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La loi de Moore et la croissance exponentielle de la technologie

Electrical4u
Electrical4u
Champ: Électricité de base
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China

Qu'est-ce que la loi de Moore?

La loi de Moore fait référence à l'observation selon laquelle le nombre de transistors dans un circuit intégré (CI) double environ tous les 2 ans. Elle est souvent citée comme une explication de la croissance exponentielle de la technologie, parfois même qualifiée de 'loi de la croissance exponentielle'.

La loi de Moore est nommée d'après Gordon Moore, co-fondateur de Intel. Moore a observé qu'à partir de l'invention des circuits intégrés, le nombre de transistors avait doublé chaque année. Moore a produit un article dans le magazine ‘Electronics’ intitulé ‘Cramming More Components Onto Integrated Circuits’ expliquant ses découvertes (source). Une fois remarquée, cette découverte a été largement acceptée dans l'industrie électronique et est devenue connue sous le nom de loi de Moore.

Ce bourrage court terme de composants était censé se poursuivre, voire s'accélérer. Cependant, le taux de croissance à long terme était un peu incertain mais devait rester presque constant. À l'origine, Moore avait prédit que le nombre de transistors dans un CI doublerait chaque année. En 1975, la prédiction de Gordon Moore a été révisée lors de la Conférence internationale sur les dispositifs électroniques. Il a été déterminé qu'après 1980, cela ralentirait pour doubler tous les deux ans.



Graphique de la loi de Moore



L'extrapolation de ces données a été utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pendant de nombreuses années pour orienter la planification à long terme et fixer des objectifs de recherche et de progrès. Que ce soit votre ordinateur portable, votre appareil photo ou votre téléphone – tout appareil électronique numérique est fortement lié à la loi de Moore. La loi de Moore est devenue en quelque sorte un objectif pour l'industrie, assurant une progression opportune de la technologie.

La société a grandement bénéficié de ces avancées dans de nombreux domaines, tels que l'éducation, la santé, l'impression 3D, les drones, et bien plus encore. Nous pouvons maintenant faire des choses avec des kits de démarrage Arduino pour débutants qui il y a 30 ans ne pouvaient être réalisées que par des superordinateurs coûteux.

Lors de la conférence IEEE International Electron Devices Meeting de 1975, Moore a présenté plusieurs facteurs qu'il pensait contribuer à cette croissance exponentielle :

  • À mesure que les techniques s'amélioraient, le potentiel de défauts a considérablement diminué.

  • Cela combiné à une augmentation exponentielle des tailles de puce signifiait que les fabricants de puces pouvaient travailler avec des surfaces plus grandes sans perdre de rendement.

  • Développement des plus petites dimensions réalisables.

  • L'économie d'espace sur un circuit est appelée ingéniosité du circuit – optimisation de la façon dont les composants sont disposés et finalement trouver l'utilisation optimale de l'espace.

Principaux facteurs favorisants

La loi de Moore n'aurait pas été viable sans quelques innovations de la part des scientifiques et ingénieurs au fil des ans. Voici la chronologie des facteurs qui ont permis la loi de Moore :

Quand Qui Quoi Pourquoi
1947 John BardeenWalter Brattain Ont construit le premier transistor fonctionnel

1958 Jack Kilby Texas Instruments A breveté le principe de l'intégration et a créé le premier prototype de circuit intégré et les a commercialisés
Kurt Lehovec Sprague Electric Company A inventé un moyen d'isoler les composants sur un semi-conducteur

Robert Noyce Fairchild Semiconductor A créé un moyen de connecter les composants sur un CI par métallisation en aluminium

Jean Hoerni Technologie planaire basée sur une version améliorée de l'isolation


1960 Groupe de Jay Last Fairchild Semiconductor A fabriqué le premier circuit intégré opérationnel
1963 Frank Wanlass Frank Wanlass
A inventé le complémentaire MOS (CMOS)
A permis des CI extrêmement denses et haute performance
1967 Robert Dennard IBM A créé la mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) A permis la possibilité de fabriquer des cellules de mémoire à un seul transistor (a conduit à l'invention de la mémoire flash par Fujio Masuoka dans les années 80, permettant une mémoire de grande capacité et à faible coût dans de nombreux appareils)
1980
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