რით არის PIN ფოტოდიოდი?
რა არის PIN ფოტოდიოდი?
PIN დიოდი
PIN ფოტოდიოდი არის ფოტოდეტექტორი, რომელიც შეძლებს ოპტიკური სიგნალების ელექტროსიგნალებად გარდაქმნას.ეს ტექნოლოგია იყო განვითარებული 1950-იანი წლების ბოლოს. დიოდი შედგება სამი განსხვავებული რეგიონიდან.
ეს შეიცავს p-რეგიონს, ინტრინსიკურ რეგიონს და n-რეგიონს. p-რეგიონი და n-რეგიონი უფრო ინტენსიურად დოპირებულია ვიდრე სტანდარტული p-n დიოდების შემთხვევაში. ადიდებულია ასევე ინტრინსიკური რეგიონი შედარებით ნორმალური pn ჯუნქციის სივრცის მარტოდებულ რეგიონთან.
PIN ფოტოდიოდი ფუნქციონირებს შეკითხვადი ხელშეკრულების გამოყენებით და როდესაც შეკითხვადი ხელშეკრულება გამოყენებულია, სივრცის მარტოდებული რეგიონი უნდა დაფაროს სრული ინტრინსიკური რეგიონი. ელექტრონ-ლუზა წყვილები შეიქმნება სივრცის მარტოდებულ რეგიონში ფოტონების აბსორბირებით. ფოტოდიოდის სიჩქარის რეჟიმი ინვერსულად პროპორციულია მის შესაძლო ცხოვრების ხანგრძლივობას.
სიჩქარის მართვა შეიძლება გაუმჯობესდეს მცირე მინორიტეტული არიერატების ხანგრძლივობით. ფოტოდეტექტორების აპლიკაციებში, სადაც რეაქციის სიჩქარე კრიტიკულია, დეპლექციის რეგიონი უნდა დაიფაროს სამართლიანად დარღვეული რეგიონის სიგანე, რათა შეიცილოს მინორიტეტული არიერატების ხანგრძლივობა და შესაბამისად გაიზრდოს სიჩქარე. ეს შეიძლება დაემუშაოს PIN ფოტოდიოდით, როგორც ინტრინსიკური რეგიონის ჩასართავად სივრცის მარტოდებული რეგიონის სიგანეში. ნორმალური PIN ფოტოდიოდის დიაგრამა მოცემულია ქვემოთ.
ავალანჩის ფოტოდიოდი (არ უნდა დაემუშაოს ავალანჩის დიოდთან) არის ფოტოდეტექტორი, რომელიც შეძლებს სიგნალების ელექტროსიგნალებად გარდაქმნას, პიონერული კვლევები ავალანჩის დიოდის განვითარების მიმართ განხორციელდა ძირითადად 1960-იანი წლების დროს.ავალანჩის ფოტოდიოდის სტრუქტურული კონფიგურაცია ძალიან მსგავსია PIN ფოტოდიოდის. PIN ფოტოდიოდი შედგება სამი რეგიონიდან-
P-რეგიონი,
ინტრინსიკური რეგიონი,
N-რეგიონი.
განსხვავება ისაა, რომ შეკითხვადი ხელშეკრულება ძალიან დიდია იმპაქტური იონიზაციის გამოწვევისთვის. სილიკონის შემთხვევაში, როგორც sc მასალა, დიოდს სჭირდება 100-200 ვოლტი. პირველად ელექტრონ-ლუზა წყვილები შეიქმნება ფოტონების აბსორბირებით დეპლექციის რეგიონში. ეს დამატებითი ელექტრონ-ლუზა წყვილები შეიქმნება იმპაქტური იონიზაციის გამო და სწრაფად გადაიტაცება დეპლექციის რეგიონიდან, რითაც იღება ძალიან მცირე ტრანზიტის დრო.
