د مغناطیسی رزیستانس څه دی؟
تعریف: د نورو میټال او سمیکانډوکټر مواد د مغناطیسې پړاو کې د مخالفت تغیر دا په نوم د مغناطیسي مخالفت اثر توګه پیژندل کیږي. د دې اثر نښل کولو لپاره د مغناطیسي مخالفتونه په نوم وړاندې کیږي. ساده خوا هم، د مغناطیسي مخالفت د دې قسم د مخالفتونو د مقدار د مغناطیسي پړاو او جهت له لارې تغیر کوي.
د مغناطیسي مخالفتونه د مغناطیسي پړاو وجود او قوت او جهت څرګندونه کې مهم رول لوبوي. دا معمولاً د انډیم آنتیمونایډ یا انډیم آرسنایډ جیسو موادو څخه جوړ شوي دي چې د مغناطیسي پړاو له لارې بسیار حساس دي.
د مغناطیسي مخالفت عملکرد
د مغناطیسي مخالفت عملکرد د الکتروډینامیک اصول پر مبنا دی. دا اصول دی چې د مغناطیسي پړاو کې د ځایداری د یو کنډکټرو ته د ځایداری د فشار له لارې د یو کنډکټرو د ځایداری تبدیل کوي. په یو مغناطیسي پړاو نشته کې د مغناطیسي مخالفت د چارګانونو د یو مستقیم مسیر ته حرکت کوي.
ولې په مغناطیسي پړاو کې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری تبدیل کوي او دمخه د ځایداری ته حرکت کوي. د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری د یو مسیر ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي.
د چارګانونو د مغناطیسي مخالفت د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي.
د مغناطیسي مخالفت خصوصیات
د مغناطیسي مخالفت حساسیت د مغناطیسي پړاو قوت له لارې توده کوي. د مغناطیسي مخالفت د خصوصیات منحنی د لاندې شکل کې دیکه شوی دی.
په مغناطیسي پړاو نشته کې د مغناطیسي مخالفت د مغناطیسي پړاو د صفر دی. د مغناطیسي پړاو یې د کمې د افزایش له لارې د مغناطیسي مخالفت د مغناطیسي پړاو د نقطه b ته د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو د مغناطیسي پړاو......
د مغناطیسي مخالفتونو قسمونه
د مغناطیسي مخالفتونه د سه اصلي قسمونه توګه تقسیم کیږي:
ډیر بزرګ مغناطیسي مخالفت (GMR)
په ډیر بزرګ مغناطیسي مخالفت کې، د مغناطیسي مخالفت د مغناطیسي پړاو د فرمانده لایه یوه جوړښت ته د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. ولې په ځایداری کې د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي چې د ځایداری د یو کنډکټرو د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. د GMR دستگاه د جوړښت منظر د لاندې شکل کې دیکه شوی دی.
استثنایي مغناطیسي مخالفت (EMR)
په استثنایي مغناطیسي مخالفت کې، د میټال د مغناطیسي مخالفت د خاص رفتار نښل کیږي. په مغناطیسي پړاو نشته کې د مغناطیسي مخالفت د مقدار د بلندې دی. ولې په مغناطیسي پړاو کې د مغناطیسي مخالفت د مقدار د کمې دی چې د مغناطیسي پړاو له لارې د الکتریکي خصوصیاتو د تغیر ته ورته کوي.
ټنل مغناطیسي مخالفت (TMR)
په ټنل مغناطیسي مخالفت کې، د ځایداری د یو خاصه طریقه ته د ځایداری ته د ځایداری تبدیل کوي. د ځایداری د یو فرمانده الکتروډو څخه، د یو عایق لایه څخه ګذر کوي. د ځایداری د یو عایق لایه څخه ګذرولو مقدار د فرمانده لایه څخه د مغناطیسي پړاو د نسبتي جهت له لارې غیرمعموله توده کوي. د ځایداری د یو فرمانده لایه څخه د مغناطیسي پړاو د نسبتي جهت له لارې غیرمعموله توده کوي چې دا خصوصیت د مختلف کارولو لپاره د دقیق کنټرول او تشخیص له لارې مهم دی.
د یو نسبتاً لوی ځایداری د یو فرمانده لایه څخه ګذرولو کې د فرمانده لایه څخه د مغناطیسي پړاو د موازی جهت له لارې ګذر کوي. ولې په مخالف جهت کې د فرمانده لایه څخه د مغناطیسي پړاو د مخالف جهت له لارې د لایه څخه د مغناطیسي مخالفت د مقدار د زیات شوی دی.
