Nell'ottobre 2025, la pasta di nano-rame pressosinterizzata sviluppata in modo indipendente dal Chongqing Pingchuang Semiconductor Research Institute ha ottenuto una vittoria di progettazione da un importante costruttore di automobili. Il materiale è stato applicato con successo ai moduli semiconduttori di potenza in diversi modelli di veicoli a nuova energia (NEV) intelligenti e connessi, raggiungendo la consegna in lotti. Ciò segna una grande svolta per le imprese cinesi contro le barriere tecnologiche internazionali nei materiali chiave per il confezionamento di semiconduttori di terza generazione, nonché la prima applicazione automobilistica su larga scala al mondo della pasta di nano-rame.
Per lungo tempo, il settore dei materiali per il confezionamento di semiconduttori di alta gamma è stato monopolizzato da imprese straniere negli Stati Uniti, in Germania e in Giappone, con il tasso di autosufficienza domestica della Cina attestato a meno del 10%. Nei moduli semiconduttori di potenza, l'enorme quantità di calore generata durante il funzionamento del chip deve essere condotta in modo efficiente alla scheda circuitale di raffreddamento tramite una "colla" specializzata: la pasta d'argento sinterizzata. Il team di Pingchuang Semiconductor ha superato la tendenza intrinseca del rame a ossidarsi introducendo additivi specializzati nella formulazione. Ciò consente al materiale di ridurre attivamente lo strato di ossido sulla superficie del rame a rame puro durante la sinterizzazione termica, superando un collo di bottiglia del settore di lunga data.
Le tre proposte di valore fondamentali di questa pasta di nano-rame "prodotta a Bishan" sono ora state pienamente convalidate dal mercato:
Ottimizzazione drastica dei costi: i costi dei materiali sono ridotti di circa il 70% rispetto alla pasta d'argento importata, con una localizzazione al 100% delle materie prime principali.
Miglioramento delle prestazioni rivoluzionario: la resistenza termica è ridotta di oltre il 10% rispetto alle preforme di saldatura tradizionali e la durata del modulo di potenza nei veicoli elettrici è estesa di oltre il 30%. Su una scala di 1 milione di moduli, ciò si traduce in riduzioni dei costi di circa 140 milioni di RMB.
Espansione degli orizzonti applicativi: le applicazioni si estendono oltre i NEV verso inverter solari, sistemi di accumulo di energia, velivoli a bassa quota, server AI e avionica, con le dimensioni del mercato a lungo termine che si prevede supereranno i 100 miliardi di RMB.
Nell'aprile 2025, la pasta di nano-rame di Pingchuang Semiconductor è passata con successo dal laboratorio alla linea di produzione, realizzando la produzione di massa commerciale. Il progetto di espansione della Fase II è già stato avviato; una volta pienamente operativo, la sua capacità soddisferà le esigenze di confezionamento dei chip di 100.000 NEV al mese, generando un fatturato annuo stimato superiore a diverse centinaia di milioni di RMB. Contemporaneamente, Pingchuang Semiconductor sta portando avanti la R&S per paste ibride composite di nano-rame/argento e nuovi processi di sinterizzazione senza pressione a bassa temperatura. In collaborazione con un cluster di innovazione dell'industria degli azionamenti elettrici, l'azienda sta costruendo moduli di confezionamento di potenza integrati per guidare la R&S e la produzione locale end-to-end su materiali, dispositivi e moduli a Bishan.
A electronica China 2025 (Fiera dell'Elettronica di Monaco Shanghai), Pingchuang Semiconductor ha ulteriormente presentato le sue capacità tecniche a catena completa che spaziano dai materiali fondamentali, al confezionamento dei chip, fino alle soluzioni di azionamento:
Prima pasta di nano-rame pressosinterizzata per produzione di massa del settore
Confezionamento TOLL a raffreddamento bifacciale
Dispositivi discreti TOLT/QDPAK a raffreddamento superiore
Moduli di potenza SiC MOS a bassa induttanza parassita (induttanza parassita di 15 nH, supporto per applicazioni ad alta frequenza di 400 kHz)
Soluzioni di guida intelligente standardizzate
Insieme, questi formano una capacità completa e verticalmente integrata che spazia da "Materiale – Chip – Dispositivo – Modulo – Azionamento – Sistema".
Nel 2026, Pingchuang Semiconductor ha guidato e partecipato alla stesura dello standard di gruppo del settore Metodo di prova in cortocircuito per dispositivi di potenza p-GaN HEMT. Ha inoltre depositato congiuntamente un brevetto con l'Università di Chongqing intitolato "Apparecchiatura di conversione di potenza, dispositivo SiC MOSFET e metodo di preparazione del dispositivo" (Numero di pubblicazione CN122318266A), continuando a guidare i progressi nell'affidabilità dei dispositivi SiC e nella standardizzazione dei semiconduttori di terza generazione.
💡 Conclusione: Il percorso di svolta di una singola pasta di nano-rame riflette un cambiamento fondamentale nei materiali per il confezionamento di semiconduttori di terza generazione in Cina: passando dalla dipendenza tecnologica straniera al raggiungimento di una prima mondiale nella distribuzione di veicoli commerciali. Attraverso quasi un decennio di sforzi, Pingchuang Semiconductor ha dimostrato che le aziende cinesi possono offrire non solo la sostituzione domestica, ma anche l'innovazione globale.
Accesso
