Pagtumong: Kini nga epekto nga giisip isip magnetoresistance effect mahitabo kung ang resistensya sa pipila ka materyales nga metalyo ug semiconductor mag-usab basehan sa presensya sa magnetic field. Ang mga komponente nga nagpakita niining epekto gitawag usab isip magnetoresistors. Isip wala gyud, ang magnetoresistor usa ka tipo sa resistor diin ang nivel sa resistensya mag-usab depende sa kalakihan ug direksyon sa eksternal na magnetic field.
Ang magnetoresistors importante kaayo sa pag-detect sa presensya sa magnetic field, pagsukol sa iyang kalakihan, ug pagtukod sa direksyon sa magnetic force. Kasagaran sila gihimo gikan sa semiconductor materials sama sa indium antimonide o indium arsenide, nga may unikong electrical properties nga mogawas kanila og dako nga sensitibidad sa magnetic fields.
Pamalihog sa Magnetoresistor
Ang operasyon sa magnetoresistor gibuhat basehan sa prinsipyong electrodynamics. Sumala niining prinsipyo, ang puwersa nga nag-agi sa current-carrying conductor sa magnetic field makapagbag-o sa direksyon sa current. Sa wala'y magnetic field, ang charge carriers sa magnetoresistor nag-agad sa straight path.
Pero sa presensya sa magnetic field, ang direksyon sa current magbag-o ug agi sa ubang direksyon. Ang circuitous path sa current mobo-bohon sa mobility sa charge carriers, nga mosunod sa collisions. Kini nga collisions resulta sa loss of energy sa form of heat, ug kini nga heat mogawas kanila og dako nga increase sa resistensya sa magnetoresistor. Gamay ra gyud ang magnitude sa current nga mag-agad sa magnetoresistor tungod sa limitado nga numero sa free electrons.
Ang deflection sa electrons sa magnetoresistor depende sa ilang mobility. Ang mobility sa charge carriers sa semiconductor materials mas taas kay sa metals. Tumong, ang mobility sa indium arsenide o indium antimonide mao ang sumala sa 2.4 m²/Vs.
Karunungan sa Magnetoresistor
Ang sensitivity sa magnetoresistor depende sa kalakihan sa magnetic field. Ang characteristic curve sa magnetoresistor ipailustrar sa figure sa ubos.
Sa wala'y magnetic field, ang magnetization sa magnetoresistor element zero. Kon ang magnetic field mohatag ug gamay nga increase, ang resistensya sa material molapit sa value nga naka-correspond sa point b. Ang presensya sa magnetic field mogawas kanila og dako nga rotate sa angle nga 45º.
Kon adunay dugang pa nga increase sa kalakihan sa magnetic field, ang curve mohitabo sa saturation point, gipahayag sa point C. Ang magnetoresistive element kasagaran nag-operate o sa initial state (point O) o near point b. Kon operating sa point b, aduna kini linear characteristic.
Mga Tipo sa Magnetoresistors
Ang magnetoresistors mahimong icategoryha ngadto sa tulo ka main types:
Giant Magnetoresistance (GMR)
Sa Giant Magnetoresistance effect, ang resistensya sa magnetoresistor mapugos nga moubos kon ang iyang ferromagnetic layers aligned parallel sa usa ka't usa. Konversely, kon ang layers sa antiparallel alignment, ang resistensya madaghan dako. Ang structural configuration sa GMR device ipailustrar sa figure sa ubos.
Extraordinary Magnetoresistance (EMR)
Sa Extraordinary Magnetoresistance, ang resistensya sa metal nagpakita og distinct behavior. Sa wala'y magnetic field, ang resistensya gamay kaayo. Pero kon applied ang magnetic field, ang resistensya moubos dako, nagpakita og notable change sa electrical properties basehan sa magnetic influence.
Tunnel Magnetoresistor (TMR)
Sa Tunnel Magnetoresistor, ang current conduction naghimo sa unique way. Ang current nag-agad gikan sa usa ka ferromagnetic electrode, pasando sa insulating layer. Ang amount sa current nga tunnelling through this insulating barrier highly dependent sa relative orientation sa magnetization sa ferromagnetic electrodes. Ang different directions sa magnetization makapagresulta sa significant variations sa magnitude sa tunneling current, importante kini para sa iba't ibang aplikasyon nga depende sa precise control ug detection sa magnetic states.
Gamay nga current mag-agad kon ang directions sa magnetization sa electrodes parallel sa usa ka't usa. Konversely, ang antiparallel arrangement sa directions sa magnetization significantly madaghan ang resistensya sa pagitan sa layers.
