695 W - 730 W Korkeaeffektiivinen kaksipuolinen N-tyyppinen heterojunktio(HJT)-teknologia

Ominaisuudet

• Moduulin teho jopa 730 W. Moduulin tehokkuus jopa 23,5 %.

• Jopa 90 % binaalisuutta, enemmän energiaa takapuolta.

• Ei B-O LID, erinomainen anti-LeTID & anti-PID suorituskyky. Matala tehon heikentyminen, korkea energiantuotos.

• Edistynyt lämpötilakerroin (Pmax): -0,24 %/°C, lisää energiantuotosta kuumassa ilmastossa.

• Parempi varjo-toleranssi.

Standardit

• Testattu jopa 35 mm halkaisijan jäätävärylle IEC 61215 -standardin mukaan.

• Vähentää mikrohuurteiden vaikutusta.

• Raskas lumivarustus jopa 5400 Pa, vahvistettu tuulivarustus jopa 2400 Pa*.

Inkvisitukseen kuuluva piirros (mm)

CS7-66HB-710/ I-V kaaviot

Sähköiset tiedot/STC*

Sähköiset tiedot/NMOT*

Sähköiset tiedot

Mekaaniset ominaisuudet

Lämpötilaominaisuudet

Mikä on binaalinen N-tyypin heterojunktioelementtimoduuli?

N-tyypin heterojunktioelementtiteknologia:

N-tyypin heterojunktioelementti (lyhennetty N-HJ tai HJT) on erityinen elementtiteknologia. Se muodostaa heterojunktiorakenteen amorfisen silikonlevyn levittämällä N-tyypin silikonlevylle. Tämä rakenne antaa elementille seuraavat etuisuudet:

• Korkeampi muuntotehokkuus: N-tyypin heterojunktioelementilla on suhteellisen korkea valo-sähkömuunnosjärjestys. Laboratoriotietuetta osoittaa, että se voi saavuttaa yli 26 %.

• Matala lämpötilakerroin: Tämä tyyppi elementti on vähemmän herkkä lämpötilalle ja voi ylläpitää suhteellisen korkeaa sähköntuotantotehokkuutta myös kuumassa ympäristössä.

• Hyvä vastaus alhaiseen valaistuksen tasoon: N-tyypin heterojunktioelementti suoriutuu erinomaisesti myös alhaissa valaistustasoissa ja sopii käyttöön erilaisissa valaistusehdoissa.

• Matala tehon heikentyminen: Elementin rakenteen suunnittelun ansiosta N-tyypin heterojunktioelementillä on matala tehon heikentyminen, mikä taata sen pitkäaikaisen ja vakavan toiminnan.

• Pitkä elinkaari: N-tyypin heterojunktioelementilla on suhteellisen pitkä työelinkaari, mikä vähentää tehon heikennyksen riskiä.