Haltaj Precizaj kaj Stabilaj Solvoj por Malaltensiaj Kurenttransformiloj (LV CT)
I. Fondo de la Solvo
En alta-precizaj aplikoj kiel inteligentaj retoj, mezurado de regenerendaj energiofontoj, kaj industriaj monitoradoj de energia potenco, konvenciaj tranformiloj de malalta tensio (LV CTs) ofte konfrontas problemojn inkluzive de insufiĉa precizeco, signifa temperatur-drifo, kaj mala longtempeca stabileco. Por respondi al la postuloj de 0.2S/0.5S-klasa alta-preciza mezurado, ĉi tiu solvo proponas kompletan plibonigitan dezajnon por elektromagnetaj LV CTs tra inovacio de kernmaterialo kaj struktura optimigo.
II. Kernaj Teknikaj Solvoj
- Plibonigitaj Kernmaterialoj de Alta Permeableco
• Nanokristalaj/Amorphaj Lego Ultra-Dikaj Strekoj:
Kernoj estas envingitaj per 0.02–0.025mm dika nanokristala aŭ amorfa lego strekoj, atingante komencon de permeableco (μi) super 1.5×10⁵ H/m. Tio signife malpligrandigas ekscitan kuranton kaj minimumigas rilatumajn/fazajn erarojn.
• Optimigo de Magnetdomajno:
Direkta magnetkampa anuligo eliminas kern-streson, plibonigas unuformon de fluo, kaj reduktas histeresajn perdetojn sub alta-frekvancarmonikoj. - Magnetekranigo kaj Strukturoj Kontraŭ Interferenco
• Multipla Kompozita Magnetekranigo:
Duobla Permalloy + kupra mallumo ekranilaj stratoj estas aldonitaj ĉirkaŭ la kern por supriĝeni eksteran AC-magnetan kampon kaj minacigi efektojn de DC-pendeco.
• Ortogona Vindingproceduro:
Segmenta ortogona vindingteknologio por duaĵaj vindingoj reduktas distribuitan kapacitancon kaj fuĝindukton, plibonigante frekvencan respondon (precizecdevio < ±0.1% en 1–5kHz larĝebando). - Temperatura Kompensado kaj Signal-Procezo
• Dinamika Temperatura Kompensada Cirkvito:
Integrita alta-linia NTC/PTC-sensoroj realtempe kompensas temperaturdrifon en kern-permeableco kaj vindingrezisto (temp. drifkoeficiento ≤ ±10 ppm/°C).
• Alta-Stabila Specimena Resistoro:
Maldrifta metalfolia resistoroj (ΔR/R < ±5 ppm/°C) kun kvarterminala Kelvin-konekto certigas akuratecon de kuranto-al-volttransformado. - Kapsulado kaj Insuleco Plibonigita
• Vakua Potting-proceduro:
Higpurepa epoksidrezina potting je 10⁻³ Pa eliminu bublojn kaj internan streson, plibonigante mekanikan fortikon kaj temperaturan stabilecon.
• Multipla Insuleca Arĥitekturo:
Polimidfilm + siliko kompoza interligo insuleco atingas dielektran forton >15 kV/mm kaj partan elŝargadon <5 pC (@1.5Ur).
III. Avantaĝoj de la Presto
|
Parametro |
Konvena CT |
Ĉi Tiuj Solvo |
Plibonigo |
|
Precizeca Klaso |
0.5–1.0 |
0.2S/0.5S |
Rilatumaj/Fazaj eraroj ↓50% |
|
Temp. Drifkoeficiento |
±100 ppm/°C |
±10 ppm/°C |
10foje pli bona stabileco |
|
Longtempeca Stabileco |
±0.3%/year |
±0.05%/year |
Eraro dum vivo kontrolebla |
|
Faza Eraro (1%In) |
>30' |
<5' |
Faza precizeco ↑6foje |
|
Operaca Temperaturo |
-25°C~+70°C |
-40°C~+85°C |
Enhavita adaptivo al ekstremaj kondiĉoj |
IV. Aplikaj Scenaroj
Ĉi tiu solvo aparte taŭgas por:
• Energia Mezurado: Inteligencaj mezuriloj, aŭtomataj sistemoj de distribucia reto (konformaj kun IEC 61869-2 standardo)
• Regenerenda Energia Monitorado: Alta-preciza kurant-specimenado en fotovoltaikaj inversiloj kaj energikonserviloj
• Industria Kontrolo: Detektado de defekta kuranto en VFDs kaj motoraparatoj
• Laboratoriaj Normoj: Servado kiel 0.2S-klasaj normaj transformiloj por valortransfaro
