695 W - 730 W అత్యధిక దక్షతా ఉన్న ద్విపక్షమైన N-రకం హెటరోజంక్షన్ (HJT) టెక్నాలజీ

విశేషాలు

• మాడ్యూల్ పవర్ అనుమానం 730 W, మాడ్యూల్ నష్టం వరకు 23.5 %.

• పైన నుండి 90% పవర్ బైఫెసియలిటీ, పైకి ఎక్కువ పవర్.

• బి-ఓ LID లేదు, చాలా మంచి అంతి-LeTID & అంతి-PID ప్రదర్శనం. తక్కువ పవర్ నష్టం, ఎక్కువ ఊర్జా ప్రయోగం.

• అగ్రగామి టెంపరేచర్ కొఫిషెంట్ (Pmax): -0.24%/°C, హోట్ వాతావరణంలో ఊర్జా ప్రయోగాన్ని పెంచుతుంది.

• మధ్యస్థ శేడింగ్ టాలరెన్స్.

ప్రమాణం

• IEC 61215 ప్రమాణం ప్రకారం 35 మిలీమీటర్ వ్యాసం గల ఆయిస్ బాల్ వరకు టెస్ట్ చేయబడింది.

• మైక్రో-క్రాక్ ప్రభావాలను తగ్గించుతుంది.

• భారీ హిమపాతం పరిమాణం వరకు 5400 Pa, ప్రసారిత వాయువ్యాప్తి వరకు 2400 Pa*.

ఇంజనీరింగ్ డ్రావింగ్ (మిమీ)

CS7-66HB-710/ I-V గ్రాఫ్‌లు

ఎలక్ట్రికల్ డేటా/STC*

ఎలక్ట్రికల్ డేటా/NMOT*

ఎలక్ట్రికల్ డేటా

మెకానికల్ లక్షణాలు

టెంపరేచర్ లక్షణాలు

బైఫెసియల్ N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ సెల్ మాడ్యూల్ ఏంటి?

N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ బ్యాటరీ టెక్నాలజీ:

N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ బ్యాటరీ (సంక్షిప్త రూపంలో N-HJ లేదా HJT) ఒక విశేష బ్యాటరీ టెక్నాలజీ. ఇది N-టైప్ సిలికాన్ వాయిప్పర్ పై అమోర్ఫస్ సిలికాన్ ఫిల్మ్ ని డిపాజిట్ చేయడం ద్వారా హెటరోజంక్షన్ స్ట్రక్చర్ ని ఏర్పాటు చేస్తుంది. ఈ స్ట్రక్చర్ బ్యాటరీకి క్రింది లాభాలను ఇస్తుంది:

• ఎక్కువ మార్పిడి నష్టం: N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ బ్యాటరీ ఒక ఎక్కువ ఫోటోఇలెక్ట్రిక మార్పిడి నష్టం కలిగి ఉంటుంది. ప్రయోగశాలలో రికార్డ్లు చూపించినంత ప్రకారం, ఇది 26% పైగా ఉంటుంది.

• తక్కువ టెంపరేచర్ కొఫిషెంట్: ఈ రకమైన బ్యాటరీ టెంపరేచర్‌కు తక్కువ సెన్సిటివిటీ ఉంటుంది మరియు ఎక్కువ టెంపరేచర్ వాతావరణంలో కూడా ఎక్కువ పవర్ జనరేషన్ నష్టాన్ని కొనుగోలు చేయగలదు.

• తక్కువ లైట్ ప్రతిసాధన: N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ బ్యాటరీ తక్కువ లైట్ పరిస్థితులలో కూడా మంచి ప్రతిసాధన చేస్తుంది మరియు వివిధ లైట్ పరిస్థితులలో ఉపయోగించవచ్చు.

• తక్కువ పవర్ అటెన్యుయేషన్: బ్యాటరీ స్ట్రక్చర్ డిజైన్ కారణంగా, N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ బ్యాటరీ తక్కువ పవర్ అటెన్యుయేషన్ నిష్పత్తిని కలిగి ఉంటుంది, దీని దీర్ఘకాలికి స్థిరమైన పనిప్రదర్శనం ఉంటుంది.

• పెద్ద ఆయుహం: N-టైప్ హెటరోజంక్షన్ బ్యాటరీ పెద్ద పనిప్రదర్శన ఆయుహం ఉంటుంది, పవర్ అటెన్యుయేషన్ జోక్ చేయడానికి జోక్ చేయబడుతుంది.