Quid est Diodes Tunnel?

Encyclopedia

Campus: Encyclopaedia

China

Quid est Diodea Tunnellata?

Diodea Tunnellata

Diodea tunnellata (etiam cognita ut diodea Esaki) est genus diodeae semiconductricae quae habet "resistentiam negativam" propter effectum mechanicum quantum qui dicitur tunneling. Diodeae tunnellatae habent iuncturam pn fortemente dotatam quae est circa 10 nm lata. Dotatio fortemens resultat in hiatus fractum, ubi statua electronica conductionis N-lati sunt velut alignata cum statuas hole valentiae P-lati.

Transistores laborant cum frequentiis valde altis propter tempus transitus et alios effectus. Multa instrumenta utuntur proprietate conductivitatis negativae semiconductorum pro applicationibus altae frequentiae. Diodea tunnellata, etiam cognita ut diodea Esaki, est communiter usitatum instrumentum conductivitatis negativae nominatum post L. Esaki pro suo opere de tunneling.

Concentratio dopantium in regionibus p et n est valde alta, circa 1024 – 1025 m-3. Iunctura pn est etiam abrupta. Pro his rationibus, latitudo strati depletionis est valde parva. In characteristicis currentis voltage diodeae tunnellatae, invenimus regionem declivi negativa quando praebias antecedens applicatur.

Nomen "diodea tunnellata" est propterea quod tunneling mechanicum quantum est responsabile pro phaenomeno quod in diodea occurrit. Dotatio est valde alta ita ut ad temperaturam absolutam nullam niveles Fermi iacent intra bias semiconductorum.

Characteristica Diodeae Tunnellatae

Cum praebia retrograda applicatur, levelis Fermi P-lati fit altior quam N-lati, causans electrones ut teneantur a banda valentiae P-lati ad bandam conductionis N-lati. Quam praebia retrograda crescit, etiam currentis tunneling crescit.

Cum praebia antecedens applicatur, levelis Fermi N-lati fit altior quam levelis Fermi P-lati, sic tunneling electronum ab N-lati ad P-lati fit. Quantitas currentis tunneling est multo maior quam currentis junctionis normalis. Cum praebia antecedens crescit, etiam currentis tunneling crescit usque ad certum limitem.

Cum marginis bandae N-lati est idem ut levelis Fermi P-lati, currentis tunneling est maximum. Cum incremento praebiae antecedentis, currentis tunneling decrescit et obtinemus regionem conductionis negativae desideratam. Cum praebia antecedens amplius elevatur, obtinemus currentem junctionis pn normalis qui est exponentialiter proportionalis ad voltam applicatam. Characteristica V-I diodeae tunnellatae datur,

Resistentia negativa utitur ad oscillationem atque saepe functio Ck+ est frequentiis valde altis.

Symbolon Diodeae Tunnellatae