580-605 Wátter egyoldalú modul TOPcon (Tunnel Oxide Passivating Contacts) technológiával

Tanúsítványok

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Minőségmenedzsment-rendszer ·

• ISO14001:2015: Környezetvédelmi menedzsment-rendszer ·

•  ISO45001:2018: Munkahelyi egészség- és biztonsági menedzsment-rendszer.

Jellemzők

• Az N-típusú modulok Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technológiával kisebb LID/LeTID romlást és jobb alacsony fényképességű teljesítményt nyújtanak.

• Az N-típusú modulok JinkoSolar HOT 3.0 technológiával jobb megbízhatóságot és hatékonyságot nyújtanak.

• Magas sóhajtás- és ammónia-ellenállóság.

• Tanúsított ellenállás: 5400 Pa előlap maximális statikus terhelés, 2400 Pa hátlap maximális statikus terhelés.

• Jobb fényfogás és áramgyűjtés a modul teljesítményének és megbízhatóságának javítása érdekében.

• A PID jelenség által okozott romlás esélyének minimalizálása a cellatervezés optimalizálásával és anyagfelügyelettel.

Mechanikai jellemzők

Csomagolási konfiguráció

Specifikációk (STC)

Alkalmazási feltételek

Műszaki rajzok

*Megjegyzés: A pontos méretek és toleranciakörökért látogasson el a megfelelő részletes modulrajzokhoz.

Elektromos teljesítmény 

Mi az a TOPCon technológia?

A TOPCon technológia (Tunnel Oxide Passivated Contact) egy fejlett fotovoltaikus cellatechnológia, amely a napelemekek napfényt villamos energiára való átalakító hatékonyságának javítására szolgál. A TOPCon technológia lényege, hogy a cella hátlapján bevezeti a túneloxidréteget és a dopált poliszilíciumréteget, ami egy passzivált kapcsolati struktúrát hoz létre. Ez a struktúra csökkenti a felületi és a fémkapcsolati rekombinációt, így javítva a cella teljesítményét.

• Túneloxidréteg: Az ultra-vékony túneloxidréteg a cella hátlapján készül. Ez a réteg olyan vékony, hogy elektronok tudnak túnelözni rajta, de elegendően vastag ahhoz, hogy csökkentse a felületi rekombinációs veszteségeket.

• Dopált poliszilíciumréteg: A túneloxidrétegen egy dopált poliszilíciumréteg kerül. Ez a réteg lehet N-típusú vagy P-típusú, és a töltéscarrier gyűjtésére szolgál.

• Paszivált kapcsolat: A túneloxidréteg és a dopált poliszilíciumréteg által alkotott paszivált kapcsolati struktúra hatékonyan csökkenti a felületi és a fémkapcsolati rekombinációt, így növelve a cella nyitott körzetes feszültségét és rövidzárló áramát.