سیم پیچ و تعداد دور در آن چه رابطه ای دارند؟
الکترودوکتانس (Inductance) با تعداد دور (Number of Turns) در یک سیم پیچ رابطه مستقیم دارد. به طور خاص، الکترودوکتانس L متناسب با مجذور تعداد دور N است. این رابطه میتواند با فرمول زیر بیان شود:

که در آن:
L الکترودوکتانس است (واحد: هنری، H)
N تعداد دور در سیم پیچ است
μ نفوذپذیری است (واحد: هنری بر متر، H/m)
A مساحت مقطع سیم پیچ است (واحد: متر مربع، m²)
l طول سیم پیچ است (واحد: متر، m)
توضیحات
تعداد دور
N:هرچه تعداد دور در سیم پیچ بیشتر باشد، الکترودوکتانس بزرگتر خواهد بود. این به این دلیل است که هر دور اضافی قدرت میدان مغناطیسی را افزایش میدهد و بنابراین انرژی مغناطیسی ذخیره شده را افزایش میدهد. بنابراین، الکترودوکتانس متناسب با مجذور تعداد دور است.
نفوذپذیری
μ:نفوذپذیری ویژگی مغناطیسی مواد است. مواد مختلف نفوذپذیریهای مختلفی دارند. مواد با نفوذپذیری بالا (مانند فریت یا هستههای آهن) میتوانند میدان مغناطیسی را تقویت کنند و بنابراین الکترودوکتانس را افزایش دهند.
مساحت مقطع
A:هرچه مساحت مقطع سیم پیچ بزرگتر باشد، الکترودوکتانس بزرگتر خواهد بود. این به این دلیل است که مساحت مقطع بزرگتر میتواند جریان مغناطیسی بیشتری را در خود جای دهد.
طول سیم پیچ
l:هرچه سیم پیچ بلندتر باشد، الکترودوکتانس کوچکتر خواهد بود. این به این دلیل است که سیم پیچ بلندتر به معنای توزیع گستردهتر جریان مغناطیسی است که منجر به کاهش چگالی انرژی مغناطیسی در واحد طول میشود.
کاربردهای عملی
در کاربردهای عملی، الکترودوکتانس میتواند با تنظیم تعداد دور در سیم پیچ، انتخاب مواد مناسب برای هسته و تغییر هندسه سیم پیچ به صورت دقیق کنترل شود. به عنوان مثال، در مهندسی رادیو، فیلترهای توان و پردازش سیگنال، طراحی دقیق القاییها بسیار مهم است.
به طور خلاصه، الکترودوکتانس متناسب با مجذور تعداد دور در سیم پیچ است، رابطهای که توسط اصول بنیادی الکترومغناطیس تعیین میشود. با طراحی مناسب، مقدار الکترودوکتانس مورد نظر قابل دستیابی است.