La Legge di Moore E La Crescita Esponenziale Della Tecnologia
Cos'è la Legge di Moore
La Legge di Moore si riferisce all'osservazione che il numero di transistor in un circuito integrato (CI) si raddoppia approssimativamente ogni 2 anni. È spesso citata come spiegazione per la crescita esponenziale della tecnologia, talvolta definita anche come la 'legge della crescita esponenziale'.
La legge di Moore prende il nome da Gordon Moore, cofondatore di Intel. Moore osservò che, dalla sua invenzione, il numero di transistor nei circuiti integrati si raddoppiava ogni anno. Moore produsse un articolo nella rivista ‘Electronics’ intitolato ‘Cramming More Components Onto Integrated Circuits’ per spiegare i suoi risultati (fonte). Una volta notata, questa scoperta divenne ampiamente accettata nell'industria elettronica e divenne nota come Legge di Moore.
Questa compressione a breve termine dei componenti era prevista continuare, se non addirittura aumentare. Tuttavia, il tasso di crescita a lungo termine era un po' incerto ma rimase quasi costante. Inizialmente, Moore predisse che il numero di transistor in un CI si sarebbe raddoppiato ogni anno. Nel 1975, la previsione di Gordon Moore fu rivista durante l'International Electron Devices Meeting. Si determinò che, dopo il 1980, il ritmo si sarebbe rallentato a un raddoppio ogni due anni.
L'estrapolazione di questi dati è stata utilizzata nell'industria dei semiconduttori per molti anni per guidare la pianificazione a lungo termine e stabilire obiettivi per la ricerca e lo sviluppo. Dal tuo laptop, alla tua fotocamera e al tuo telefono - qualsiasi dispositivo elettronico digitale è strettamente legato alla Legge di Moore. La Legge di Moore è diventata una sorta di obiettivo per l'industria, assicurando un progresso tempestivo nella tecnologia.
La società ha tratto grandi benefici da questo avanzamento in tutte le aree, come l'istruzione, la salute, la stampa 3D, i droni e molto altro. Ora possiamo fare cose con kit di avviamento Arduino per principianti che 30 anni fa potevano essere eseguite solo da costosi supercomputer.
Al 1975 IEEE International Electron Devices Meeting, Moore ha delineato diversi fattori che credeva contribuissero a questa crescita esponenziale:
Con l'evolversi delle tecniche, il potenziale di difetti è drasticamente diminuito.
Questo, combinato con un aumento esponenziale delle dimensioni del die, significava che i produttori di chip potevano lavorare su aree più grandi senza perdere rendimenti di riduzione
Sviluppo delle dimensioni più piccole raggiungibili
Risparmiare spazio su un circuito è noto come 'circuit cleverness' - ottimizzare come sono disposti i componenti intelligenti e infine trovare l'uso ottimale dello spazio
Fattori Principali Abilitanti
La Legge di Moore non sarebbe stata possibile senza alcune innovazioni da parte di scienziati e ingegneri nel corso degli anni. Questa è la cronologia dei fattori che hanno reso possibile la Legge di Moore:
| Quando | Chi | Dove | Cosa | Perché |
| 1947 | John BardeenWalter Brattain | Hanno costruito il primo transistor funzionante | ||
| 1958 | Jack Kilby | Texas Instruments | Ha brevettato il principio dell'integrazione e ha creato il primo prototipo di un circuito integrato e lo ha commercializzato | |
| Kurt Lehovec | Sprague Electric Company | Ha inventato un modo per isolare i componenti su un semiconduttore | ||
| Robert Noyce | Fairchild Semiconductor | Ha creato un modo per collegare i componenti su un CI tramite metallizzazione all'alluminio | ||
| Jean Hoerni | Tecnologia planare basata su una versione migliorata dell'isolamento | |||
| 1960 | Gruppo di Jay Last | Fairchild Semiconductor | Ha realizzato il primo circuito integrato operativo | |
| 1963 | Frank Wanlass | Frank Wanlass Inventore del metallo-ossido-semiconduttore complementare (CMOS) |
Ha permesso IC estremamente densi e ad alte prestazioni | |
| 1967 | Robert Dennard | IBM | Ha creato la memoria dinamica a accesso casuale (DRAM) | Ha reso possibile la fabbricazione di celle di memoria a singolo transistor (ha portato all'invenzione della memoria flash da parte di Fujio Masuoka negli anni '80, permettendo memorie a basso costo e alta capacità in molti dispositivi) |
| 1980 | Hiroshi ItoC Grant Wilson J. M. J. Frechet | Hanno inventato il fotoresist amplificato chimicamente (5-10 volte più sensibile alla luce UV) - IBM lo ha introdotto nella produzione di DRAM a metà degli anni '80 |
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