Quid est Condensator MOS?

Quid est Condensator MOS?

Condensator MOS Definitus

MOS significat Metallum Oxidum Semiconductorem. Condensator MOS constat ex corpore semiconductore vel substrato, insulatore et porta metallica. Saepissime, porta conficitur ex n+ polysilicio fortemente dotato, quod ut metallum fungitur. Dioxide silicis (SiO2) servit ut materialis dielectricus inter placas condensatoris, ubi strata metallica et semiconductrix agunt ut duae placae.

Capacitas condensatoris MOS variat secundum tensionem applicatam ad terminalem portae eius, cum corpore saepius ad terram coniuncto in hac applicatione.

Tensio bandae planae est terminus importantis relatus ad condensatorem MOS. Definitur ut tensio, qua nulla est carica in placis condensatoris et ideo nulla est electricitas staticea trans oxide. Si applicetur tensio portae positiva maior quam tensio bandae planae (Vgb > Vfb), tunc carica positiva inducitur in porta (polysilicio) metallica et carica negativa in semiconductore. Solum electrona negativa sunt disponibilia ut caricae negativae et illa accumulantur in superficie. Hoc vocatur accumulatio superficiei.

Si applicata tensio portae sit minor quam tensio bandae planae (Vgb < Vfb), tunc carica negativa inducitur ad interficiem inter portam polysilicio et oxide et carica positiva in semiconductore.

Hoc tantum possibile est per repulsionem electronorum negative caricatorum ab superficie, ostendendo caricas positivas fixas a donatoribus. Hoc vocatur depletio superficiei.

Cum condensator MOS non sit extensim usus solus, tamen est integralis transistrorum MOS, qui sunt dispositiva semiconductoria maxime usitata.

Caracteristicae capacitatis-tensionis typicae condensatoris MOS cum corpore n-type dantur infra,

Diagramma Capacitatis vs. Tensionis Portae (CV) condensatoris MOS. Tensio bandae planae (Vc-v curva condensatoris MOSfb) separat regionem accumulationis ab regione depletionis. Tensio liminis (Vth) separat regionem depletionis ab regione inversionis.