| Thương hiệu | Wone |
| Số mô hình | 610-635 Watt mô-đun một mặt có LID/LeTID thấp hơn |
| Công suất tối đa | 635Wp |
| Chuỗi | 66HL4M-(V) |
Chứng nhận
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Hệ thống quản lý chất lượng ·
ISO14001:2015: Hệ thống quản lý môi trường ·
ISO45001:2018: Hệ thống quản lý an toàn và sức khỏe nghề nghiệp.
Tính năng
Mô-đun loại N với công nghệ Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) cung cấp mức độ suy giảm LID/LeTID thấp hơn và hiệu suất tốt hơn trong điều kiện ánh sáng yếu.
Mô-đun loại N với công nghệ HOT 3.0 của Solar cung cấp độ tin cậy và hiệu suất tốt hơn.
Kháng muối và amoniac cao.
Được chứng nhận chịu được: tải tĩnh tối đa 5400 Pa phía trước, tải tĩnh tối đa 2400 Pa phía sau.
Bẫy ánh sáng và thu thập dòng điện tốt hơn để cải thiện công suất đầu ra và độ tin cậy của mô-đun.
Giảm thiểu khả năng suy giảm do hiện tượng PID thông qua tối ưu hóa công nghệ sản xuất tế bào và kiểm soát vật liệu.

Đặc tính cơ khí

Cấu hình đóng gói

Thông số kỹ thuật (STC)

Điều kiện ứng dụng

Bản vẽ kỹ thuật


*Lưu ý: Đối với kích thước cụ thể và phạm vi dung sai, xin vui lòng tham khảo bản vẽ mô-đun chi tiết tương ứng.
Hiệu suất điện & Tính phụ thuộc nhiệt độ


Hiện tượng LID/LeTID là gì?
LID (Light Induced Degradation) và LeTID (Light and Elevated Temperature Induced Degradation) là hai hiện tượng ảnh hưởng đến hiệu suất của các tế bào quang điện. Đặc biệt trong các mô-đun có công suất đầu ra cao, những vấn đề này đặc biệt quan trọng. Dưới đây là giải thích về hiện tượng LID và LeTID cũng như tác động của chúng đối với các mô-đun một mặt 610-635 watt.
LID: LID đề cập đến hiện tượng suy giảm hiệu suất xảy ra khi các tế bào quang điện lần đầu tiên tiếp xúc với ánh sáng mặt trời. Hiện tượng này chủ yếu do sự hình thành phức hợp bo-oxy trong vật liệu pin (thường là silicon đơn tinh thể p-type) dưới ánh sáng, dẫn đến giảm hiệu suất của pin.
LeTID: LeTID là một hiện tượng suy giảm hiệu suất khác. Nó xảy ra khi pin hoạt động ở nhiệt độ cao (ví dụ, trên 70 °C) và dưới điều kiện chiếu sáng. Suy giảm hiệu suất do LeTID nghiêm trọng hơn so với LID và tốc độ phục hồi chậm hơn.