Im Oktober 2025 sicherte sich die vom Chongqing Pingchuang Semiconductor Research Institute unabhängig entwickelte druckgesinterte Nano-Kupferpaste einen Design-Win bei einem führenden Automobilhersteller. Das Material wurde erfolgreich in Leistungs-Halbleitermodulen für mehrere Modelle intelligenter, vernetzter New Energy Vehicles (NEV) eingesetzt und erreichte die Serienlieferung. Dies markiert einen großen Durchbruch für chinesische Unternehmen gegen internationale technologische Barrieren bei wichtigen Verpackungsmaterialien für Halbleiter der dritten Generation sowie die weltweit erste großflächige automobile Einführung von Nano-Kupferpaste.
Lange Zeit wurde der Sektor für High-End-Halbleiterverpackungsmaterialien von ausländischen Unternehmen in den USA, Deutschland und Japan monopolisiert, wobei Chinas inländische Selbstversorgungsrate bei weniger als 10 % lag. In Leistungs-Halbleitermodulen muss die während des Chipbetriebs erzeugte Wärmemenge effizient über einen speziellen "Klebstoff" – gesinterte Silberpaste – an die Kühlleiterplatte abgeführt werden. Das Team von Pingchuang Semiconductor überwand die inhärente Oxidationsneigung von Kupfer, indem es spezielle Additive in die Formulierung einbrachte. Dies ermöglicht es dem Material, die Oxidschicht auf der Kupferoberfläche während des thermischen Sinterns aktiv zu reinem Kupfer zu reduzieren, wodurch ein langjähriger Engpass in der Industrie überwunden wurde.
Die drei zentralen Wertversprechen dieser in "Bishan hergestellten" Nano-Kupferpaste wurden nun vom Markt vollständig validiert:
Drastische Kostenoptimierung: Die Materialkosten werden im Vergleich zu importierter Silberpaste um etwa 70 % gesenkt, bei 100 %iger Lokalisierung der Kernrohstoffe.
Sprunghafte Leistungssteigerung: Der thermische Widerstand wird im Vergleich zu herkömmlichen Löt-Prefomlingen um über 10 % reduziert und die Lebensdauer von Leistungsmodulen in Elektrofahrzeugen um mehr als 30 % verlängert. Bei einer Stückzahl von 1 Million Modulen entspricht dies Kosteneinsparungen von etwa 140 Millionen RMB.
Erweiterung der Anwendungshorizonte: Die Anwendungen gehen über NEVs hinaus auf Solar-Wechselrichter, Energiespeichersysteme, Flugzeuge für niedrige Flughöhen, KI-Server und Avionik, wobei die langfristige Marktgröße auf über 100 Milliarden RMB prognostiziert wird.
Im April 2025 gelang der Nano-Kupferpaste von Pingchuang Semiconductor erfolgreich der Übergang vom Labor zur Produktionslinie, wodurch die kommerzielle Massenproduktion realisiert wurde. Das Erweiterungsprojekt der Phase II wurde bereits gestartet; sobald es voll betriebsbereit ist, wird seine Kapazität den Bedarf an Chip-Verpackungen für 100.000 NEVs pro Monat decken und einen geschätzten jährlichen Umsatz von mehreren hundert Millionen RMB generieren. Gleichzeitig treibt Pingchuang Semiconductor die F&E für zusammengesetzte Nano-Kupfer/Silber-Hybridpasten und neue drucklose Niedertemperatur-Sinterprozesse voran. In Partnerschaft mit einem Innovationscluster der Elektroantriebsindustrie baut das Unternehmen integrierte Leistungs-Verpackungsmodule auf, um die lokale F&E und Fertigung von Materialien, Bauteilen und Modulen in Bishan von Anfang bis Ende voranzutreiben.
Auf der electronica China 2025 (Munich Shanghai Electronics Show) präsentierte Pingchuang Semiconductor ferner seine umfassenden technischen Fähigkeiten entlang der gesamten Wertschöpfungskette, die Grundmaterialien, Chip-Verpackung und Antriebslösungen umfassen:
Weltweit erste druckgesinterte Nano-Kupferpaste in Massenproduktion
TOLL-Verpackung mit doppelseitiger Kühlung
Diskrete TOLT/QDPAK-Bauteile mit Oberseitenkühlung
SiC-MOS-Leistungsmodule mit geringer Streuinduktivität (15 nH parasitäre Induktivität, Unterstützung von 400-kHz-Hochfrequenzanwendungen)
Standardisierte intelligente Fahrlösungen
Gemeinsam bilden diese eine vollständige, vertikal integrierte Fähigkeit, die "Material – Chip – Bauteil – Modul – Treiber – System" umfasst.
Im Jahr 2026 leitete und beteiligte sich Pingchuang Semiconductor an der Ausarbeitung des Industriegruppenstandards "Kurzschluss-Testverfahren für p-GaN-HEMT-Leistungsbauteile". Zudem reichte das Unternehmen gemeinsam mit der Universität Chongqing ein Patent mit dem Titel "Leistungswandlungsausrüstung, SiC-MOSFET-Bauteil und Bauteilherstellungsverfahren" (Veröffentlichungsnummer CN122318266A) ein, um die Fortschritte bei der Zuverlässigkeit von SiC-Bauteilen und der Standardisierung von Halbleitern der dritten Generation weiter voranzutreiben.
💡 Fazit: Der Durchbruch einer einzigen Nano-Kupferpaste spiegelt einen grundlegenden Wandel bei Chinas Halbleiterverpackungsmaterialien der dritten Generation wider – den Übergang von der technologischen Abhängigkeit vom Ausland zur weltweiten Premiere beim Einsatz in kommerziellen Fahrzeugen. Durch fast ein Jahrzehnt harter Arbeit hat Pingchuang Semiconductor bewiesen, dass chinesische Unternehmen nicht nur eine inländische Substitution, sondern globale Innovation liefern können.
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