En octubre de 2025, la pasta de nano-cobre sinterizada por presión desarrollada de forma independiente por el Instituto de Investigación de Semiconductores Pingchuang de Chongqing logró una victoria de diseño con un fabricante de automóviles líder. El material se aplicó con éxito en módulos semiconductores de potencia en múltiples modelos de vehículos de nueva energía (NEV) inteligentes y conectados, logrando la entrega por lotes. Esto marca un gran avance para las empresas chinas frente a las barreras tecnológicas internacionales en materiales clave de empaquetado de semiconductores de tercera generación, así como la primera adopción automotriz a gran escala de pasta de nano-cobre en el mundo.
Durante mucho tiempo, el sector de materiales de empaquetado de semiconductores de alta gama ha estado monopolizado por empresas extranjeras en EE. UU., Alemania y Japón, con una tasa de autosuficiencia nacional en China de menos del 10%. En los módulos semiconductores de potencia, la gran cantidad de calor generada durante el funcionamiento del chip debe conducirse eficientemente a la placa de circuito de refrigeración a través de un "pegamento" especializado: la pasta de plata sinterizada. El equipo de Pingchuang Semiconductor superó la tendencia inherente del cobre a oxidarse introduciendo aditivos especializados en la formulación. Esto permite que el material reduzca activamente la capa de óxido en la superficie del cobre a cobre puro durante la sinterización térmica, superando un cuello de botella de la industria de larga data.
Las tres propuestas de valor centrales de esta pasta de nano-cobre "fabricada en Bishan" ahora han sido completamente validadas por el mercado:
Optimización drástica de costos: Los costos de materiales se reducen aproximadamente un 70% en comparación con la pasta de plata importada, con una localización del 100% de las materias primas centrales.
Mejora de rendimiento de salto cuántico: La resistencia térmica se reduce en más de un 10% en comparación con las preformas de soldadura tradicionales, y la vida útil del módulo de potencia en vehículos eléctricos se extiende en más de un 30%. Sobre la base de una escala de 1 millón de módulos, esto se traduce en reducciones de costos de aproximadamente 140 millones de RMB.
Expansión de horizontes de aplicación: Las aplicaciones se extienden más allá de los NEV hacia inversores solares, sistemas de almacenamiento de energía, aeronaves de baja altitud, servidores de IA y aviónica, con un tamaño de mercado a largo plazo proyectado que superará los 100.000 millones de RMB.
En abril de 2025, la pasta de nano-cobre de Pingchuang Semiconductor transitó con éxito del laboratorio a la línea de producción, logrando la producción en masa comercial. El proyecto de expansión de la Fase II ya se ha lanzado; una vez que esté plenamente operativo, su capacidad satisfará las demandas de empaquetado de chips de 100.000 NEV por mes, generando unos ingresos anuales por ventas estimados que superarán varios cientos de millones de RMB. Simultáneamente, Pingchuang Semiconductor está avanzando en la I+D de pastas híbridas compuestas de nano-cobre/plata y nuevos procesos de sinterización sin presión a baja temperatura. En asociación con un clúster de innovación de la industria de transmisión eléctrica, la empresa está construyendo módulos de empaquetado de potencia integrados para impulsar la I+D y la fabricación local de extremo a extremo en materiales, dispositivos y módulos en Bishan.
En electronica China 2025 (Feria de Electrónica de Múnich Shanghái), Pingchuang Semiconductor presentó además sus capacidades técnicas de cadena completa que abarcan materiales fundamentales, empaquetado de chips y soluciones de conducción:
Primera pasta de nano-cobre sinterizada por presión de producción en masa de la industria
Empaquetado TOLL de refrigeración de doble cara
Dispositivos discretos TOLT/QDPAK de refrigeración por la parte superior
Módulos de potencia SiC MOS de baja inductancia parásita (inductancia parásita de 15 nH, compatible con aplicaciones de alta frecuencia de 400 kHz)
Soluciones estandarizadas de conducción inteligente
Juntos, estos forman una capacidad completa e integrada verticalmente que abarca "Material – Chip – Dispositivo – Módulo – Controlador – Sistema".
En 2026, Pingchuang Semiconductor lideró y participó en la redacción del estándar de grupo de la industria Método de prueba de cortocircuito para dispositivos de potencia p-GaN HEMT. También presentó conjuntamente una patente con la Universidad de Chongqing titulada "Equipo de conversión de potencia, dispositivo SiC MOSFET y método de preparación del dispositivo" (Número de publicación CN122318266A), continuando con el impulso del progreso en la fiabilidad de los dispositivos SiC y la estandarización de semiconductores de tercera generación.
💡 Conclusión: El viaje de avance de una sola pasta de nano-cobre refleja un cambio fundamental en los materiales de empaquetado de semiconductores de tercera generación de China: pasar de la dependencia tecnológica extranjera a lograr un primer mundial en el despliegue de vehículos comerciales. A través de casi una década de esfuerzo, Pingchuang Semiconductor ha demostrado que las empresas chinas pueden ofrecer no solo la sustitución nacional, sino también la innovación global.
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