• Product
  • Suppliers
  • Manufacturers
  • Solutions
  • Free tools
  • Knowledges
  • Experts
  • Communities
Search


MOS Capacitor ಎனದರೆ ಏನು?

Encyclopedia
ಕ್ಷೇತ್ರ: циклопедಿಯಾ
0
China


MOS Capacitor ಎனದರೆ?


MOS Capacitor ವಿಂತೆ


MOS ಎಂದರೆ ಮೆಟಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್. ಒಂದು MOS capacitor ಅನ್ನು ಒಂದು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಶರೀರವೋ ಅಥವಾ ಬೇಸ್ ಮುಖಗಳೋ, ಒಂದು ಇನ್ಸುಲೇಟರ್, ಮತ್ತು ಒಂದು ಮೆಟಲ್ ಗೇಟ್ ನಿಂದ ರಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಗೇಟ್ ಪ್ರಚಾಧ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ n+ ಪಾಲಿ-ಸಿಲಿಕಾನ್ ನಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಮೆಟಲ್ ಪ್ರಕಾರ ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡಿಆಕ್ಸೈಡ್ (SiO2) ಕ್ಯಾಪ್ಯಾಸಿಟರ್ ಪ್ಲೇಟ್ಗಳ ನಡುವಿನ ಡೈಯಿಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಪದಾರ್ಥವಾಗಿ ನೆರವಾಗಿದೆ, ಇಲ್ಲಿ ಮೆಟಲ್ ಮತ್ತು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಲೆಯರ್ಗಳು ಎರಡು ಪ್ಲೇಟ್ಗಳಂತೆ ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ.

 

cefcfa35c64cd4a67a0c3a16d7d938dd.jpeg

 

MOS capacitor ನ ಕ್ಯಾಪ್ಯಾಸಿಟನ್ಸ್ ಅದರ ಗೇಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ದ್ವಾರಾ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಶರೀರವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಗ್ರಂಥಿತ ಹೊರಬರುತ್ತದೆ.


ಫ್ಲಾಟ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂಬುದು MOS capacitor ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಮುಖ್ಯ ಪದ. ಇದನ್ನು ಕ್ಯಾಪ್ಯಾಸಿಟರ್ ಪ್ಲೇಟ್ಗಳ ಮೇಲೆ ಯಾವುದೇ ಚಾರ್ಜ್ ಇಲ್ಲದೆ ಮತ್ತು ಅದರಿಂದ ಓಕ್ಸೈಡ್ ಮೇಲೆ ಯಾವುದೇ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರ ಇಲ್ಲದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ. ಫ್ಲಾಟ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪೋಷಣೆ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vgb > Vfb) ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ, ಪೋಷಣೆ ಚಾರ್ಜ್ ಪೊಲಿ-ಸಿಲಿಕಾನ್ ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗೆ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮಾತ್ರ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿದ್ದು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಮೇಲೆ ಸಂಗ್ರಹಿಸುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಪೃष್ಠ ಸಂಗ್ರಹ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.

 


bc5b4907ac2d336633a970a1ed5f8c1e.jpeg

 


ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಫ್ಲಾಟ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದರೆ (Vgb < Vfb) ತದನಂತರ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ ಪೊಲಿ-ಸಿಲಿಕಾನ್ ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಓಕ್ಸೈಡ್ ನ ನಡುವಿನ ಮೇಲೆ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪೋಷಣೆ ಚಾರ್ಜ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗೆ.

 


ಈ ಅನ್ವಯ ಮಾತ್ರ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಪೃष್ಠದಿಂದ ದೂರ ಮಾಡಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪೋಷಣೆ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ಡೋನರ್ಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುವ ಮೂಲಕ ಸಾಧ್ಯ. ಇದನ್ನು ಪೃষ್ಠ ದೂರಿಕರಣ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.

 


MOS capacitor ಅನ್ನು ಒಂದು ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಸಮಯ ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದೆ, ಆದರೆ ಇದು MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಭಾಗವಾಗಿದೆ, ಇದು ಅತ್ಯಂತ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು.

 


d57274ad8005f45726ee9c1be17fce6d.jpeg

 


n- ಪ್ರಕಾರ ಶರೀರವಿರುವ ಒಂದು MOS capacitor ನ ಸಾಮಾನ್ಯ ಕ್ಯಾಪ್ಯಾಸಿಟನ್ಸ್-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಕೆಳಗಿನಂತೆ ನೀಡಲಾಗಿದೆ,

 


MOS capacitor ನ ಕ್ಯಾಪ್ಯಾಸಿಟನ್ಸ್ ವಿರುದ್ಧ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (CV) ಚಿತ್ರ. ಫ್ಲಾಟ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vfb) ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ದೂರಿಕರಣ ಪ್ರದೇಶದಿಂದ ವಿಭಜಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಥ್ರೆಷ್ホールド電文似乎在传输过程中被截断了。请提供完整的内容以便我继续翻译。如果您有更多内容需要翻译,请将其全部粘贴在这里,我会根据您的要求进行翻译。

ದಾನ ಮಾಡಿ ಲೇಖಕನ್ನು ಪ್ರೋತ್ಸಾಹಿಸಿ
ಗ್ರಿಡ್-ನಡೆತ ಇನ್ವರ್ಟರ್ ನಡೆಯಲು ಗ್ರಿಡ್ ಅಗತ್ಯವಾದ್ದು?
ಗ್ರಿಡ್-ನಡೆತ ಇನ್ವರ್ಟರ್ ನಡೆಯಲು ಗ್ರಿಡ್ ಅಗತ್ಯವಾದ್ದು?
ಗ್ರಿಡ್-ಸಂಪರ್ಕದ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳು ಸರಿಯಾದ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಚಲಿಸಲು ಗ್ರಿಡ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಬೇಕು. ಈ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳು ಸೌರ ಫೋಟೋವೋಲ್ಟಾಯಿಕ್ ಪ್ಯಾನಲ್‌ಗಳು ಅಥವಾ ವಾಯು ಟರ್ಬೈನ್‌ಗಳಂತಹ ಪುನರುಜ್ಜೀವನೀಯ ಶಕ್ತಿ ಮೂಲಗಳಿಂದ ಉತ್ಪನ್ನವಾದ ನೇರ ಪ್ರವಾಹ (DC) ಅನ್ನು ಪರಸ್ಪರ ಪ್ರವಾಹ (AC) ಗ್ರಿಡ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಪೂರ್ಣ ಸಮನ್ವಯ ಹೊಂದಿರುವ ಪ್ರಕಾರ ರಂಧ್ರವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಲು ರೂಪಾಂತರಿಸಲು ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕೆಳಗಿನವುಗಳು ಗ್ರಿಡ್-ಸಂಪರ್ಕದ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳ ಚಿವರೆ ಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರಚಲನ ಶರತ್ತುಗಳು:ಗ್ರಿಡ್-ಸಂಪರ್ಕದ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ನ ಮೂಲ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗ್ರಿಡ್-ಸಂಪರ್ಕದ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳ ಮೂಲ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಸೌರ ಪ್ಯಾ
ಪ್ರಶ್ನೆ ಸಂದೇಶವನ್ನು ಪಳಗಿಸು
ದ್ವಿತೀಯಗೊಳಿಸು
IEE Business ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪಡೆಯಿರಿ
IEE-Business ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಿ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಿರಿ ಪರಿಹಾರಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಿರಿ ವಿದ್ವಾನರನ್ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹಾಕಿ ಮತ್ತು ಯಾವಾಗಲೂ ಯಾವುದೇ ಸ್ಥಳದಲ್ಲಿ ರಂಗದ ಸಹಕರಣೆಯಲ್ಲಿ ಭಾಗವಹಿಸಿ—ನಿಮ್ಮ ಶಕ್ತಿ ಪ್ರೊಜೆಕ್ಟ್ಗಳ ಮತ್ತು ವ್ಯವಹಾರದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯನ್ನು ಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಬಾಕ್ಸ ಮಾಡಿ