Unsa ang PIN Photodiode?

Ano ang PIN Photodiode?

PIN Diode

Ang PIN photodiode usa ka matang sa photo detector nga makapakyas og pag-convert sa optical signals ngadto sa electrical signals.Gidebelop kini nga teknolohiya sa huling bahin sa 1950s. Ang diode gisusunod sa tulo ka distinct regions.

Kini naglakip og p-region, intrinsic region, ug n-region. Ang p-region ug n-region mas dako ang concentration sa dopant konparado sa standard p-n diodes. Padayon pa, ang intrinsic region mas wide kay sa space charge region sa normal pn junction.

Ang PIN photo diode molihok sa applied reverse bias voltage ug kon gi-apply ang reverse bias, ang space charge region kinahanglan mopuli sa tanan nga intrinsic region. Ang electron hole pairs giproduce sa space charge region pinaagi sa photon absorption. Ang switching speed sa photodiode’s frequency response inversely proportional sa carrier lifetime.

Ang switching speed mahimong mapataas pinaagi sa gamit og small minority carrier lifetime. Sa mga photodetector applications diin importante ang response speed, ang depletion region kinahanglan mogamay sa dako aron mapabag-o ang minority carrier lifetime, resulta mao ang pagtaas sa switching speed. Kini mahimo pinaagi sa PIN photodiode tungod sa pag-insert sa intrinsic region nga naghatag og mas dako nga space charge width. Ang diagram sa normal PIN photodiode gihatag sa ubos.

Avalanche photo diode (dili ipagsama sama sa avalanche diode) usa ka matang sa photo detector nga makapakyas og pag-convert sa optical signals ngadto sa electrical signals. Ang pioneering research work sa development sa avalanche diode gibuhat sa 1960s.Ang structural configuration sa avalanche photodiode labi na similar sa PIN photodiode. Ang PIN photodiode gisusunod sa tulo ka regions-

• P-region,

• Intrinsic region,

• N-region.

Ang difference mao ang reverse bias applied mas dako aron mag-cause og impact ionization. Para sa silicon isip sc material, ang diode kinahanglan og 100 hangtod 200 volts. Unsa man ang unang electron- hole pairs giproduce pinaagi sa photon absorption sa depletion region. Ang additional electron-hole pairs giproduce pinaagi sa impact ionization ug maayo maputli sa depletion region, resulta mao ang very short transit times.