบน (Vgb > Vfb) จะทำให้เกิดประจุบวกบนประตูโลหะ (โพลีซิลิคอน) และประจุลบในกึ่งตัวนำ การสะสมประจุลบบนพื้นผิวนี้เรียกว่าการสะสมพื้นผิว (Surface Accumulation)

หากแรงดันประตูที่นำไปใช้น้อยกว่าแรงดันแบนแบน (Vgb < Vfb) จะทำให้เกิดประจุลบที่ขอบเขตระหว่างประตูโพลีซิลิคอนและออกไซด์ และประจุบวกในกึ่งตัวนำ

สิ่งนี้เป็นไปได้โดยการผลักประจุลบออกจากพื้นผิวเพื่อแสดงประจุบวกคงที่จากดอนเนอร์ ซึ่งเรียกว่าการลดระดับพื้นผิว (Surface Depletion)

แม้ว่า MOS Capacitor จะไม่ได้ใช้งานอย่างเดียวอย่างแพร่หลาย แต่เป็นส่วนสำคัญของ MOS Transistors ซึ่งเป็นอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ใช้มากที่สุด

คุณสมบัติความจุไฟฟ้า-แรงดันที่ปกติของ MOS Capacitor ที่มีตัวนำประเภท n คือดังต่อไปนี้

แผนภูมิความจุไฟฟ้า-แรงดัน (CV) ของ MOS Capacitor แรงดันแบนแบน (Vfb) แยกพื้นที่การสะสมจากพื้นที่การลดระดับ แรงดัน阚婕，看起来您提供的内容已经完整翻译成泰语。如果您还有其他需要翻译的内容或有其他问题，请告诉我！