Tunnel Diode ne ku çiye?
Tunnel Diode
Tunnel diode (ji bo wekhevîsa Esaki diode) yek jêrîn dibistîn diodî ye ku li ser dawiyek quantum mechanical e tewre "negative resistance" heye. Tunnel diodes ji bo pn junction-ek bi dixwazên zor û derbasîn de hatine, ku piştî 10 nm digire. Dixwazên zor û derbasîn van band gap-ê veke, ku electron states-ê yên conduction band yên N-side bi hole states-ê yên valence band yên P-side hatine.

Transistors bi tevahî fereqanên zor di navbera transit time û wan êweyên din de hene. Pir device'ên bi karîna negative conductance property-ê ya semiconductors ê bikar an ji bo vebijarkên fereqanên zor. Tunnel diode, ji bo wekhevîsa Esaki diode, yek jêrîn device-ê ye ku bi karîna negative conductance-ê ye û li ser L. Esaki û xebatê wê yên tunneling da name kirin.
Dixwazên p û n region-ê bi dixwazên zor û derbasîn de hatine, li ser 1024 – 1025 m-3. Pn junction-ê hemî abrupt e. Ji bo wan bêtir, width-ê ya depletion layer-ê zor û derbas îne. Li ser current voltage characteristics-ê ya tunnel diode, divê werin herêmek negatif slope ê bilind bike kema forward bias apply bikin.
Nav-ê "tunnel diode" li ser quantum mechanical tunneling-ê ye ku li ser fenomenon-ê ya ku di navbera diode de darê. Dixwazên zor û derbasîn hatine, u li ser absolute zero temperature Fermi levels-ê li ser bias-ê ya semiconductors ê hatine.
Characteristics-ê ya Tunnel Diode
Kema reverse bias apply bikin, Fermi level-ê ya p-side bi n-side hatine, ku electrons-ê bi tunneling-ê ji bo valence band-ê ya p-side bi conduction band-ê ya n-side hatine. Kema reverse bias increase bikin, tunnel current-ê hatine.
Kema forward bias apply bikin, Fermi level-ê ya n-side bi p-side hatine, u tunneling-ê ji bo electrons-ê ji bo n-side bi p-side hatine. Amûna tunnel current-ê zor û derbas îne ji normal junction current-ê. Kema forward bias increase bikin, tunnel current-ê increase bikin ji bo herêmekî.

Kema band edge-ê ya n-side bi Fermi level-ê ya p-side hatine, tunnel current-ê maximum e. Kema forward bias increase bikin, tunnel current-ê decrease bikin u herêmekî negative conduction-ê hatine. Kema forward bias increase bikin, normal pn junction current-ê hatine ku exponentially proportional-ê ya applied voltage-ê ye. V-I characteristics-ê ya tunnel diode-ê hatine,
Negative resistance-ê bi karîna oscillation-ê û Ck+ function-ê ya fereqanên zor hatine.
Symbol-ê ya Tunnel Diode

Applications-ê ya Tunnel Diode
Oscillator Circuits
Bi karîna Microwave Circuits-ê
Resistant to Nuclear Radiation