695 W - 730 W Ufugumu Kasi ya Pili ya Aina ya N (HJT) za Teknolojia ya Heterojunction

Vipimo

• Nguvu ya moduli mpaka 730 W Ufanisi wa moduli mpaka 23.5 %.

• Mpaka 90% Ufanisi wa pande zote mbili, nguvu zaidi kutoka upande wa nyuma.

• Hakuna B-O LID, ufanisi mzuri wa kuzuia LeTID & PID. Mwigo wa nguvu dogo, uzalishaji wa nishati mkubwa.

• Kiwango cha joto cha kwanza (Pmax): -0.24%/°C, huchongezeka uzalishaji wa nishati katika mazingira yenye joto.

• Ufanisi mzuri wa kudhibiti matumizi ya chini.

Kimataifa

• Imetathmini mpaka pumziko la kiwango cha 35 mm kulingana na kimataifa IEC 61215.

• Huondokana athari za micro-crack.

• Ongezeko la theluji kubwa mpaka 5400 Pa, ongezeko la uwiano wa upepo mpaka 2400 Pa*.

Ramani ya uhandisi (mm)

CS7-66HB-710/ I-V gurves

Taarifa za umeme/STC*

Taarifa za umeme/NMOT*

Taarifa za umeme

Sifa za mekani

Sifa za joto

Nini ni moduli wa seli ya heterojunction N-type?

Teknolojia ya Batilie N-type Heterojunction：

Batilie N-type Heterojunction (kutambua kama N-HJ au HJT) ni teknolojia maalum ya batilie. Inaunda mfano wa heterojunction kwa kuweka saini ya amorphous silicon kwenye wafer ya silicon N-type. Mfano huu unatupa batilie viwango vifuatavyo:

• Ufanisi wa Kupanuliwa wa Juu: Batilie N-type Heterojunction ana ufanisi wa kupanuliwa wa nishati juu. Taarifa za lab za kwamba inaweza kufikia zaidi ya 26%.

• Kiwango cha Joto Chache: Aina hii ya batilie haiendelezi sana kwenye joto na inaweza kudumisha ufanisi wa kupanuliwa wa nishati juu hata katika mazingira yenye joto kubwa.

• Ufunuzi mzuri wa Mchanga Wa Chini: Batilie N-type Heterojunction bado anafanya vizuri sana kwenye mazingira yenye mchanga wa chini na ni vyema kwa matumizi yake kwenye tofauti za mchanga.

• Mwigo wa Nguvu Dogo: Kwa sababu ya muundo wa batilie, Batilie N-type Heterojunction ana mwigo wa nguvu chache, akisaidia kudumisha ufanisi wake wa kazi mrefu na thabiti.

• Muda Mrefu: Batilie N-type Heterojunction ana muda mrefu wa kazi, kurekebisha hatari ya mwigo wa nguvu.