La Ley de Moore se refiere a la observación de que el número de transistores en un circuito integrado (CI) se duplica aproximadamente cada 2 años. A menudo se cita como una explicación para el crecimiento exponencial de la tecnología, a veces incluso se denomina la 'ley del crecimiento exponencial'.
La ley de Moore lleva el nombre de Gordon Moore, cofundador de Intel. Moore observó que, desde la invención de los circuitos integrados, el número de transistores se había duplicado cada año. Moore produjo un artículo en la revista ‘Electronics’ titulado ‘Cramming More Components Onto Integrated Circuits’ explicando sus hallazgos (fuente). Una vez notado, este descubrimiento fue ampliamente aceptado en la industria electrónica y pasó a ser conocido como la Ley de Moore.
Este apretujamiento a corto plazo de componentes se esperaba que continuara, si no aumentara. Sin embargo, la tasa de aumento a largo plazo era un poco incierta, pero se mantuvo casi constante. Originalmente, Moore predijo que el número de transistores en un CI se duplicaría cada año. En 1975, la predicción de Gordon Moore se revisó en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos. Se determinó que después del año 1980, se ralentizaría a duplicarse cada dos años.
La extrapolación de estos datos se ha utilizado en la industria de los semiconductores durante muchos años para dirigir la planificación a largo plazo y establecer metas para la investigación y el avance. Desde su portátil, su cámara y su teléfono, cualquier dispositivo electrónico digital está estrechamente vinculado a la Ley de Moore. La Ley de Moore se convirtió en cierto modo en un objetivo para la industria, asegurando un progreso oportuno en la tecnología.
La sociedad se ha beneficiado enormemente de este avance en todas las áreas, como la educación, la salud, la impresión 3D, los drones y mucho más. Ahora podemos hacer cosas con kits de inicio de Arduino para principiantes que hace 30 años solo podían realizarse con carísimas mega computadoras.
En la IEEE International Electron Devices Meeting de 1975, Moore detalló varios factores que, según él, contribuían a este crecimiento exponencial:
A medida que mejoraban las técnicas, el potencial de defectos disminuyó drásticamente.
Esto, combinado con un aumento exponencial en los tamaños de los diodos, significaba que los fabricantes de chips podían trabajar con áreas más grandes sin perder rendimientos de reducción.
Desarrollo de las dimensiones más pequeñas alcanzables.
Conservar espacio en un circuito se conoce como astucia de circuito, optimizando cómo se organizan los componentes inteligentes y eventualmente encontrando el uso óptimo del espacio.
La Ley de Moore no sería viable sin algunas innovaciones de científicos e ingenieros a lo largo de los años. Esta es la línea de tiempo de los factores que habilitaron la Ley de Moore:
| Cuándo | Quién | Dónde | Qué | Por qué |
| 1947 | John BardeenWalter Brattain | Construyeron el primer transistor funcional | ||
| 1958 | Jack Kilby | Texas Instruments | Patentó el principio de la integración y creó el primer prototipo de un circuito integrado y los comercializó | |
| Kurt Lehovec | Sprague Electric Company | Inventó una forma de aislar componentes en un semiconductor | ||
| Robert Noyce | Fairchild Semiconductor | Creó una forma de conectar componentes en un CI mediante metalización de aluminio | ||
| Jean Hoerni | Tecnología planar basada en una versión mejorada de aislamiento | |||
| 1960 | Grupo de Jay Last | Fairchild Semiconductor | Realizó el primer circuito integrado semiconductor operativo | |
| 1963 | Frank Wanlass | Frank Wanlass Inventó el complemento de metal-óxido-semiconductor (CMOS) |
Permitió ICs extremadamente densos y de alto rendimiento | |
| 1967 | Robert Dennard | IBM | Creó la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) | Habilitó la posibilidad de fabricar células de memoria de un solo transistor (llevó a la invención de la memoria flash por Fujio Masuoka en los años 80, permitiendo memoria de alta capacidad y bajo costo en muchos dispositivos) |
| 1980 | Hiroshi
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