| ბრენდი | Wone |
| მოდელის № | 695 ვატი - 730 ვატი მაღალი ეფექტურობის ორკვეთიანი N-ტიპის ჰეტეროსტრუქტურული (HJT) ტექნოლოგია |
| მაქსიმალური მოცულობის ორკვერი შეფასება | 85% |
| მაქსიმალური სისტემური დართვა | 1500V (IEC) |
| მაქსიმალური გარეშე დაკავშირების რეიტინგი | 35 A |
| კომპონენტის დაბრუნების გრადუსი | CLASS C |
| კომპონენტის მაქსიმალური ძალა | 730W |
| კომპონენტის მაქსიმალური ეფექტივობა | 23.5% |
| სერია | Bifacial N-type HJT Technology |
თვისებები
მოდულის ძალა მაქსიმუმ 730 W, მოდულის ეფექტურობა მაქსიმუმ 23.5 %.
მაქსიმუმ 90% ხელოვნური სიმების ორმხრივობა, უფრო მეტი ძალა უკანა მხარეზე.
B-O LID არ არის, განთავსებულია სახელმწიფო LeTID და PID პერფორმანსი. დაბალი ძალის დეგრადაცია, მაღალი ენერგიის შემოსავალი.
ლიდერი ტემპერატურის კოეფიციენტი (Pmax): -0.24%/°C, ზრდის ენერგიის შემოსავალი ცხელ კლიმატში.
უკეთ მკვდარი ტოლერანტობა.
სტანდარტი
ტესტირებული არის 35 მმ დიამეტრის ყინულის კუთხით IEC 61215 სტანდარტის მიხედვით.
მინიმიზირებულია მიკროკრაკის გავლენა.
ძალიან ძლიერი ბრინჯის ტვირთი მაქსიმუმ 5400 Pa, გაუმჯობესებული ქარის ტვირთი მაქსიმუმ 2400 Pa*.
ინჟინრის რისუნო克（mm）
CS7-66HB-710/ I-V gurves
ელექტროტექნიკური თარიღი/STC*
ელექტროტექნიკური თარიღი/NMOT*
ელექტროტექნიკური თარიღი
მექანიკური ქარაქტერისტიკები
ტემპერატურის ქარაქტერისტიკები
რით არის N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ცელის მოდული?
N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ბატარიის ტექნოლოგია:
N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ბატარია (შემოკლებით N-HJ ან HJT) არის სპეციალური ბატარიის ტექნოლოგია. ის ქმნის ჰეტეროჯუნქციურ სტრუქტურას N-ტიპის სილიკონის ფანჯრის ზედაპირზე ამორიცხული ამორფული სილიკონის ფილმის საშუალებით. ეს სტრუქტურა უზრუნველყოფს ბატარიას შემდეგ სარგებელებით:
მაღალი კონვერტირების ეფექტურობა: N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ბატარია არის შესაძლებელი ფოტოელექტრონული კონვერტირების მაღალი ეფექტურობა. ლაბორატორიული ჩანაწერები აჩვენებს, რომ ის შეიძლება მისწვდეს 26%-ზე მეტს.
დაბალი ტემპერატურის კოეფიციენტი: ეს ტიპის ბატარია ნაკლებად მგზავრებულია ტემპერატურაზე და შეიძლება შეინარჩუნოს მაღალი ძალის გენერაციის ეფექტურობა მაღალ ტემპერატურის გარემოში.
კარგი პასუხი დაბალ სინათსებზე: N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ბატარია კარგად ფუნქციონирует даже при низкой освещенности и подходит для использования в различных условиях освещения.
დაბალი ძალის დეგრადაცია: ბატარიის დიზაინის გამო, N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ბატარია აქვს დაბალი ძალის დეგრადაციის რატა, რაც უზრუნველყოფს მის დიდხანად და სტაბილურ მუშაობას.
დიდი ხანგრძლივობა: N-ტიპის ჰეტეროჯუნქციური ბატარია აქვს დიდი მუშაობის ხანგრძლივობა, რაც შემცირებს ძალის დეგრადაციის რისკს.
