SCB ಮತ್ SGB ಡ್ರೈ-ಟೈಪ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳನ್ ವಿವರಣೆ
1. ಪರಿಚಯ
ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಕಾಂತತೆಯ ತತ್ವದ ಆಧಾರದಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಪ್ರಮುಖ ಘಟಕಗಳು ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಕೋರ್ ಆಗಿವೆ. ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹಕ್ಕೆ ಮಾರ್ಗವಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಕೋರ್ ಕಾಂತೀಯ ಹರಿವಿಗೆ ಮಾರ್ಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸಿದಾಗ, ಪರ್ಯಾಯ ಪ್ರವಾಹವು ಕೋರ್‌ನಲ್ಲಿ ಪರ್ಯಾಯ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ರಚಿಸುತ್ತದೆ (ಅಂದರೆ, ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯು ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿ ಪರಿವರ್ತನೆಯಾಗುತ್ತದೆ). ಕಾಂತೀಯ ಲಿಂಕೇಜ್ (ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಲಿಂಕೇಜ್) ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ, ದ್ವಿತೀಯ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಮೂಲಕ ಹಾದುಹೋಗುವ ಕಾಂತೀಯ ಹರಿವು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ದ್ವಿತೀಯ ವೈಂಡಿಂಗ್‌ನಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ಚಾಲಕ ಪ್ರೇರಣೆ (EMF) ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. ಹೊರಗಿನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ, ಲೋಡ್‌ಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ವಿತರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ಅಂದರೆ, ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರ ಶಕ್ತಿಯು ಮತ್ತೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿ ಪರಿವರ್ತನೆಯಾಗುತ್ತದೆ). "ವಿದ್ಯುತ್–ಕಾಂತತೆ–ವಿದ್ಯುತ್" ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಕಾಂತತೆಯ ತತ್ವದ ಆಧಾರದಲ್ಲಿ ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಈ ಶಕ್ತಿ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತತ್ವವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ.
U1N2 = U2N1
U1: ಪ್ರಾಥಮಿಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್; N1: ಪ್ರಾಥಮಿಕ ವೈಂಡಿಂಗ್ ತಿರುಗುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ; U2: ದ್ವಿತೀಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್; N2: ದ್ವಿತೀಯ ವೈಂಡಿಂಗ್ ತಿರುಗುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ
ಚೀನಾದ ರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಮಾನದಂಡ GB 1094.16 ಪ್ರಕಾರ, ಕೋರ್ ಮತ್ತು ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧಕ ದ್ರವದಲ್ಲಿ ಮುಳುಗಿಸಲ್ಪಡದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಎಂದು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅದರ ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧಕ ಮತ್ತು ತಂಪಾಗಿಸುವ ಮಾಧ್ಯಮವು ಗಾಳಿಯಾಗಿದೆ. ವಿಶಾಲ ಅರ್ಥದಲ್ಲಿ, ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ಗಳನ್ನು ಎರಡು ಪ್ರಮುಖ ವಿಧಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು: ಏನ್‌ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಮತ್ತು ಓಪನ್-ವೌಂಡ್.
"SC(B)" ಬಗೆಯು ಎಪಾಕ್ಸಿ-ರೆಸಿನ್-ಕಾಸ್ಟ್ ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ ("B" ಮಾದರಿ ನಾಮಕರಣದಲ್ಲಿ ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗಳು ತಾಮ್ರದ ಪೀಠೋಪಕರಣದಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿವೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ; "SG(B)" ನಲ್ಲಿರುವ "B" ಕೂಡ ಅದೇ ಅರ್ಥವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ). ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಎಪಾಕ್ಸಿ ರೆಸಿನ್‌ನಿಂದ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಏನ್‌ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಪಾಕ್ಸಿ ರೆಸಿನ್‌ನಿಂದ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಕಾಸ್ಟ್ ಮಾಡಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ—ಕೇವಲ ತುದಿ ತಿರುಗುಗಳನ್ನು ಎಪಾಕ್ಸಿ ರೆಸಿನ್‌ನಿಂದ ಮುಚ್ಚಲಾಗುತ್ತದೆ (ಇದು ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬದಿಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ ಮತ್ತು ಸಂಪೂರ್ಣ ಕಾಸ್ಟಿಂಗ್ ಉಷ್ಣ ಚದುರಿಕೆಯ ಮೇಲೆ ಕೆಟ್ಟ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ). ಪ್ರಸ್ತುತ, SC(B)-ಬಗೆಯ ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳು ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಾಗಿವೆ ಮತ್ತು ಈ ಲೇಖನವು ಅವುಗಳನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ಉದಾಹರಣೆಯಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ SC(B)-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳು ಕ್ಲಾಸ್ F ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧನವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಕೆಲವು ಕ್ಲಾಸ್ H ಗೆ ಮೌಲ್ಯೀಕರಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿವೆ.
"SG(B)" ಬಗೆಯು ಡುಪಾಂಟ್ (USA) ನ NOMEX ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧಕ ಕಾಗದವನ್ನು ತಿರುಗು-ತಿರುಗಿಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧನಕ್ಕಾಗಿ ಬಳಸುವ ಓಪನ್-ವೌಂಡ್ ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಆಗಿದೆ. ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ತಾಮ್ರದ ಪೀಠೋಪಕರಣದಿಂದ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಹೈ- ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗಳು VPI (ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಪ್ರೆಶರ್ ಇಂಪ್ರೆಗ್ನೇಶನ್) ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧನ ಚಿಕಿತ್ಸೆಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ. ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಎಪಾಕ್ಸಿ ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧಕ ವಾರ್ನಿಷ್‌ನ ಪದರದಿಂದ ಲೇಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ SG(B)-ಬಗೆಯ ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳು ಕ್ಲಾಸ್ H ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧನವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಕೆಲವು ಕ್ಲಾಸ್ C ಗೆ ಮೌಲ್ಯೀಕರಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿವೆ.
"SCR(B)" ಎಂದು ಗುರುತಿಸಲಾದ ಮತ್ತೊಂದು ಬಗೆಯ ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಇದೆ, ಇದು ಏನ್‌ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಬಗೆಯಾಗಿದೆ ಆದರೆ ಎಪಾಕ್ಸಿ ರೆಸಿನ್‌ನಿಂದ ಕಾಸ್ಟ್ ಮಾಡದೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಫ್ರೆಂಚ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಆಧಾರದಲ್ಲಿ NOMEX ಕಾಗದ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಜೆಲ್ ಬಳಸಿ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಏನ್‌ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಈ ಉತ್ಪನ್ನಕ್ಕೆ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ ತುಂಬಾ ಕಡಿಮೆ ಬೇಡಿಕೆ ಇದೆ. ಎಲ್ಲಾ SCR(B)-ಬಗೆಯ ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳು ಕ್ಲಾಸ್ H ವಿದ್ಯುತ್ ರೋಧನವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.
2 ಶುಷ್ಕ-ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳ ಪ್ರಯೋಜನಗಳು
ಸುರಕ್ಷಿತ, ಉರಿನಿರೋಧಕ, ಅಗ್ನಿರೋಧಕ, ಸ್ಫೋಟರಹಿತ, ಮಾಲಿನ್ಯರಹಿತ ಮತ್ತು ಲೋಡ್ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ನೇರವಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಬಹುದು;
ನಿರ್
ನೆಕ್ಟ್ ಹಾಗೂ ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಒಳ ಸ್ಥರದಲ್ಲಿ ಹೋಗುವ ಯಾವ ಕಾರಣಗಳಿವೆ?
ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಾರ್ಶ್ವವು ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಚಿಕ್ಕ ಅಯೋಜನ ದೂರವನ್ನು ಗುರುತಿಸುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಕೊಂಡ ಹತ್ತಿರದ ಹತ್ತಿರದ ಮತ್ತು ಕೊಂಡ ನಡುವಿನ ದೂರವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫೋರ್ಮರ್ನ ಮೊತ್ತಮ ಅಳತೆ ಮತ್ತು ಖರ್ಚನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಇದರ ಮೇಲೆ, ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಟ್ಯಾಪ್ ಕನೆಕ್ಷನ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಹೊರಗಿನ ಸ್ಥರದಲ್ಲಿ ಹೋಗಿಸುವುದು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ಎಷ್ಟು ಸುಲಭ ಮತ್ತು ಸುರಕ್ಷಿತ ಮಾಡುತ್ತದೆ.4.2 ಕೊಂಡ
ಅನೇಕ ಲೆಮಿನೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಷ್ಟೀ ಮೇಲೆ ಅಯೋಜನ ವೈರ್ನಿಷ್ ಮೇಲೆ ಸ್ತಂಭಿಸಿ ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ;
ಕೊಂಡವನ್ನು ಪ್ರಾಯೋಜನ ಮೇಲ್ವಿನ ಮತ್ತು ಬೋಲ್ಟ್‌ಗಳಿಂದ ಪ್ರಾಯೋಜನ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ;
ಮೇಲು ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ಪ್ರಾಯೋಜನ ಮೇಲುಗಳು ಟೈ ರಾಡ್‌ಗಳ ಅಥವಾ ಟೈ ಪ್ಲೇಟ್‌ಗಳ ಮೂಲಕ ಕೊಂಡ ಮತ್ತು ವೈಂಡಿಂಗ್‌ಗಳನ್ನು ಪ್ರಾಯೋಜನ ಮಾಡುತ್ತವೆ;
ಕೊಂಡ ಅಯೋಜನ ಘಟಕಗಳು ಮೇಲು ಅಯೋಜನ, ಬೋಲ್ಟ್ ಅಯೋಜನ, ಅಥವಾ ಟೈ-ಪ್ಲೇಟ್ ಅಯೋಜನ ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ.
ಕೊಂಡವನ್ನು ಗ್ರಂಥಿಸಬೇಕೇ? ಏಕೆ?
ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫೋರ್ಮರ್ ಕೊಂಡವನ್ನು ಒಂದೇ ಒಂದು ನಿಖರ ಗ್ರಂಥಿ ಬಿಂದುವಿನಿಂದ ಗ್ರಂಥಿಸಬೇಕು. ಗ್ರಂಥಿಸದಿರುವಂತೆ ಕೊಂಡ ಮತ್ತು ಗ್ರಂಥಿ ನಡುವಿನ ಬೆಂಕಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರ ಫಲಿತಾಂಶವಾಗಿ ಕೊಂಡದಿಂದ ಗ್ರಂಥಿಗೆ ನಡುವಿನ ಅನಾವಶ್ಯ ವಿಭಾಗ ವಿದ್ಯುತ್ ನಿಂದ ಸ್ವಲ್ಪ ಸ್ವಲ್ಪ ಹಾರು ಹೋಗುತ್ತದೆ. ಕೊಂಡವನ್ನು ಒಂದೇ ಒಂದು ಬಿಂದುವಿನಿಂದ ಗ್ರಂಥಿಸುವುದರಿಂದ ಬೆಂಕಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಸಂಭವನೀಯತೆಯನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬಹುದು.ಆದರೆ, ಕೊಂಡವನ್ನು ಎರಡು ಅಥವಾ ಅನೇಕ ಬಿಂದುಗಳಿಂದ ಗ್ರಂಥಿಸಿದರೆ, ಕೊಂಡದ ವಿಭಾಗಗಳ ನಡುವಿನ ಅಸಮಾನ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳು ಗ್ರಂಥಿ ಬಿಂದುಗಳ ನಡುವಿನ ಸುತ್ತಿನ ಪ್ರವಾಹ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದ ಎರಡು ಅಥವಾ ಅನೇಕ ಗ್ರಂಥಿ ದೋಷಗಳು ಮತ್ತು ಸ್ಥಳೀಯ ಹೆಚ್ಚು ತಾಪ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಕೊಂಡ ಗ್ರಂಥಿ ದೋಷಗಳು ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫೋರ್ಮರ್ನ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ—ಇದರ ಫಲಿತಾಂಶವಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಷ್ಟೀ ಲೆಮಿನೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಮರಳಿಸುವುದಕ್ಕೆ ಆವಶ್ಯಕವಾಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫೋರ್ಮರ್‌ಗಳು ಎರಡು ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚು ಗ್ರಂಥಿ ಬಿಂದುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಾರದು. ಒಂದೇ ಒಂದು ಗ್ರಂಥಿ ಬಿಂದು ಮಾತ್ರ ಅನುಮತಿಸಲಾಗಿದೆ.
5. ತಾಪ ನಿಯಂತ್ರಣ ಪದ್ಧತಿ
ಡ್ರೈ-ಟೈಪ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫೋರ್ಮರ್ನ ಸುರಕ್ಷಿತ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ ಮತ್ತು ಉಪಯೋಗ ಕಾಲ ವೈಂಡಿಂಗ್ ಅಯೋಜನದ ಸುರಕ್ಷಿತತೆ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರೆಯ ಮೇರ
Dust Protection Ⅰ Water Protection P Number Protection Scope Number Protection Scope 0 No Protection 0 No Protection 1 Prevent intrusion of solid foreign objects with diameter > 50mm (Prevent human body, e.g., palm) 1 Prevent water droplet intrusion (Prevent vertically falling water droplets, e.g., condensed water) 2 Prevent intrusion of solid foreign objects with diameter > 12.5mm (Prevent human fingers) 2 Still prevent water droplet intrusion when tilted at 15° 3 Prevent intrusion of solid foreign objects with diameter > 2.5mm 3 Prevent sprayed water intrusion (Rainproof or prevent at an angle < 60° from vertical) 4 Prevent intrusion of solid foreign objects with diameter > 1.0mm 4 Prevent splashed water intrusion (Prevent splashing from all directions) 5 Prevent foreign objects and dust 5 Prevent jet water intrusion (Resist low-pressure water spraying for at least 3 minutes) 6 Prevent foreign objects and dust 6 Prevent heavy wave intrusion (Resist large-volume water spraying for at least 3 minutes) 7 Prevent water intrusion during immersion (Resist in 1-meter-deep water for 30 minutes) 8 Prevent water intrusion during submersion 7. ಶೂಕ್ರದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳ ಶೀತಲಗೊಳಿಸುವ ವಿಧಾನಗಳು
ಶೂಕ್ರದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳು ಎರಡು ಶೀತಲಗೊಳಿಸುವ ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ: ಸ್ವಾಭಾವಿಕ ವಾಯು ಶೀತಲಗೊಳಿಸು (AN) ಮತ್ತು ಪ್ರಯೋಜಿತ ವಾಯು ಶೀತಲಗೊಳಿಸು (AF).
ಸ್ವಾಭಾವಿಕ ವಾಯು ಶೀತಲಗೊಳಿಸು ಅನ್ವಯವಾದಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ದೀರ್ಘಕಾಲ ನಡೆಯುವ ರೇಟೆಡ್ ಕ್ಷಮತೆಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಪ್ರಯೋಗವಾಗುತ್ತದೆ.
ಪ್ರಯೋಜಿತ ವಾಯು ಶೀತಲಗೊಳಿಸು ಅನ್ವಯವಾದಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಯಾವುದೇ ಅತಿರಿಕ್ತ ಲೋಡ್ ಅಥವಾ ಆಫ್ ಲೋಡ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ 50% ಹೆಚ್ಚು ಒಟ್ಟು ಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಪ್ರದಾನಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಆದರೆ, ಅತಿರಿಕ್ತ ಲೋಡ್ ಪ್ರಯೋಗದಲ್ಲಿ, ಲೋಡ್ ನಷ್ಟಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರತಿರೋಧ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಅirtschaftlich ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ಮಾಡುತ್ತದೆ; ಆದ್ದರಿಂದ, ದೀರ್ಘಕಾಲ ನಡೆಯುವ ಅತಿರಿಕ್ತ ಲೋಡ್ ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಬೇಕು.
8. ಶೂಕ್ರದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ವಿಷಯಗಳು
ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳ ಡಿಸಿ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮಾಪನ:
ಒಳ ಕಣ್ಣಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಕಣ್ಣಿನ ವೈದ್ಯುತ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟ, ಟ್ಯಾಪ್ ಚೇಂಜರ್ ಮತ್ತು ಲೀಡ್ ಗಳ ಮಧ್ಯ ಸಂಪರ್ಕ ಸ್ಥಿತಿ, ಮತ್ತು ಪ್ಹೇಸ್ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಗಳ ಅಸಮಾನತೆಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಲೈನ್-ಟು-ಲೈನ್ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅಸಮಾನತೆ 2% ಹೆಚ್ಚು ಇರಬಾರದು, ಮತ್ತು ಪ್ಹೇಸ್-ಟು-ಪ್ಹೇಸ್ ಅಸಮಾನತೆ 4% ಹೆಚ್ಚು ಇರಬಾರದು. ಡಿಸಿ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅಸಮಾನತೆಯ ಹೆಚ್ಚು ಹಾಕುವುದು ಮೂರು ಪ್ಹೇಸ್ ಗಳ ಮಧ್ಯ ಸರ್ಕುಲೇಟಿಂಗ್ ಕರೆಂಟ್ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಸರ್ಕುಲೇಟಿಂಗ್ ಕರೆಂಟ್ ನಷ್ಟಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಶೀತಲಗೊಳಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಎಂಬ ಅಂತಯಾಗಿ ಅಂತಾಯಿಕ ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ.ಎಲ್ಲ ಟ್ಯಾಪ್ ಸ್ಥಾನಗಳಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನುಪಾತ ಪರಿಶೀಲನೆ:
ಟರ್ನ್ ಸಂಖ್ಯೆ ಸರಿಯಾಗಿದೆಯೇ ಮತ್ತು ಎಲ್ಲ ಟ್ಯಾಪ್ ಸಂಯೋಜನೆಗಳು ಸರಿಯಾಗಿ ವೈದ್ಯುತ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗಿದೆಯೇ ಎಂದು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತದೆ. ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಕ್ಷದ ಮೇಲೆ (ಮತ್ತು ಅದರ ವಿವಿಧ ಟ್ಯಾಪ್ ಗಳ ಮೇಲೆ) 1000 V ಪ್ರಯೋಗಿಸಿ, ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಲೋ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಕ್ಷದಲ್ಲಿ ಸ್ವೀಕಾರ್ಯ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿ 400 V ಪ್ರದಾನಿಸುತ್ತದೆಯೇ ಎಂದು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತದೆ.ಮೂರು-ಫೇಸ್ ವಿಂಡಿಂಗ್ ಸಂಯೋಜನ ಗುಂಪು ಮತ್ತು ಪೋಲಾರಿಟಿ ಪರಿಶೀಲನೆ.
ಕರ್ನ್ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಫಾಸ್ಟನರ್ ಮತ್ತು ಕರ್ನ್ ತನ್ನ ಮೌಲ್ಯಗಳ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮಾಪನ.
ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮಾಪನ:
ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಲೋ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳ ಮತ್ತು ಗ್ರೌಂಡ್ ನ ನಡುವಿನ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಮೂಲ್ಯಾಂಕನ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, 2500 V ಮೆಗಾಓಹ್ಮ್ ಮೀಟರ್ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಮಾಪಿದ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ರಿಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮೌಲ್ಯಗಳು (HV–LV, HV–ground, LV–ground) ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಇರಬೇಕು.ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳ ಏಸಿ ಸಹ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪರೀಕ್ಷೆ:
ಅನ್ವಯವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ಕಣ್ಣಿನ ಮತ್ತು ಗ್ರೌಂಡ್ ನ ಮೂಲ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಡಿಯೆಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಟ್ರೆಂಗ್ಥ್ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಮೂಲಕ ಮೂಲ್ಯಾಂಕನ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇದು ನಿರ್ಮಾಣದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಳೀಯವಾಗಿ ಪ್ರವೇಶಿಸಿದ ದೋಷಗಳನ್ನು ಪತ್ತೆ ಹಚ್ಚುವುದಲ್ಲದೆ ಯಾವುದೇ ಮೋಚನ ಕಾರಣವಾಗಿ ತುಂಬಾ ಮುಖ್ಯವಾದ ಪರೀಕ್ಷೆಯಾಗಿದೆ. ಶೂಕ್ರದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳಿಗೆ, ಸಾಮಾನ್ಯ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗಳು: 10 kV ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳಿಗೆ 35 kV ಮತ್ತು 0.4 kV ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳಿಗೆ 3 kV, ಪ್ರತಿಯೊಂದು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗಳನ್ನು 1 ನಿಮಿಷ ಪ್ರಯೋಗಿಸಿ ಕ್ರಕ್ ಇಲ್ಲದೆ ಸ್ವೀಕಾರ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ.ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಯಾವುದೇ ಪಕ್ಷದಲ್ಲಿ ಸರ್ಕುಯಿಟ್ ಬ್ರೇಕರ್ ಗಳ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಇಂಟರ್ಲಾಕ್ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳು:
ಪ್ರೋಟೆಕ್ಟಿವ್ ರಿಲೇ ಪ್ರಯೋಗಗಳ ವಿಶ್ವಾಸೀಯತೆಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಉಪಕರಣಗಳು ಸ್ವಸ್ಥ ಮತ್ತು ದೋಷ ಇಲ್ಲದೆ ಇದೆಯೇ ಎಂದು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತದೆ.
9. ಇಂಪಲ್ಸ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ (ಇನ್-ರಷ್) ಪರೀಕ್ಷೆ
(1) ಶೂನ್ಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ವಿಘಟಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಓವರ್ವಾಲ್ಟೇಜ್ ಸಂಭವಿಸಬಹುದು. ಅನ್ವಯವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ಪದ್ಧತಿಯಲ್ಲಿ ನ್ಯೂಟ್ರಲ್ ಅನ್ವಯವಾದ ಅಥವಾ ಅನ್ವಯವಾದ ಅರ್ಕ್ ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸುವ ಕೋಯಿಲ್ ಮೂಲಕ ಗ್ರೌಂಡ್ ಮಾಡಿದರೆ, ಓವರ್ವಾಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರಮಾಣವು ಫೇಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗಳ ನಾಲ್ಕು-ನಾಲ್ಕು ಪಾಲಿಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಬಹುದು; ನ್ಯೂಟ್ರಲ್ ನ್ಯಾಕ್ಟ್ ಗ್ರೌಂಡ್ ಮಾಡಿದ ಪದ್ಧತಿಯಲ್ಲಿ, ಇದು ಫೇಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗಳ ಮೂರು ಪಾಲಿಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಬಹುದು. ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ಸಂಪೂರ್ಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಥವಾ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಓವರ್ವಾಲ್ಟೇಜ್ ನ್ನು ಬೆಳೆಯಬಹುದೇ ಎಂದು ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು, ಇಂಪಲ್ಸ್ ಪರೀಕ್ಷೆ ಅಗತ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ.
(2) ಶೂನ್ಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಶಕ್ತಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಮಗ್ನೆಟೈಸಿಂಗ್ ಇನ್-ರಷ್ ಕರೆಂಟ್ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ರೇಟೆಡ್ ಕರೆಂಟ್ ಗಳ ಆರು-ಎಂಟು ಪಾಲಿಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಬಹುದು. ಇನ್-ರಷ್ ಕರೆಂಟ್ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ದ್ವಂದವಾಗಿ ಹೊರಬರುತ್ತದೆ—ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 0.5-1 ನಿಮಿಷದಲ್ಲಿ ರೇಟೆಡ್ ಕರೆಂಟ್ ಗಳ 0.25-0.5 ಪಾಲಿಗೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ—ಆದರೆ ಪೂರ್ಣ ಕಡಿಮೆಯಾಗುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಹೆಚ್ಚು ಸಮಯ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ದೀರ್ಘಕಾಲ ನಡೆಯುವ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಗಳಿಗೆ ಹತ್ತಾರು ಸೆಕೆಂಡ್ ಗಳ ಕಡಿಮೆಯಾಗಬಹುದು. ಇನ್-ರಷ್ ಕರೆಂಟ್ ಯಾವುದೇ ದೋಷ ಸಂಭವಿಸಿದರೆ, ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಯನ್ನು ಮೆಕಾನಿಕ ಶಕ್ತಿ ಮೂಲಕ ಮೂಲ್ಯಾಂಕನ ಮಾಡುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿ ಇಂಪಲ್ಸ್ ಪರೀಕ್ಷೆಯನ್ನು ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಇನ್-ರಷ್ ಕರೆಂಟ್ ಯ ಮೊದಲ ಕಡಿಮೆಯಾಗುವ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಪ್ರೋಟೆಕ್ಟಿವ್ ರಿಲೇ ಗಳು ತಪ್ಪಾಗಿ ಪ್ರಯೋಗವಾಗುವುದೇ ಎಂದು ಮೂಲ್ಯಾಂಕನ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಹೊಸವಾಗಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಗಳಿಗೆ 5 ಇಂಪಲ್ಸ್ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳು ಮತ್ತು ಮರು ನಿರ್ಮಾಣ ಮಾಡಲಾದ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಗಳಿಗೆ 3 ಇಂಪಲ್ಸ್ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳು ಅಗತ್ಯವಾಗುತ್ತವೆ.10. ಶೂನ್ಯ ಪರೀಕ್ಷೆ
ಶೂನ್ಯ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಉದ್ದೇಶ:
ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಗಳ ಶೂನ್ಯ ನಷ್ಟ ಮತ್ತು ಶೂನ್ಯ ಕರೆಂಟ್ ಗಳನ್ನು ಮಾಪಿದೆ;
ಕರ್ನ್ ನ ನಕ್ಷೆ ಮತ್ತು ನಿರ್ಮಾಣ ತಂತ್ರ ಪ್ರಮಾಣಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಿದೆಯೇ ಎಂದು ಪರಿಶೀಲಿಸುತ್ತದೆ;
ಕರ್ನ್ ನ ದೋಷಗಳನ್ನು ಪತ್ತೆ ಹಚ್ಚುತ್ತದೆ, ಈ ದೋಷಗಳು ಸ್ಥಳೀಯ ಶೀತಲತೆ ಅಥವಾ ಸ್ಥಳೀಯ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ದೋಷಗಳು ಇರಬಹುದು.
ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಕ್ಷವನ್ನು ಓಪನ್-ಸರ್ಕುಯಿಟ್ ಮಾಡಿದರೆ, ಲೋ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಕ್ಷದಲ್ಲಿ ರೇಟೆಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರಯೋಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಶೂನ್ಯ ನಷ್ಟ ಪ್ರಾಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಕರ್ನ್ (ಐರನ್) ನಷ್ಟವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
ಶೂನ್ಯ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಮೂಲಕ ಪತ್ತೆ ಹಚ್ಚಬಹುದಾದ ದೋಷಗಳು:
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಸ್ಟಿಲ್ ಲೆಮಿನೇಟ್ ಗಳ ನಡುವಿನ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ದೋಷ;
ಕರ್ನ್ ಲೆಮಿನೇಟ್ ಗಳ ನಡುವಿನ ಸ್ಥಳೀಯ ಷಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕುಯಿಟ್ ಅಥವಾ ಬ್ರನ್ ದೋಷ;
ಕರ್ನ್-ಥ್ರೂ ಬೋಲ್ಟ್, ಸ್ಟೀಲ್ ಬಿಂಡಿಂಗ್ ಸ್ಟ್ರಾಪ್, ಕ್ಲಾಂಪಿಂಗ್ ಪ್ಲೇಟ್, ಯೋಕ್ ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಮೊದಲಾದ ವಿಷಯಗಳ ನಡುವಿನ ಇನ್ಸುಲೇಷನ್ ದೋಷ, ಇದು ಷಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕುಯಿಟ್ ಸಿಂಧಿಸುತ್ತದೆ;
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಸ್ಟಿಲ್ ಲೆಮಿನೇಟ್ ಗಳ ತೆರೆದ ಅಥವಾ ತಪ್ಪಾದ ಅಥವಾ ಅನಾವಶ್ಯವಾದ ವಾಯು ವಿಂಡೋ ಗಳು;
ಕರ್ನ್ ನ ಬಹು-ಪಾಯಿಂಟ್ ಗ್ರೌಂಡ್;
ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳ ಟರ್ನ್ ಅಥವಾ ಲೆಯರ್ ಗಳ ನಡುವಿನ ಷಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕುಯಿಟ್ ಅಥವಾ ಪಾರಳ್ಳೆಲ್ ಶಾಖೆಗಳ ನಡುವಿನ ಟರ್ನ್ ಗಳ ಅಸಮಾನತೆ ಕಾರಣ ಐಂಪೀಡೆನ್ಸ್ ಅಸಮಾನತೆ;
ಹೈ-ನಷ್ಟ, ಕಡಿ
ಶೋರ್ಟ್-ಸರ್ಕಿಟ್ ಪರೀಕ್ಷೆ ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಶೋರ್ಟ್-ಸರ್ಕಿಟ್ ನಷ್ಟ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ವಿರೋಧವನ್ನು ಮಾಪಿಕೊಳ್ತು. ಇದನ್ನು ಕಾರ್ಯಚಾಲನೆಯಲ್ಲಿ ಒಳಗೊಂಡಿದ್ದು ವಿಂಡಿಂಗ್ ರಚನೆಯ ಸರಿಯಾದ ಬಗ್ದು ನಿರ್ಧಾರಿಸುವ ಮತ್ತು ವಿಂಡಿಂಗ್ ಬದಲಾಯಿಸಿದ ನಂತರ ಹಿಂದಿನ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಫಲಿತಾಂಶಗಳಿಂದ ಭಾರೀ ವಿಚಲನಗಳನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸುವ ಮೂಲಕ ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಶಕ್ತಿ ಸರ್ಪರಿ ತ್ರಿಭುಜ ಅಥವಾ ಏಕ ಭುಜ ಆಗಿರಬಹುದು, ಉನ್ನತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತ್ರಿಭುಜಕ್ಕೆ ಲಾಗ್ ಮತ್ತು ಕಡಿಮ್ಕಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತ್ರಿಭುಜವನ್ನು ಶೋರ್ಟ್-ಸರ್ಕಿಟ್ ಮಾಡಿದಾಗ. ಪರೀಕ್ಷೆಯ ದ್ರವ್ಯಾಂತರದಲ್ಲಿ, ಉನ್ನತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತ್ರಿಭುಜದ ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ನು ಅದರ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಪ್ರಮಾಣಿಸಿ ಮತ್ತು ಕಡಿಮ್ಕಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತ್ರಿಭುಜದ ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವಿದ್ಯುತ್ ಮೌಲ್ಯದಲ್ಲಿ ಪರಿಚಾಲಿಸಬಹುದು.
12. ಡ್ರೈ-ಟೈಪ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗಳ ಅನ್ಯಾಯ ಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಹೇಳಿಕೆ
12.1 ಅನ್ಯಾಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಶಬ್ದ
ಮೆಕಾನಿಕಲ್ ಶಬ್ದ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ:
ಕೋರ್ ಕ್ಲಾಂಪಿಂಗ್ ಬೋಲ್ಟ್ಗಳು ಸ್ವಲ್ಪಾದ;
ಪರಿವಹನ ಅಥವಾ ಸ್ಥಾಪನೆಯ ದ್ರುತತೆಯಿಂದ ಕೋರ್ ಕೋನಗಳು ವಿಕಾರಿಸಿದ್ದು;
ಕೋರ್ ಯ ಭಾಗಗಳನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಬಾಹ್ಯ ವಸ್ತುಗಳು;
ಫಾನ್ ಮ್ನ್ಟಿಂಗ್ ಸ್ಕ್ರ್ಯು ಸ್ವಲ್ಪಾದ ಅಥವಾ ಫಾನ್ ಯ ಅಂದರ್ ಬಾಹ್ಯ ವಿಷ್ಟಾಪಗಳು;
ಎನ್ಕ್ಲೋಸ್ಚ್ರ್ ಮ್ನ್ಟಿಂಗ್ ಸ್ಕ್ರ್ಯು ಸ್ವಲ್ಪಾದ ಅಥವಾ ಪ್ಯಾನಲ್ ಚಲನೆ ಮತ್ತು ಶಬ್ದ;
ಕಡಿಮ್ಕಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬಸ್ ಬರ್ ಸ್ಥಿರೀಕರಣ ಸ್ಕ್ರ್ಯು ಸ್ವಲ್ಪಾದ ಅಥವಾ ಸ್ವಚ್ಚಾನ ಸಂಪರ್ಕಗಳ ಅಭಾವ, ಚಲನೆ ಮತ್ತು ಶಬ್ದ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ.
ಅತ್ಯಂತ ಉನ್ನತ ಇನ್ನುಳಿತ ಶಕ್ತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಾರ್ಥನೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಹಮ್ಮಿಂಗ್ ಶಬ್ದ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ.
ಉನ್ನತ ಕ್ರಮ ಹರ್ಮೋನಿಕ್ ಶಬ್ದ: ಅನಿಯಮಿತ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ—ವೋಲುಮ್ ಮತ್ತು ಅನ್ತರಾಳ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ. ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಹರ್ಮೋನಿಕ್-ನಿರ್ಮಾಣ ಉಪಕರಣಗಳಿಂದ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ವಿದ್ಯುತ್ ಓವನ್, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ರೆಕ್ಟಿಫයರ್) ಯಾವುದೇ ಪಕ್ಷದಲ್ಲಿ ಹರ್ಮೋನಿಕ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ತಿರುಗಿ ನ್ಯೂತ್ಪನ್ನ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಪರ್ಯಾಯ ಘಟನೆಗಳು: ಚಿಕ್ಕ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಗ್ರಹ್ ಮ್ನ್ಟಿ ಮೃದು ದ್ವಾರ ರೂಪಿಸಿದ ಪ್ರತಿನಿಧಿ ಅನ್ತರಾಳ ಶಬ್ದವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿ ಕಾಣಿಸುತ್ತದೆ.
12.2 ಅನ್ಯಾಯ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರದರ್ಶನ
ಸ್ಯಂಸರ್ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರದರ್ಶನ ಯಂತ್ರದ ಹಿಂದೆ ಸಾಕ್ಸ್ ನಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗಿಲ್ಲ—ದೋಷ ಸೂಚಕ ಬುಜ್ಜ್ ಪ್ರಕಾಶವಾಗುತ್ತದೆ;
ಸ್ಯಂಸರ್ ಸಂಪರ್ಕದ ಸ್ಕ್ರ್ಯು ಸ್ವಲ್ಪಾದ ಅಥವಾ ಸ್ಕ್ರ್ಯು ಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿ ರೀಜಿಸ್ಟ್ಯಾನ್ಸ್ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಹೋಗುವುದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರದರ್ಶನ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ;
ಒಂದು ಫ್ಯಾಸ್ ಯಲ್ಲಿ ಅನಂತ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರದರ್ಶನ ಸ್ಯಂಸರ್ ಯ ಪ್ಲಾಟಿನ್ ರೀಜಿಸ್ಟ್ಯಾನ್ಸ್ ತಾರದಲ್ಲಿ ಒಂದು ಓಪನ್ ಸರ್ಕುಿಟ್ ಉಂಟಾಗಿದೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ;
ಒಂದು ಫ್ಯಾಸ್ ಯಲ್ಲಿ ಅನ್ಯಾಯ ರೀತಿಯ ಉನ್ನತ ಪ್ರದರ್ಶನ ಸ್ಯಂಸರ್ ಯ ಪ್ಲಾಟಿನ್ ರೀಜಿಸ್ಟ್ಯಾನ್ಸ್ ಅಂತರಾಳ ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಭಾಂಗಿದ ಅಥವಾ ಅನ್ತರಾಳ ಅವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಇರುವುದು ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ.
ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಪ್ರಬೋಧನೆಯ ಮೂಲಕ ಕಾರ್ಯ ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಯ ಪ್ರಮುಖ ಘಟಕಗಳು ವಿಂಡಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಕೋರ್ ಗಳು. ಕಾರ್ಯ ದ್ರವ್ಯಾಂತರದಲ್ಲಿ, ವಿಂಡಿಂಗ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ಮಾರ್ಗದ ಪ್ಥ್ ಅನ್ನು ನೀಡುತ್ತವೆ, ಅದೇ ಕೋರ್ ಗಳು ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಪ್ರವಾಹದ ಮಾರ್ಗದ ಪ್ಥ್ ಅನ್ನು ನೀಡುತ್ತವೆ. ಪ್ರಾರಂಭಿಕ ವಿಂಡಿಂಗ್ ಯಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಿದಾಗ, ಪರಿವರ್ತನ ವಿದ್ಯುತ್ ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಕೋರ್ ಗೆ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾಡುತ್ತದೆ (ಇದರ ಅರ್ಥ ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯು ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರ ಶಕ್ತಿಯ ಆಕಾರದಲ್ಲಿ ಪರಿವರ್ತನ ಹೊಂದಿದೆ). ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಲಿಂಕ್ ಗ್ರಹ್ನಾ ಮೂಲಕ (ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಲಿಂಕ್), ದ್ವಿತೀಯ ವಿಂಡಿಂಗ್ ಯ ಮೂಲಕ ಕಾಣಬಹುದಾದ ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ನಿರಂತರ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅದರ ಫಲಿತಾಂಶವಾಗಿ ದ್ವಿತೀಯ ವಿಂಡಿಂಗ್ ಯಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಬಲ (ಈಎಂಎಫ್) ಉತ್ಪನ್ನವಾಗುತ್ತದೆ. ಬಾಹ್ಯ ಪರಿವಹನ ಸಂಪರ್ಕ ಮಾಡಿದಾಗ, ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಲೋಡ್ ಗೆ ಪ್ರದಾನ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ (ಇದರ ಅರ್ಥ ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರ ಶಕ್ತಿಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿಯ ಆಕಾರದಲ್ಲಿ ಪರಿವರ್ತನ ಹೊಂದಿದೆ). ಇದು "ವಿದ್ಯುತ್-ಚುಮ್ಬಕೀಯ-ವಿದ್ಯುತ್" ಪರಿವರ್ತನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಚುಮ್ಬಕೀಯ ಪ್ರಬೋಧನೆಯ ಮೂಲಕ ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಈ ಶಕ್ತಿ ಪರಿವರ್ತನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಯ ಕಾರ್ಯ ತತ್ತ್ವ ಅನ್ನು ನಿರ್ದೇಶಿಸುತ್ತದೆ.
