Unsaon Ang Pagsulay Sa Transistor?

Unsa ang Pamaagi sa Pag-Operasyon sa Transistor?

Pahayag sa Transistor

Ang transistor mao ang isang semiconductor device nga gamiton aron mapalubas o mapalihok ang mga electronic signals.

Adunay daghang klase sa transistor, apan kini atong pagtumongan ang NPN transistor sa common emitter mode. Kini adunay heavily doped ug wide emitter region, nga adunay daghan kaayo nga free electrons (majority carriers).

Ang collector region adunay moderate doping ug wide, kung diin adunay mas kaunti nga free electrons kaysa emitter. Ang base region kay napuno ug lightly doped, nga adunay kaunti lang nga holes (majority carriers). Karon, kita mog connect og battery sa pagitan sa emitter ug collector. Ang emitter terminal sa transistor gikonekta sa negative terminal sa battery. Busa ang emitter-base junction naging forward biased, ug ang base-collector junction naging reverse biased. Sa karon nga kondisyon, wala'y current ang mag flow sa device. Bago matuloy sa aktwal nga operasyon sa device, let us recall ang constructional ug doping details sa NPN transistor. Heto ang emitter region adunay wider ug very heavily doped. Busa ang concentration sa majority carriers (free electrons) sa karon nga bahin sa transistor kaayo ka high.

Ang base region, kasagaran, maoy napuno ug very thin, na adunay sukad nga few micrometers, samtang ang emitter ug collector region adunay sukad nga millimeter. Ang doping sa p-type layer sa gitna maoy kaayo ka low, ug resulta niana, adunay kaunti kaayo nga holes sa karon nga bahin. Ang collector region adunay wider sama sa atong giingon, ug ang doping ania maoy moderate, busa adunay moderate number of free electrons sa karon nga bahin.

Ang voltage nga gipadala sa pagitan sa emitter ug collector nag-drop sa duha ka lugar. Unang, ang emitter-base junction adunay forward barrier potential nga about 0.7 volts sa silicon transistors. Ang uban pa sa voltage nag-drop sa base-collector junction isip reverse barrier.

Ania man ang voltage sa pagitan sa device, ang forward barrier potential sa emitter-base junction always remains 0.7 volts, ug ang uban pa sa source voltage nag-drop sa base-collector junction isip reverse barrier potential.

Kini mosulti nga ang collector voltage dili mahatagan sa forward barrier potential. Busa, ang free electrons sa emitter dili makapasar sa base. Isip resulta, ang transistor mobehave isip off switch.

NB: – As at this condition the transistor does not conduct any current ideally, there will be no voltage drop at the external resistance hence entire source voltage (V) will drop across the junctions as shown in the figure above.

Karon, tingali unta unsa ang mogawas kon magpadala kita og positive voltage sa base terminal sa device. Sa karon nga sitwasyon, ang base-emitter junction magka forward voltage individually, ug sigurado nga makakapasa sa forward potential barrier, busa ang majority carriers, i.e., free electrons sa emitter region mag-cross sa junction ug madugay sa base region diin adunay kaunti kaayo nga holes aron mag-recombine.

Apan tungod sa electric field sa pagitan sa junction, ang free electrons nga nag-migrate gikan sa emitter region magka kinetic energy. Ang base region maoy kaayo ka thin nga ang free electrons gikan sa emitter dili magka sufficient time aron mag-recombine, busa mag-cross sa reverse biased depletion region ug ultimately madugay sa collector zone. Tungod kay adunay reverse barrier sa pagitan sa base-collector junction, dili mag-obstruct sa pag-flow sa free electrons gikan sa base to collector tungod kay ang free electrons sa base region mao ang minority carriers.

Sa karon nga pamaagi, ang electrons mag-flow gikan sa emitter to collector, ug ang collector to emitter current magsugod mag-flow. Tungod kay adunay kaunti nga holes sa base region, ang ilang electrons gikan sa emitter region mag-recombine sa mga holes ug contribute base current. Kini nga base current kaayo ka smaller kaysa collector to emitter current.

Ang ilang electrons gikan sa emitter contribute sa base current, apan ang labi nga go through sa collector. Ang emitter current mao ang total sa base ug collector currents. Busa, ang emitter current mao ang sum sa base ug collector currents.

Karon, tangtangon nato ang applied base voltage. Sa karon nga sitwasyon, tungod sa increased forward voltage sa emitter-base junction, proportionately daghan pa kaayo nga free electrons mag-ila gikan sa emitter region sa base region ngadto sa mas daghan nga kinetic energy. Kini mosulti sa proportionate increase sa collector current. Sa karon nga pamaagi, pinaagi sa pag-control sa small base signal, makontrol nato ang large collector signal. Kini ang basic working principle sa transistor.