В октябре 2025 года наномедная паста для прессового спекания, самостоятельно разработанная Исследовательским институтом полупроводников Пинчуан в Чунцине, обеспечила победу в тендере на проектирование от ведущего автопроизводителя. Этот материал был успешно применен в силовых полупроводниковых модулях для нескольких моделей интеллектуальных подключенных автомобилей на новых источниках энергии, что позволило достичь серийных поставок. Это знаменует собой крупный прорыв китайских предприятий в преодолении международных технологических барьеров в области ключевых упаковочных материалов для полупроводников третьего поколения, а также первое в мире крупномасштабное внедрение наномедной пасты в автомобильной промышленности.
На протяжении долгого времени сектор высококачественных упаковочных материалов для полупроводников находился в монополии зарубежных предприятий из США, Германии и Японии, при этом уровень внутреннего самообеспечения Китая составлял менее 10%. В силовых полупроводниковых модулях огромное количество тепла, выделяемого при работе чипа, должно эффективно отводиться на охлаждающую печатную плату с помощью специального «клея» — спеченной серебряной пасты. Команда Pingchuang Semiconductor преодолела inherent tendency меди к окислению, внедрив в состав специальные добавки. Это позволяет материалу активно восстанавливать оксидный слой на поверхности меди до чистой меди в процессе термического спекания, преодолевая давнюю отраслевую проблему.
Три ключевых ценностных предложения этой наномедной пасты «производства Бишань» теперь полностью подтверждены рынком:
Значительная оптимизация затрат: затраты на материалы снижены примерно на 70% по сравнению с импортной серебряной пастой, при этом 100% основных сырьевых материалов локализованы.
Скачкообразное повышение производительности: термическое сопротивление снижено более чем на 10% по сравнению с традиционными припойными заготовками, а срок службы силового модуля в электромобилях увеличен более чем на 30%. В масштабе 1 миллиона модулей это означает снижение затрат примерно на 140 миллионов юаней.
Расширение горизонтов применения: области применения выходят за рамки автомобилей на новых источниках энергии и распространяются на солнечные инверторы, системы накопления энергии, летательные аппараты малых высот, серверы ИИ и авионику, при этом долгосрочный объем рынка, по прогнозам, превысит 100 миллиардов юаней.
В апреле 2025 года наномедная паста компании Pingchuang Semiconductor успешно перешла из лаборатории на производственную линию, что позволило реализовать коммерческое массовое производство. Проект расширения второй фазы уже запущен; после полного ввода в эксплуатацию его мощности позволят удовлетворить потребности в упаковке чипов для 100 000 автомобилей на новых источниках энергии в месяц, генерируя расчетную годовую выручку от продаж, превышающую несколько сотен миллионов юаней. Одновременно Pingchuang Semiconductor продвигает НИОКР в области композитных гибридных нано-медно-серебряных паст и новых процессов низкотемпературного спекания без давления. В партнерстве с инновационным кластером индустрии электроприводов компания создает интегрированные силовые упаковочные модули для стимулирования сквозных локальных НИОКР и производства материалов, устройств и модулей в Бишане.
На выставке electronica China 2025 (Мюнхенская шанхайская электронная выставка) Pingchuang Semiconductor дополнительно представила свои полные технические возможности, охватывающие базовые материалы, упаковку чипов и решения для привода:
Первая в отрасли наномедная паста для прессового спекания в массовом производстве
Упаковка TOLL с двусторонним охлаждением
Дискретные устройства TOLT/QDPAK с охлаждением верхней стороны
Силовые модули SiC MOS с низкой паразитной индуктивностью (паразитная индуктивность 15 нГн, поддержка высокочастотных приложений 400 кГц)
Стандартизированные решения для интеллектуального вождения
Вместе они формируют полную, вертикально интегрированную производственную цепочку, охватывающую «Материал – Чип – Устройство – Модуль – Привод – Система».
В 2026 году Pingchuang Semiconductor возглавила и приняла участие в разработке отраслевого группового стандарта «Метод испытания на короткое замыкание для силовых устройств p-GaN HEMT». Компания также совместно с Чунцинским университетом подала заявку на патент под названием «Оборудование для преобразования энергии, устройство SiC MOSFET и метод подготовки устройства» (номер публикации CN122318266A), продолжая стимулировать прогресс в области надежности устройств SiC и стандартизации полупроводников третьего поколения.
💡 Вывод: Путь прорыва одной лишь наномедной пасты отражает фундаментальный сдвиг в упаковочных материалах для полупроводников третьего поколения в Китае — переход от иностранной технологической зависимости к достижению мирового первенства в коммерческом внедрении автомобилей. Благодаря почти десятилетним усилиям, Pingchuang Semiconductor доказала, что китайские компании способны обеспечить не только внутреннее замещение, но и глобальные инновации.
Вход
