Kio estas MOS Kondensatoro?
Difino de MOS Kondensatoro
MOS signifas Metaloksidsemikonduktanton. MOS kondensatoro konsistas el semikondukta korpo aŭ substrato, izolilo, kaj metala pordo. Tipe, la pordo estas farita el forte dopita n+ polisilicio, kiu funkcias kiel metalo. Siliko-dioxid (SiO2) servas kiel dielektra materialo inter la kapacitorkapoj, kie la metalaj kaj semikondukta stratoj agas kiel la du kapoj.
La kapacito de MOS kondensatoro varias kun la tensio aplikita al ĝia pordeja terminalo, kun la korpo tipe konektita al tero dum tiu apliko.
La plakvobandtensio estas grava termino rilata al MOS kondensatoro. Ĝi estas difinita kiel la tensio, je kiu ne estas ŝargo sur la kapacitorkapoj kaj do ne estas statika elektra kampo tra la oksido. Aplikita pozitiva portetensio pli granda ol la plakvobandtensio (Vgb > Vfb) tiam pozitiva ŝargo estas induktita sur la metalo (polisilicio) pordo kaj negativa ŝargo en la semikondukto. La nuraj negative ŝargitaj elektronoj disponeblaj kiel negativaj ŝargoj akumuliĝas ĉe la surfaco. Tio estas konata kiel surfaca akumulo.

Se la aplikita portetensio estas malpli alta ol la plakvobandtensio (Vgb < Vfb) tiam negativa ŝargo estas induktita ĉe la interfaco inter la polisilicio pordo kaj la oksido kaj pozitiva ŝargo en la semikondukto.
Tio estas ebla nur per forpuŝado de la negative ŝargitaj elektronoj for de la surfaco, eksponante la fiksajn pozitivajn ŝargojn de donantoj. Tio estas konata kiel surfaca depresio.
Kvankam MOS kondensatoro ne estas vaste uzata sola, ĝi estas integrala parto de MOS tranzistoroj, kiuj estas la plej vaste uzataj semikonduktaĵoj.

La tipaj kapacito-tensio karakterizoj de MOS kondensatoro kun n-tipa korpo estas donitaj sube,
Diagramo de kapacito kontraŭ portetensio (CV) de MOS kondensatoro. La plakvobandtensio (Vfb) disigas la Akumulregionon de la Depresioregion. La limtensio (Vth) disigas la depresioregion de la inversioregion.