Em outubro de 2025, a pasta de nano-cobre sinterizada por pressão desenvolvida independentemente pelo Instituto de Pesquisa de Semicondutores Pingchuang de Chongqing conquistou um design win de uma montadora líder. O material foi aplicado com sucesso em módulos semicondutores de potência em diversos modelos de veículos de nova energia inteligentes e conectados (VNE), alcançando a entrega em lotes. Isso marca um grande avanço para as empresas chinesas contra as barreiras tecnológicas internacionais em materiais-chave de encapsulamento de semicondutores de terceira geração, bem como a primeira adoção automotiva em larga escala de pasta de nano-cobre no mundo.
Durante muito tempo, o setor de materiais de encapsulamento de semicondutores de alta qualidade foi monopolizado por empresas estrangeiras nos EUA, Alemanha e Japão, com a taxa de autossuficiência doméstica da China em menos de 10%. Nos módulos semicondutores de potência, a enorme quantidade de calor gerada durante a operação do chip deve ser conduzida eficientemente para a placa de circuito de resfriamento por meio de uma "cola" especializada — a pasta de prata sinterizada. A equipe da Pingchuang Semiconductor superou a tendência inerente do cobre à oxidação introduzindo aditivos especializados na formulação. Isso permite que o material reduza ativamente a camada de óxido na superfície do cobre de volta ao cobre puro durante a sinterização térmica, superando um gargalo histórico da indústria.
As três propostas de valor centrais desta pasta de nano-cobre "fabricada em Bishan" foram agora totalmente validadas pelo mercado:
Otimização Dramática de Custos: Os custos de materiais são reduzidos em aproximadamente 70% em comparação com a pasta de prata importada, com 100% de nacionalização das matérias-primas essenciais.
Melhoria de Desempenho Revolucionária: A resistência térmica é reduzida em mais de 10% em comparação com as pré-formas de solda tradicionais, e a vida útil do módulo de potência em veículos elétricos é estendida em mais de 30%. Com base em uma escala de 1 milhão de módulos, isso se traduz em reduções de custos de aproximadamente 140 milhões de RMB.
Expansão dos Horizontes de Aplicação: As aplicações estão se estendendo além dos VNEs para inversores solares, sistemas de armazenamento de energia, aeronaves de baixa altitude, servidores de IA e aviônicos, com o tamanho do mercado a longo prazo projetado para exceder 100 bilhões de RMB.
Em abril de 2025, a pasta de nano-cobre da Pingchuang Semiconductor transitou com sucesso do laboratório para a linha de produção, realizando a produção comercial em massa. O projeto de expansão da Fase II já foi lançado; uma vez totalmente operacional, sua capacidade satisfará as demandas de encapsulamento de chips de 100.000 VNEs por mês, gerando uma receita anual de vendas estimada em várias centenas de milhões de RMB. Simultaneamente, a Pingchuang Semiconductor está avançando com P&D para pastas híbridas compostas de nano-cobre/prata e novos processos de sinterização sem pressão a baixa temperatura. Em parceria com um cluster de inovação da indústria de acionamento elétrico, a empresa está construindo módulos de encapsulamento de potência integrados para impulsionar a P&D e a fabricação local de ponta a ponta em materiais, dispositivos e módulos em Bishan.
Na electronica China 2025 (Feira de Eletrônica de Munique Xangai), a Pingchuang Semiconductor apresentou ainda mais suas capacidades técnicas de cadeia completa, abrangendo materiais fundamentais, encapsulamento de chips e soluções de acionamento:
Primeira pasta de nano-cobre sinterizada por pressão de produção em massa da indústria
Encapsulamento TOLL com resfriamento bilateral
Dispositivos discretos TOLT/QDPAK com resfriamento na parte superior
Módulos de potência SiC MOS de baixa indutância parasita (indutância parasita de 15 nH, suportando aplicações de alta frequência de 400 kHz)
Soluções padronizadas de condução inteligente
Juntos, estes formam uma capacidade completa e verticalmente integrada que abrange "Material – Chip – Dispositivo – Módulo – Acionador – Sistema".
Em 2026, a Pingchuang Semiconductor liderou e participou da elaboração do padrão de grupo da indústria Método de Teste de Curto-Circuito para Dispositivos de Potência p-GaN HEMT. Também registrou conjuntamente uma patente com a Universidade de Chongqing intitulada "Equipamento de Conversão de Potência, Dispositivo SiC MOSFET e Método de Preparação do Dispositivo" (Nº de Publicação CN122318266A), continuando a impulsionar o progresso na confiabilidade de dispositivos SiC e na padronização de semicondutores de terceira geração.
💡 Ponto-chave: A jornada de avanço de uma única pasta de nano-cobre reflete uma mudança fundamental nos materiais de encapsulamento de semicondutores de terceira geração da China — passando da dependência tecnológica estrangeira para alcançar uma primeira vez global na implantação comercial de veículos. Através de quase uma década de esforço, a Pingchuang Semiconductor provou que as empresas chinesas podem entregar não apenas a substituição doméstica, mas a inovação global.
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