695 ವಾಟ್ - 730 ವಾಟ್ ಉತ್ತಮ ದಕ್ಷತೆಯ ಎರಡು ಮುಖದ N-ವಿಧ IEE-Business ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ (HJT) ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ

ಹೆಚ್ಚಿನ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು

• ಮಧ್ಯದ ಶಕ್ತಿ 730 W ರವರೆಗೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯದ ದಕ್ಷತೆ 23.5 % ರವರೆಗೆ.

• 90% ರವರೆಗೆ ಶಕ್ತಿ ಎರಡೂ ಪಾರ್ಶ್ವದ ಮತ್ತು ಹಿಂದಿನ ಪಾರ್ಶ್ವದಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ.

• ಬಿ-ಓ LID ಇಲ್ಲ, ಉತ್ತಮ ಅಂತರಾಳ LeTID ಮತ್ತು ಅಂತರಾಳ PID ಪ್ರದರ್ಶನ. ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿ ತಪ್ಪು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಊರ್ಜ ಸಂಗ್ರಹ.

• ಅಧಿಕ ತಾಪಮಾನ ಗುಣಾಂಕ (Pmax): -0.24%/°C, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಊರ್ಜ ಸಂಗ್ರಹವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.

• ಉತ್ತಮ ಛಾಯಾ ಟೋಲರೆನ್ಸ್.

ಪ್ರಮಾಣ

• IEC 61215 ಪ್ರಮಾಣದ ಪ್ರಕಾರ 35 mm ವ್ಯಾಸದ ಐಸ್ ಬಾಲ್ ವರೆಗೆ ಪರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ.

• ಮೈಕ್ರೋ-ಕ್ರ್ಯಾಕ್ ಪ್ರಭಾವವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

• ಹಾಗೆ ನಡೆಯುವ ನೆಲದ ಪ್ರಭಾವ 5400 Pa ರವರೆಗೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಯು ಪ್ರಭಾವ 2400 Pa* ರವರೆಗೆ.

ಇಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಚಿತ್ರ (mm)

CS7-66HB-710/ I-V gurves

ಇಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಡೇಟ/STC*

ಇಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಡೇಟ/NMOT*

ಇಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಡೇಟ

ಮೆಕಾನಿಕಲ್ ಲಕ್ಷಣಗಳು

ತಾಪಮಾನ ಲಕ್ಷಣಗಳು

ನಿಮ್ನ ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೆಲ್ ಮಧ್ಯದ ವಿವರಗಳು?

N-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಟರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ:

N-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಟರಿ (N-HJ ಅಥವಾ HJT ಎಂದು ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ರೂಪದಲ್ಲಿ) ಒಂದು ವಿಶೇಷ ಬ್ಯಾಟರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದೆ. ಇದು N-ಟೈಪ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವಾಫರ್ ಮೇಲೆ ಏಕಸಮಾನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಚೀಲೆಯ ಒಂದು ಪದರ ಮೂಲಕ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಘಟನೆಯನ್ನು ರಚಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಘಟನೆಯು ಬ್ಯಾಟರಿಗೆ ಈ ಕೆಳಗಿನ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ:

• ಉತ್ತಮ ರೂಪಾಂತರಣ ದಕ್ಷತೆ: N-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಟರಿಯು ಸಂಭವ್ಯ ಉತ್ತಮ ಫೋಟೋಇಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ ರೂಪಾಂತರಣ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಪ್ರಯೋಗಶಾಲೆಯ ರೇಕಾರ್ಡ್‌ಗಳು ಇದರ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು 26% ರ ಮೇಲೆ ಹೊಂದಿದೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ.

• ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನ ಗುಣಾಂಕ: ಈ ಬ್ಯಾಟರಿ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆ ಸಂವೇದನೆ ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ತಾಪಮಾನದ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಉತ್ಪಾದನೆ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಹೊಂದಿದೆ.

• ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಕಾಶದ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ: N-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಟರಿಯು ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಕಾಶದ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರದರ್ಶನ ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ವಿವಿಧ ಪ್ರಕಾಶದ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸಬಹುದು.

• ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿ ತಪ್ಪು: ಬ್ಯಾಟರಿಯ ಘಟನೆಯ ವಿನ್ಯಾಸದ ಕಾರಣದಿಂದ N-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಟರಿಯು ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿ ತಪ್ಪನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ದೀರ್ಘಕಾಲಿಕ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರ ಕಾರ್ಯ ಪ್ರದರ್ಶನವನ್ನು ಖಚಿತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

• ದೀರ್ಘ ಆಯುಕಾಲ: N-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಟರಿಯು ದೀರ್ಘ ಕಾರ್ಯ ಆಯುಕಾಲ ಹೊಂದಿದೆ, ಶಕ್ತಿ ತಪ್ಪನ್ನ ಸಂಭವನೀಯತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.