নিম্ন-ভোল্টেজ বর্তনী ট্রান্সফরমার (LV CT) এর জন্য উচ্চ-প্রCISION এবং স্থিতিশীলতা সমাধান
I. সমাধানের পটভূমি
স্মার্ট গ্রিড, পুনরুজ্জীবিত শক্তি পরিমাপ, এবং শিল্প বিদ্যুৎ পর্যবেক্ষণ সহ উচ্চ-প্রশস্ততা অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে প্রামাণ্য কম-ভোল্টেজ বিদ্যুৎ ট্রান্সফরমার (LV CTs) অনেক সময় যথেষ্ট সঠিকতা, উল্লেখযোগ্য তাপমাত্রা ড্রিফট, এবং খারাপ দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতার সমস্যার সম্মুখীন হয়। 0.2S/0.5S-শ্রেণির উচ্চ-প্রশস্ততা পরিমাপের দাবি মেটাতে, এই সমাধানটি কোর উপকরণের প্রগতি এবং কাঠামোগত উন্নতির মাধ্যমে ইলেকট্রোম্যাগনেটিক LV CTs এর একটি সম্পূর্ণ উন্নত ডিজাইন প্রস্তাব করে।
II. মূল প্রযুক্তিগত সমাধান
- আপডেট হাই-পারমিয়াবিলিটি কোর উপকরণ
• ন্যানোক্রিস্টালিন/অ্যামরফাস অ্যালয় অতি-পাতলা স্ট্রিপ:
কোরগুলি 0.02–0.025mm পুরু ন্যানোক্রিস্টালিন বা অ্যামরফাস অ্যালয় স্ট্রিপ দিয়ে জড়ানো হয়, যা আদ্য পারমিয়াবিলিটি (μi) 1.5×10⁵ H/m অতিক্রম করে। এটি প্ররোচনা বিদ্যুৎ বিশেষভাবে হ্রাস করে এবং অনুপাত/পর্যায় ত্রুটি কমায়।
• ম্যাগনেটিক ডোমেন উন্নতি:
দিকনির্দেশিত চৌম্বক ক্ষেত্র এনিলিং কোর স্ট্রেস দূর করে, ফ্লাক্স সমন্বয় বাড়ায়, এবং উচ্চ-কম্পাঙ্ক হারমোনিক এর অধীনে হিস্টেরিসিস লোকাউট কমায়। - ম্যাগনেটিক স্ক্রিনিং এবং অ্যান্টি-ইন্টারফেরেন্স কাঠামো
• মাল্টি-লেয়ার কম্পোজিট ম্যাগনেটিক স্ক্রিনিং:
কোরের চারপাশে দুইটি পারমালয় + তামা জাল স্ক্রিনিং লেয়ার যোগ করা হয় বাহ্যিক AC চৌম্বক ক্ষেত্র বাধা এবং DC বায়াস প্রভাব কমাতে।
• অর্থোগোনাল ওয়াইন্ডিং প্রক্রিয়া:
দ্বিতীয় ওয়াইন্ডিং এর জন্য সেগমেন্টেড অর্থোগোনাল ওয়াইন্ডিং প্রযুক্তি বিতরণ ক্ষমতা এবং লিকেজ ইনডাক্টেন্স হ্রাস করে, কম্পাঙ্ক প্রতিক্রিয়া (সঠিকতা বিচ্যুতি < ±0.1% 1–5kHz ব্যান্ডউইথ ভিতরে) উন্নত করে। - তাপমাত্রা কম্পেনসেশন এবং সিগন্যাল প্রক্রিয়াকরণ
• ডাইনামিক তাপমাত্রা কম্পেনসেশন সার্কিট:
একীভূত উচ্চ-রেখার NTC/PTC সেন্সর বাস্তব সময়ে কোর পারমিয়াবিলিটি এবং ওয়াইন্ডিং রেজিস্টেন্সের তাপমাত্রা ড্রিফট কম্পেনসেশন করে (তাপমাত্রা ড্রিফট সহগ ≤ ±10 ppm/°C)।
• উচ্চ-স্থিতিশীল নমুনা রেজিস্টর:
কম-ড্রিফট মেটাল ফোইল রেজিস্টর (ΔR/R < ±5 ppm/°C) চার-টার্মিনাল কেলভিন সংযোগ বিদ্যুৎ-স্পন্দন সঠিকতা নিশ্চিত করে। - অন্তর্বর্তন এবং প্রতিরোধ বাড়ানো
• ভ্যাকুয়াম পটিং প্রক্রিয়া:
10⁻³ Pa ভ্যাকুয়ামে উচ্চ-পরিস্ফুট এপক্সি রেজিন পটিং বুলব এবং অভ্যন্তরীণ স্ট্রেস দূর করে, যার ফলে যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা বাড়ে।
• মাল্টি-লেয়ার প্রতিরোধ কাঠামো:
পলিইমাইড ফিল্ম + সিলিকন কম্পোজিট ইন্টারলেয়ার প্রতিরোধ ডায়েলেকট্রিক শক্তি >15 kV/mm এবং আংশিক ডিসচার্জ <5 pC (@1.5Ur) অর্জন করে।
III. পারফরম্যান্স সুবিধা
|
প্যারামিটার |
প্রামাণ্য CT |
এই সমাধান |
সুবিধা |
|
সঠিকতা শ্রেণি |
0.5–1.0 |
0.2S/0.5S |
অনুপাত/পর্যায় ত্রুটি ↓50% |
|
তাপমাত্রা ড্রিফট সহগ |
±100 ppm/°C |
±10 ppm/°C |
10x বেশি স্থিতিশীলতা |
|
দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা |
±0.3%/year |
±0.05%/year |
জীবনকাল ত্রুটি নিয়ন্ত্রণযোগ্য |
|
পর্যায় ত্রুটি (1%In) |
>30' |
<5' |
পর্যায় সুনিশ্চিত ↑6x |
|
অপারেটিং তাপমাত্রা |
-25°C~+70°C |
-40°C~+85°C |
উন্নত পরিবেশ অনুকূলতা |
IV. প্রয়োগের দৃশ্য
এই সমাধানটি বিশেষভাবে উপযুক্ত হয়:
• বিদ্যুৎ পরিমাপ: স্মার্ট মিটার, ডিস্ট্রিবিউশন নেটওয়ার্ক অটোমেশন সিস্টেম (IEC 61869-2 মান অনুসারে)
• পুনরুজ্জীবিত শক্তি পর্যবেক্ষণ: PV ইনভার্টার এবং শক্তি সঞ্চয় সিস্টেমে উচ্চ-প্রশস্ততা বিদ্যুৎ নমুনা
• শিল্প নিয়ন্ত্রণ: VFDs এবং মোটর প্রোটেকশন ডিভাইসে ফল্ট বিদ্যুৎ পর্যবেক্ষণ
• ল্যাব স্ট্যান্ডার্ড: 0.2S-শ্রেণির স্ট্যান্ডার্ড ট্রান্সফরমার হিসাবে মূল্য স্থানান্তরের জন্য
