Miniaturized High-Density Hall-Effect Low Voltage Current Transformer (LVCT) Çözümü
I. Texniki çətinliklər və məqsədlər
Klasik dəmir dövrü tranformatoru (CT) çox böyük ölçülər, AC-dən başqa ölçmələrin qarşısını almaq, və maqnitik doyumlanma riskinə malikdir. Cari kompakt elektron sistemlərin (məsələn, batarya idarəetməsi, servodrivlar, kompakt inversiyalar) məkanın tərisində saxlanması, hafif dizayn, DC detektoru, və yüksək dərəcəli cavab vermə ehtiyacını həll etmək üçün, bu həll bir miniaturizasiya, yüksək sıxlıq, AC/DC uyğundur Hall effektivliyi ilə cürrent sensing yanaşıdır.
II. Əsas texnologiya: Bağlı dövr maqnit balans Hall sensor + ASIC inteqrasiyası
- Kichik maqnit dairəsi və sənət növü
- Bağlı dövr maqnit balans arxitekturası: Mikro silikon bazlı Hall çip, xüsusi şəkildə tərtib edilmiş dairəvi maqnit konsentrasiya növü (yüksək permeabilitli material) daxilində yerləşdirilib.
- Maqnit sahə ləğv prinsipi:
- İlk dəstənin yaradığı maqnit sahəsi Hall çip tərəfindən aşkar edilir.
- Yüksək gəzinti geri qayıtma dövrü ikinci bobinəni sürüşdürür ki, onunla mübarizə edən sahə yaradılsın, real zamanlı "sıfır maqnit" vəziyyəti əldə olsun.
- Geri qayıtma dəstəsi ilk dəstəni dəqiqliklə aynalayır, açıq dövr dizaynlarına xas olan doğrusalsızlıqları və temperatur dalgalanmalarını ortadan qaldırır.
- Çox inteqrasiya edilmiş signal emalı
- Mövcud ASIC inteqrasiyası:
- Ümumi amplitudlu Hall signalının genişləndirilməsi
- Dinamik offset ləğv circuitri
- Yüksək dəqiqlikli temperatur kompensasiya alqoritmi (silikon temperatur dalğası azaldılır)
- Ayarlanabilir aşağı keçiricilik filtrləməsi (typik: 100-250 kHz)
- Inteqrasiya edilmiş voltaj referansı və çıxış sürücüsü
- Ultra-kompakt struktura dizaynı
- Kichik növ: İyileştirilmiş maqnit dairəsi, diametri 5mm (standart diqqət merkezi) və ya düzbucaqlı yükləmə nöqtələri.
- SMD/diqqət merkezi paketləməsi:
- Yüzey yükləmə paketləri (məsələn, SMD-8) PCB montajı üçün, hündürlüyü ≤ 10mm.
- Diqqət merkezi dizaynı (qalvano izolyasiya) doğrudan konduktorun növ daxilindən keçməsinə imkan verir, galvanik izolyasiyanın qurulumunu mümkün edir.
III. Əsas üstünlüklər və qiymət tezliyi
|
Ölçü |
Üstünlük |
Qiymət tezliyi |
|
Fiziki |
- >70% ölçünün azalması |
Yüksək sıxlıq PCB uyğunduluğu |
|
- Ultrahafif ağırlıq (<5g) |
Dronlar/ellə tutulan cihazlar üçün ideal |
|
|
- SMD/diqqət merkezi strukturlar |
Qaldirmaqdan asılı olmayan quraşdırma |
|
|
Elektrik |
- AC/DC dəstə ölçməsi (DC-100kHz) |
EV güc zənciri izlənməsi |
|
- Galvanik izolyasiya (>2.5kV) |
Şəmis inversiyası OCP/PV sızıntı detektoru |
|
|
- Maqnitik doyumlanma riskinin azlığı |
Yüksək dəqiqlikli batarya SOC hesablaması |
|
|
- Düşük temperatur dalğası (<0.05%/°C) |
||
|
Sistem maliyyəsi |
- Mikroamper səviyyəsində quiescent dəstə |
Portativ cihazlarda bataryanın ömrünü uzatmaq |
|
- Sıfır xarici kompensasiya komponenti |
BOM və kalibrasiya maliyyətlərinin azaldılması |
|
|
- Tam SMT avtomatlaşdırma uyğunduluğu |
Milyon vahid istehsal üçün genişləndirilə bilər |
IV. Hədəf tətbiqləri
- Batarya İdarəetməsi (BMS): Yüksək dəqiqlikli DC dəstə detektoru (±1%) EV/ESS zəng-satış dövrü üçün.
- Kompakt Inversiyalar: IGBT modullarında faz dəstə kontrolu (100A aralığındakı SMD həlləri).
- Servodrivlar: Çox qutb motor dəstə proqnozu (paralel SMD CT massivləri).
- Akıllı Qiymətləndirmələr: DC komponent qiymətləndirməsi (bozulma/sürücü qoruması).
- Data Mərkəzi PSUs: Rəf səviyyəsində dəstə izlənməsi (yüksək sıxlıq diqqət merkezi inteqrasiyası).
V. Genişləndirilə bilənlilik və Gelecek Planı
- Çox aralıq dəstəyi: Tək paket 20A-500A aralığını dəstəyir (növ/bobin nisbəti optimallaşdırılması vasitəsilə).
- Rəqəmsal İnterfeys: İsteğe bağlı I²C/SPI çıxış variantları (ADC-inteqrasiya edilmiş ASIC).
- Yüksək dəqiqlikli səviyyə: Bağlı dövr 0.5% doğruluğunda (25°C), Class 1 qiymətləndirmə standartlarına uyğun gəlir.
