Quid est PIN Photodiode?
PIN Diode
PIN photodiode est genus detectoris luminis, qui potest convertere signa lumina in signa electrica.Hanc technologiam in fine decennii 1950 elaboraverunt. Diode constat ex tribus regionibus distinctis.
Includit regionem p, regionem intrinsecam, et regionem n. Regiones p et n sunt altius dopatae comparata cum diodis pn standard. Praeterea, regio intrinseca est latior quam spatium caricae regionis junctionis pn normalis.
PIN photo diode operatur cum applicata tensione reversa, et quando reversa tensio applicatur, spatium caricae regionis debet integrum regionem intrinsecam tegere. Pares electroni-foramina generantur in spatio caricae regionis per absorptionem photonum. Velocitas commutationis responsionis frequentiae photodiodes est inversa proportionis ad vitae tempus suae caricae.

Velocitas commutationis potest augeri per parvum tempus vitae minoritatis caricae. In applicationibus photodectoris ubi velocitas responsionis est crucialis, regionem depletionis oportet maxime amplificare ut tempus vitae minoritatis caricae diminuat, sic velocitatem commutationis augeat. Hoc potest fieri per PIN photodiode, quia insertio regionis intrinsecam facit spatium caricae latius. Diagramma normalis PIN photodiode datur infra.
Avalanche photo diode (non confundendus cum avalanche diode) est genus detectoris luminis, qui potest convertere signa in signa electrica. Opera prima in developmentu avalanche diode facta est principale in 1960’s.Configuratio structurae avalanche photodiode est simillima PIN photodiode. PIN photodiode constat ex tribus regionibus-
P-region,
Regio intrinseca,
N-region.
Diversum est quod tensio reversa applicata est valde magna ut causet impact ionization. Pro silicio ut materia sc, diode indigebit inter 100 et 200 voltas. Primum pares electroni-foramina generantur per absorptionem photonum in regione depletionis. Hi pares electroni-foramina additi generantur per impact ionization et cito eiciuntur ex regione depletionis, resultans in transitibus temporibus brevissimis.