580-605 Watt na mono-facial module na may Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technology

Sertipikasyon

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Sistema ng Pamamahala sa Kalidad ·

• ISO14001:2015: Sistema ng Pamamahala sa Kapaligiran ·

•  ISO45001:2018: Mga sistema ng pamamahala sa kalusugan at kaligtasan sa trabaho.

Mga Katangian

• Ang mga module na N-type na may teknolohiya ng Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) ay nagbibigay ng mas mababang LID/LeTID degradation at mas mahusay na performance sa mababang liwanag.

• Ang mga module na N-type na may teknolohiya ng JinkoSolar's HOT 3.0 ay nagbibigay ng mas mahusay na reliabilidad at efisyensiya.

• Matatag laban sa mataas na asin at ammonia.

• Certified para makapagtiyak: 5400 Pa front side max static test load 2400 Pa rear side max static test load.

• Mas mahusay na pagkakataon sa pagsisiyasat ng liwanag at pagkolekta ng kuryente upang mapabuti ang output power at reliabilidad ng module.

• Minimizes ang posibilidad ng degradation dahil sa PID phenomena sa pamamagitan ng pag-optimize ng teknolohiya ng produksyon ng cell at kontrol ng materyales.

Mekanikal na Katangian

Paghahanda ng Packaging

Mga Specification (STC)

Kondisyon ng Application

Engineering Drawings

*Note: Para sa tiyak na dimensyon at tolerance ranges, mangyaring tumingin sa kasagaran ng detalyadong drawing ng module.

Electrical Performance 

Ano ang teknolohiya ng TOPCon?

Ang teknolohiya ng TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) ay isang advanced na teknolohiya ng photovoltaic cell na ginagamit upang mapabuti ang efisyensiya ng solar cells sa pag-convert ng sunlight sa kuryente. Ang esensya ng teknolohiya ng TOPCon ay ang pagkuha ng tunneling oxide layer at doped polysilicon layer sa likod ng cell, na bumubuo ng passivated contact structure. Ang struktura na ito ay nagbabawas ng surface recombination at metal contact recombination, kaya't nasisiguro ang mas mahusay na performance ng cell.

• Tunnel Oxide Layer: Isang napakalambot na tunneling oxide layer ang ginawa sa likod ng cell. Ang layer na ito ay sapat na malambot upang maaaring lumusot ang electrons pero sapat na malaki upang mabawasan ang surface recombination losses.

• Doped Polysilicon Layer: Isang layer ng doped polysilicon ang inilapat sa ibabaw ng tunneling oxide layer. Ang layer na ito maaaring N-type o P-type doped at ginagamit upang makuha ang charge carriers.

• Passivated Contact: Ang passivated contact structure, na nabuo ng tunneling oxide layer at doped polysilicon layer, ay epektibong nagbabawas ng surface recombination at metal contact recombination, kaya't tinataas ang open-circuit voltage at short-circuit current ng cell.