Šta je PIN fotodijod?

Šta je PIN fotodioda?

PIN Dioda

PIN fotodioda je vrsta foto detektora, koji može pretvoriti optičke signale u električne signale. Ova tehnologija je razvijena kasnih 1950-ih. Dioda se sastoji od tri distinktne regije.P-regija i n-regija su značajno intenzivnije dotirane u poređenju sa standardnim p-n diodama. Takođe, intrinzična regija je šira od prostorne nabavne regije normalnog pn preloma.

Uključuje p-regiju, intrinzičnu regiju i n-regiju. P-regija i n-regija su značajno intenzivnije dotirane u poređenju sa onima u standardnim p-n diodama. Takođe, intrinzična regija je šira od prostorne nabavne regije normalnog pn preloma.

PIN foto dioda radi pod primenjenim obrnutim naprezanjem i kada se primeni obrnuto naprezanje, prostorna nabavna regija mora potpuno pokriti intrinzičnu regiju. Parovi elektron-rupa generišu se u prostornoj nabavnoj regiji putem apsorpcije fotonima. Brzina prekidača frekvencijskog odziva fotodijode je obrnuto proporcionalna vreme života nosioca.

Brzina prekidača može biti unapređena malim vremenom života manje čestice. U aplikacijama foto detektora gde je brzina odziva ključna, prostorna nabavna regija bi trebalo da bude proširena što više kako bi se smanjilo vreme života manje čestice, time povećavajući brzinu prekidača. To se može postići PIN fotodijodom kao što je ubacivanje intrinzične regije proširuje širinu prostorne nabavne regije. Diagram obične PIN fotodijode dat je ispod.

Avalanche foto dioda (ne treba je mesiti sa avalanche diodom) je vrsta foto detektora koji može pretvoriti signale u električne signale, pionirska istraživačka radnja u razvoju avalanche diode je uglavnom izvršena tokom 1960-ih. Strukturna konfiguracija avalanche fotodijode je veoma slična PIN fotodijodi. PIN fotodijoda se sastoji od tri regije -P-regija, intrinzična regija, n-regija.

• P-regija,

• Intrinzična regija,

• N-regija.

Razlika je u tome što primenjeno obrnuto naprezanje je vrlo veliko kako bi došlo do udarnog jonizovanja. Za silicijum kao poluprovodni materijal, dioda će trebati između 100 i 200 volta. Prvo, parovi elektron-rupa generišu se putem apsorpcije fotonima u iscrpljenoj regiji. Ovi dodatni parovi elektron-rupa generišu se kroz udarno jonizovanje i brzo se odbacuju iz iscrpljene regije, rezultujući veoma kratkim vremenom prolaska.