IGBT Simulink ইলেকট্রনিক বিচ্ছেদ সহ হাইব্রিড সার্কিট ব্রেকার
IGBT Simulink ইলেকট্রনিক বিচ্ছেদ (বাম পাশের চিত্রে দেখানো হয়েছে) সহ একটি হাইব্রিড সার্কিট ব্রেকারে, পথ ১-এর IGBT দ্বারা মূল পথ থেকে ফল্ট কারেন্ট বিচ্ছেদ পথে পরিচালিত হয়। একইসাথে, পথ ২-এর IGBT দ্বারা স্থানীয় কারেন্ট শূন্য পারগমন তৈরি করা হয়।
ডান পাশের চিত্রে, t1 সময়ে সার্কিট ব্রেকার দিয়ে শর্ট-সার্কিট ফল্ট কারেন্ট প্রবাহ শুরু হয়। তারপর, t2 সময়ে, পথ ১-এ (বাম পাশের চিত্রে দেখানো হয়েছে) কারেন্ট বিচ্ছিন্ন হয় এবং ফল্ট কারেন্ট পথ ২-এ পরিচালিত হয়। পরবর্তীতে, t3 সময়ে, পথ ২-এ কারেন্ট বিচ্ছিন্ন হয় এবং পথ ৩-এ পরিচালিত হয়। পথ ৩-এর উচ্চ প্রতিরোধের কারণে ভোল্টেজ তীব্রভাবে বৃদ্ধি পায় যতক্ষণ না t4 সময়ে সার্জ প্রোটেক্টর এই ভোল্টেজ সীমাবদ্ধ করে। এই ভোল্টেজকে ট্রানজিয়েন্ট ইন্টাররুপশন ভোল্টেজ (TIV) বলা হয়।
t4 থেকে শুরু করে, সিস্টেম সুস্থ হতে শুরু করে, যদিও ফল্ট স্থানে কারেন্ট এখনও সম্পূর্ণরূপে বিচ্ছিন্ন হয়নি। ফল্ট অংশটি সিস্টেমের স্বাভাবিক অংশ থেকে কার্যকরভাবে বিচ্ছিন্ন হয়। এই বিন্দু থেকে, ভোল্টেজ (সিস্টেমের নির্দিষ্ট ভোল্টেজের চেয়ে বেশি) ধীরে ধীরে কারেন্টকে শূন্য করে, যেখানে সিস্টেমের আবেশিক শক্তি পথ ৪-এর সার্জ প্রোটেক্টরে বিলুপ্ত হয়।
চিত্র ব্যাখ্যা
t1 সময়ে : শর্ট-সার্কিট ফল্ট কারেন্ট সার্কিট ব্রেকার দিয়ে প্রবাহ শুরু হয়।
t2 সময়ে : পথ ১-এর IGBT দ্বারা ফল্ট কারেন্ট পথ ২-এ পরিচালিত হয়।
t3 সময়ে : পথ ২-এর IGBT দ্বারা ফল্ট কারেন্ট পথ ৩-এ পরিচালিত হয়।
t4 সময়ে : পথ ৩-এর উচ্চ প্রতিরোধের কারণে ভোল্টেজ তীব্রভাবে বৃদ্ধি পায়, এবং সার্জ প্রোটেক্টর এই ভোল্টেজ সীমাবদ্ধ করে, ট্রানজিয়েন্ট ইন্টাররুপশন ভোল্টেজ (TIV) গঠন করে।
সিস্টেমের সুস্থতা প্রক্রিয়া
ফল্ট বিচ্ছেদ: t4 থেকে শুরু করে, ফল্ট অংশটি সিস্টেমের স্বাভাবিক অংশ থেকে কার্যকরভাবে বিচ্ছিন্ন হয়।
ভোল্টেজ সুস্থতা: নির্দিষ্ট সিস্টেম ভোল্টেজের চেয়ে বেশি ভোল্টেজ ধীরে ধীরে কারেন্টকে শূন্য করে।
শক্তি বিলুপ্তি: সিস্টেমের আবেশিক শক্তি পথ ৪-এর সার্জ প্রোটেক্টরে বিলুপ্ত হয়, যাতে সিস্টেম স্বাভাবিক পরিচালনায় ফিরে আসে।
এই পদ্ধতিতে, হাইব্রিড সার্কিট ব্রেকার দ্রুত এবং কার্যকরভাবে শর্ট-সার্কিট ফল্ট নিয়ন্ত্রণ করতে পারে, যা পাওয়ার সিস্টেমকে ক্ষতি থেকে রক্ষা করে।
