კომბინირებული ინსტრუმენტული ტრანსფორმატორების (CIT) გადაწყვეტილება: ინჟინერული დიზაინი და ინტეგრაცია

​1. ძირითადი გამოსავალის კონცეფცია: მოდულური პლატფორმა გაზარდული იზოლაციით​

• ​დიზაინი:​​ შექმნა ერთი ერთიფალი, მოდულური პლატფორმა, რომელიც შეიცავს მუხლის და დაბრუნების ფუნქციებს ერთ კონსტრუქციაში.
• ​იზოლაცია:​​ გამოყენება გაზარდული იზოლაციის გარეშე დარჩენილი. ორი ვარიანტი დიზაინირებულია:
• ​SF6 გაზი:​​ დამტვირთული დიელექტრიკული ძალა და სახელმწიფო რკინის დასახმარებლად მაღალი დაბრუნების კლასებისთვის (მაგალითად, 72.5 kV-ზე მეტი). დიზაინი შეიცავს გაზის სიმჭიდროვის მონიტორინგს და დამტვირთული დასახმარებლის ტექნოლოგიას.
• ​კომპოზიტური სარდაფი (სოლიდური იზოლაცია):​​ ეკოლოგიურად დამგეგმია გამოყენება მაღალი ხარისხის პოლიმერული მასალებით სილიკონის ხაზებით. იდეალური დაბრუნების დაბალი და საშუალო დონის ან როდესაც SF6-ის გამოყენების არასამრავლება მოითხოვს. დარგებული დახრილის და დაბინძურების პერფორმანსისთვის გამოსაყენებელია.
• ​მოდულურობა:​​ შინაარსის და ინტერფეისების დიზაინი საშუალებას აძლევს:
• სკალირება სხვადასხვა დაბრუნების კლასებზე (მაგალითად, იზოლატორის სიგრძის რეგულირებით).
• ადაპტაცია კონკრეტული ბუშინგის ინტერფეისის მოთხოვნებზე.
• მომავალი სენსორული ტექნოლოგიების განახლების შესაძლებლობა.

​2. ინტეგრირებული სენსორული ტექნოლოგიის იმპლემენტაცია​

• ​მუხლის ზომები:​​
• ​სენსორი:​​ მაღალი სიზუსტის, ტემპერატურის კომპენსირებული როგოვსკის კოილები. არჩეული იქნა:
• ​ფართო დინამიკური დიაპაზონი:​​ სახელმწიფო ლინეარობა ნომინალური მუხლის პატარა ფრაქციებიდან მაღალი ხარვეზის მუხლებამდე (მაგალითად, >40 kA).
• ​არასატურნელობა:​​ ფეროს კორის CT-ებზე ფუნდამენტური სარგებელი, რომელიც ხარვეზის დროს სატურნელობის რისკს ახსნის.
• ​სიმცირე:​​ მნიშვნელოვანად არ არის მექანიკური სტრესი საერთო კონსტრუქციაზე.
• ​ინტეგრაცია:​​ კოილები სტრატეგიულად დანარჩენია იზოლატორის გარეშე, პრიმარული კონდუქტორის ცენტრში. სამუშაო მექანიკური დამატება ვიბრაციის წინააღმდეგ მძიმეა.
• ​დაბრუნების ზომები:​​
• ​სენსორი:​​ სტანდარტული არის მაღალი სტაბილურობის კაპაციტური დაბრუნების დივიზორები (CVDs). რეზისტული დივიზორები (RVDs) განვიხილა კონკრეტული DC ან ფართო დიაპაზონის აპლიკაციებისთვის სწრაფი ტრანსიენტური პასუხის მოთხოვნით.
• ​ინტეგრაცია:​​ CVD სენსორული ელექტროდები (დაბალი იმპედანსი) დარგებულია იზოლატორის სტრუქტურაში. სიზუსტის გრეიდინგ ელექტროდები უზრუნველყოფს ერთობლივ ველის დისტრიბუციას და თერმალურ/დაბინძურების სტაბილურობას. კრიტიკული ეკრანი არ დაუშვებს გარე ველის ინტერფერენციას.

​3. დამატებითი ელექტრომაგნიტური ველის მოდელირება და იზოლაცია (კრიტიკული ინჟინერული გამოწვევა)​​

• ​მოდელირება:​​ სავალდებულო, მაღალი სიზუსტის 3D სასარგებლო ელემენტის მეთოდი (FEM) მოდელირება მთელი პლატფორმის შესახებ:
• სიზუსტით ხარაკტერიზებს შინაარსის ელექტრომაგნიტურ ველს ყველა მოქმედების პირობებში (სინუსოიდალური, ტრანსიენტური, დეფორმირებული ტალღები).
• აფასებს პროქსიმალურ ეფექტებს კონდუქტორების, შემოსაზღვრების და სამარჯვენო ფაზების გარეშე.
• ​კროსტალკის მინიმიზება:​​
• ​ფიზიკური განსხვავება:​​ სენსორული ელემენტების (კოილები, CVD ელექტროდები) საუკეთესო გეომეტრიული დალაგება მოდელირების შედეგებზე დაყრდნობით. მაქსიმალური დაშორება შეზღუდვების ფრამევრით.
• ​აქტიური ეკრანი:​​ განთავსებული დამრგვალებული ელექტროსტატიკური ეკრანები სენსორული ელემენტებს შორის ველის სიმულაციის მონაცემებზე დაყრდნობით.
• ​გარდაცვლის რინგები:​​ გამოყენება კონდუქტირების გარდაცვლის რინგები როგოვსკის კოილების გამოყენების შემდეგ დანარჩენი დანაცვლების მისამართებლად.
• ​სიზუსტის ზომების იზოლაცია:​​
• ​დედაქტირებული სიგნალის მარშრუტები:​​ ინდივიდუალური სენსორებიდან შემოსაზღვრული, დახრილი წყვილის კებლების შემდეგ შემოსაზღვრული სიგნალების რუტინგი შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ შემოსაზღვრული შემდეგ ......