ٹنل ڈائیوڈ کیا ہے؟

ٹنل ڈائیوڈ کیا ہے؟

ٹنل ڈائیوڈ

ٹنل ڈائیوڈ (جسے ایساکی ڈائیوڈ بھی کہا جاتا ہے) وہ سیمی کنڈکٹر ڈائیوڈ ہے جس میں کوانٹم مکینکل کے اثر کے نتیجے میں "منفی مقناطیسی ت坑洞二极管是什么？ 隧道二极管 隧道二极管（也称为江崎二极管）是一种半导体二极管，由于量子力学效应——隧穿效应，它具有“负电阻”。隧道二极管有一个大约10纳米宽的重掺杂pn结。重掺杂导致能带间隙断裂，N侧导带电子态与P侧价带空穴态或多或少对齐。 晶体管在高频时会因渡越时间和其它效应而受到影响。许多设备利用半导体的负电导特性用于高频应用。隧道二极管，也称为江崎二极管，是一种常用的负电导器件，以L. 江崎对其隧穿现象的研究命名。 P区和N区的掺杂浓度都非常高，约为10^24 - 10^25 m^-3。pn结也是突变的。因此，耗尽层宽度非常小。在隧道二极管的电流-电压特性中，当施加正向偏压时，我们可以发现一个负斜率区域。 “隧道二极管”这个名字是因为在二极管内发生的量子力学隧穿效应。掺杂浓度非常高，所以在绝对零度下，费米能级位于半导体的禁带内。 ### 隧道二极管的特性 当施加反向偏压时，P侧的费米能级变得高于N侧，导致电子从P侧的价带隧穿到N侧的导带。随着反向偏压的增加，隧穿电流也会增加。 当施加正向偏压时，N侧的费米能级变得高于P侧，从而使电子从N侧隧穿到P侧。隧穿电流比普通结电流大得多。当正向偏压增加时，隧穿电流会增加到一定程度。 当N侧的能带边缘与P侧的费米能级相同时，隧穿电流最大。随着正向偏压的进一步增加，隧穿电流减少，我们得到所需的负电导区域。当正向偏压进一步增加时，获得正常的pn结电流，该电流与施加的电压成指数关系。隧道二极管的V-I特性如下所示， 负电阻用于实现振荡，通常Ck+函数在非常高频的情况下使用。 ### 隧道二极管符号 ### 隧道二极管的应用 - 振荡器电路 - 微波电路 - 抗核辐射