פתרונות בעדכון גבוה ויציבות עבור טרנספורטרי זרם נמוך מתח (LV CT)

I. רקע הפתרון​
בישומים מדויקים כמו רשתות חכמות, מדידת אנרגיה מתחדשת ומעקב אחר צריכת חשמל בתעשייה, טרנספורמורי זרם נמוך-מתח (LV CTs) קונבנציונליים לעתים קרובות מתמודדים עם אתגרים כגון דיוק לא מספיק, נגזרת טמפרטורה משמעותית ויציבות ארוכת טווח לקויה. כדי לעמוד בדרישות המדידה המדויקת של כיתה 0.2S/0.5S, הפתרון הזה מציג עיצוב משופר באופן כולל לטרנספורמורי LV אלקטרומגנטיים באמצעות חדשנות בחומרים ליבה והשגת אופטימיזציה מבנית.

​II. פתרונות טכנולוגיים עיקריים​

1. ​חומרים ליבה בעלי תכונות חדירה משופרים​
   • רצפים דקים מאוד של אלוי ננוקריסטלי/לא קריסטלי:
   הליבות מתפתלות באמצעות רצועות אלוי ננוקריסטלי או לא קריסטלי בעובי של 0.02-0.025 מ"מ, מה שמאפשר להשיג חדירות ראשונית (μi) של מעל 1.5×10⁵ H/m. זה מפחית בצורה משמעותית את הזרם ההפעלה וממזער שגיאות יחס/פאזה.
   • אופטימיזציה של תחומי מגנטי:
   אנתאלינג בשדה מגנטי כיווני מפחית את המתח בליבה, משפר את אחידות השטף ומפחית את אובדן ההיסטרזיס תחת הרמוניות בתדר גבוה.
2. ​מבנים מגנטיים מגינים ואנטי-הפרעה​
   • מגן מגנטי מרובע שכבות:
   משטחי מגן כפולים של פרמלוי + רשת נחושת נוספים סביב הליבה כדי לדכא הפרעות שדה מגנטי חילופין חיצוני ולהפחית את השפעות הטיה DC.
   • תהליך סיבוב אורתוגונלי:
   טכנולוגיית סיבוב אורתוגונלית מקטעים לשיכת.secondary windings מפחיתה קיבולת מבוזרת והנדסה נטו, משפרת את תגובת התדר (שגיאת דיוק < ±0.1% בתחום תדר של 1-5kHz).
3. ​פיצוי טמפרטורה ועיבוד אותות​
   • مدار補充翻译内容如下：
   • מעגל פיצוי טמפרטורה דינמי:
   חיישנים של NTC/PTC בעלי קואריאנטיות גבוהה מפצים בזמן אמת על נגזרת טמפרטורה בחדירות הליבה ונגד הסיבוב (מקדם נגזרת טמפרטורה ≤ ±10 ppm/°C).
   • נגד דגימה יציב:
   נגדי פוליאסטר מתכתיים (ΔR/R < ±5 ppm/°C) עם חיבורים בקונפיגורציה של Kelvin מבטיחים דיוק בהמרה מזרם לתחום.
4. ​הטמנת והגנה מבודדת​
   • תהליך טמנת ריק:
   טמנת רזין אפוקסי בעדינות של 10⁻³ Pa מפחיתה בועות ולחץ פנימי, מגדילה את החוזק המכני והיציבות הטמפרטורתית.
   • מבנה מבודד רב-שכבתי:
   שכבת פולימיד + סיליקון מרכבת מבודדת מגיעה למתח דיאלקטרי >15 kV/mm ושחרור חלקי <5 pC (@1.5Ur).