W systemie zazemienia przez cewkę tłumiącą łukową prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji jest znacznie wpływowana przez wartość rezystancji przejściowej w punkcie zazemienia. Im większa jest rezystancja przejściowa w punkcie zazemienia, tym wolniejsza jest prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji.
W nieszczepionym systemie, rezystancja przejściowa w punkcie zazemienia ma właściwie żaden wpływ na prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji.
Analiza symulacyjna: System zazemienia przez cewkę tłumiącą łukową

W modelu systemu zazemienia przez cewkę tłumiącą łukową analizowany jest wpływ na prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji poprzez zmianę wartości rezystancji zazemienia. Z fali napięcia zerowej sekwencji na rysunku można zauważyć, że przy rezystancjach zazemienia 500 Ω, 1500 Ω i 3000 Ω im większa jest rezystancja, tym wolniejsza jest prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji.
Inicjacja uszkodzenia: Prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji sprawia, że zmiana wielkości nagłej zmiany nie jest wyraźna. W przypadku użycia nagłej zmiany napięcia zerowej sekwencji do inicjacji, należy wziąć pod uwagę kwestię ustawiania parametrów.
Diagnoza uszkodzeń: Gdy kryteria metody stosowanej w diagnozie uszkodzeń wykorzystują dane napięcia zerowej sekwencji, należy uwzględnić wpływ prędkości wzrostu napięcia zerowej sekwencji na diagnozę.
Analiza symulacyjna: Nieszczepiony system

W modelu nieszczepionego systemu, jak można zauważyć na fali napięcia zerowej sekwencji, przy rezystancjach zazemienia 500 Ω, 1500 Ω i 3000 Ω prędkość wzrostu napięcia zerowej sekwencji nie zmienia się istotnie wraz ze wzrostem rezystancji.
Podczas wystąpienia jednofazowego uszkodzenia ziemnego, niektóre charakterystyczne wielkości uszkodzeniowe różnią się znacząco między systemem zazemienia przez cewkę tłumiącą łukową a nieszczepionym systemem. Dlatego podczas diagnozy uszkodzeń konieczne jest odróżnienie i osobne rozważenie tych systemów oraz analiza i rozwiązywanie problemów w specyficzny sposób, w zależności od rzeczywistej sytuacji.