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MMF वोल्टेज नियंत्रण की विधि

Edwiin
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फील्ड: विद्युत स्विच
China

MMF विधि, जिसे एम्पीयर-टर्न विधि के रूप में भी जाना जाता है, संकल्पना पर संचारण इंपीडेंस विधि से अलग काम करती है। जबकि संकल्पना पर संचारण इंपीडेंस विधि आर्मेचर प्रतिक्रिया के प्रभाव को काल्पनिक प्रतिरोध के साथ बदलने पर निर्भर करती है, MMF विधि में चुंबकीय बल की उत्प्रेरक शक्ति पर ध्यान केंद्रित किया जाता है। विशेष रूप से, MMF विधि में, आर्मेचर लीक प्रतिरोध के प्रभाव को एक समकक्ष अतिरिक्त आर्मेचर प्रतिक्रिया MMF के साथ बदल दिया जाता है। यह इस समकक्ष MMF को वास्तविक आर्मेचर प्रतिक्रिया MMF के साथ जोड़ने की अनुमति देता है, जिससे विद्युत यंत्र के व्यवहार के विश्लेषण के लिए एक अलग दृष्टिकोण प्रदान किया जाता है।

MMF विधि का उपयोग करके वोल्टेज नियमन की गणना करने के लिए, निम्नलिखित जानकारी आवश्यक है:

  • फेज प्रति स्टेटर वाइंडिंग का प्रतिरोध।

  • सिंक्रोनस गति पर मापा गया ओपन-सर्किट विशेषताएँ।

  • शॉर्ट-सर्किट विशेषताएँ।

MMF विधि के फेजर आरेख बनाने के चरण

एक पीछे रहने वाले शक्ति कारक के लिए संबंधित फेजर आरेख निम्नलिखित रूप से प्रस्तुत किया गया है:

image.png

संदर्भ फेजर का चयन:

आर्मेचर टर्मिनल वोल्टेज प्रति फेज, V के रूप में चिह्नित, को संदर्भ फेजर के रूप में चुना गया है और रेखा OA के साथ प्रस्तुत किया गया है। यह फेजर आरेख निर्माण के लिए एक आधार प्रदान करता है, अन्य फेजरों के लिए एक निश्चित संदर्भ बिंदु प्रदान करता है।

आर्मेचर धारा फेजर का आरेख:

जिस लगने वाले शक्ति कारक कोण ϕ के लिए वोल्टेज नियमन की गणना की जानी है, उसके लिए आर्मेचर धारा फेजर Ia ऐसे बनाया जाता है कि यह वोल्टेज फेजर के पीछे रहता है। यह लगने वाले शक्ति कारक विद्युत प्रणाली में धारा और वोल्टेज के बीच चरण संबंध को सटीक रूप से प्रतिबिंबित करता है।

आर्मेचर प्रतिरोध गिरावट फेजर का जोड़ना:

फिर आर्मेचर प्रतिरोध गिरावट फेजर Ia Ra बनाया जाता है। चूंकि एक प्रतिरोध पर वोल्टेज गिरावट उसमें से प्रवाहित होने वाली धारा के साथ चरण में होती है, Ia Ra को Ia के साथ AC रेखा के साथ चरण में बनाया जाता है। O और C बिंदुओं को जोड़ने के बाद, OC रेखा विद्युत बल E' का प्रतिनिधित्व करती है। यह E' फेजर-आरेख निर्माण में एक मध्यवर्ती मात्रा है, जो आगे के विद्युत यंत्र के विशेषताओं के विश्लेषण में MMF विधि का उपयोग करने में मदद करता है।

image.png

ऊपर दिखाए गए ओपन-सर्किट विशेषताओं के आधार पर, वोल्टेज E' के लिए संबंधित क्षेत्र धारा If' की गणना की जाती है।

अगले, क्षेत्र धारा If' को इस प्रकार बनाया जाता है कि यह वोल्टेज E' से 90 डिग्री आगे रहता है। यह माना जाता है कि शॉर्ट-सर्किट स्थिति के दौरान, पूरी उत्तेजना आर्मेचर प्रतिक्रिया की चुंबकीय बल उत्प्रेरक शक्ति (MMF) द्वारा विरोधित की जाती है। यह मान्यता विश्लेषण में मौलिक है, क्योंकि यह अत्यधिक विद्युत स्थितियों के तहत क्षेत्र और आर्मेचर के बीच की प्रतिक्रिया को समझने में मदद करती है।

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ऊपर दिखाए गए शॉर्ट-सर्किट विशेषताओं (SSC) के आधार पर, शॉर्ट-सर्किट स्थितियों के तहत रेटेड धारा को चलाने के लिए आवश्यक क्षेत्र धारा If2 का निर्धारण किया जाता है। यह विशेष क्षेत्र धारा Ia Xa सिंक्रोनस प्रतिरोध गिरावट को संतुलित करने के लिए आवश्यक होता है।

उसके बाद, क्षेत्र धारा If2 को आर्मेचर धारा Ia के चरण के ठीक विपरीत दिशा में बनाया जाता है। यह ग्राफिक चित्रण महत्वपूर्ण है, क्योंकि यह शॉर्ट-सर्किट घटना के दौरान क्षेत्र और आर्मेचर के बीच विरोधी चुंबकीय प्रभावों को दृश्य रूप से प्रदर्शित करता है।

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परिणामस्वरूप क्षेत्र धारा की गणना

पहले, क्षेत्र धाराओं If' और If2 का फेजर योग गणना कीजिए। यह संयुक्त मूल्य परिणामस्वरूप क्षेत्र धारा If का परिणाम होता है। यह If वोल्टेज E0 को उत्पन्न करने के लिए जिम्मेदार होगा जब विकल्प लोड बिना किसी लोड के काम कर रहा हो।

ओपन-सर्किट EMF का निर्धारण

क्षेत्र धारा If से संबंधित ओपन-सर्किट विद्युत बल E0, विकल्प की ओपन-सर्किट विशेषताओं से प्राप्त किया जा सकता है। ये विशेषताएँ विकल्प के लोड से जुड़े हुए न होने पर क्षेत्र धारा और उत्पन्न emf के बीच संबंध प्रदान करती हैं।

विकल्प के नियमन की गणना

फिर नीचे दिखाए गए संबंध का उपयोग करके विकल्प का वोल्टेज नियमन निर्धारित किया जा सकता है। यह नियमन मान एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, क्योंकि यह विकल्प की क्षमता को दर्शाता है कि विकल्प विभिन्न लोड स्थितियों के तहत अपने आउटपुट वोल्टेज को कैसे बनाए रखता है।

image.png

यह सब MMF विधि के वोल्टेज नियमन के बारे में है।

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