Diodeyekin Rêndanên Daneyn?

Diodên Xeşberdanê Yekê Diçin?

Pêşnûmayî Diod

Materyalên semikonduktor (Si, Ge) bikar anîn da ku biryariya elektronîkî yên din biafirînin. Pirûzgera herî basîk diod e. Diod pirûzgera du termanî û PN junction e. PN junction li ser dema xwerandina materyal P type bi materyal N type derbasdar dike. Dema xwerandina materyal P type bi materyal N type, elektron û holek ji nav endan re dest pê kirin. Vê şeye girîngkirina kargaranên barz di junction de û ji ber vê yekê junction "depletion region" tê gotin. Dema xirabkirina voltaj ji bo termanan PN junction, wê diod derbasdar diket. Wêne di nav weşeyê diod PN junction di nîşan did.

Diod pirûzgera yek cih û hûn dikarin biguherînin lekî lê zêde bidin, yekê li gor çendiyê ku diodek biase ye.

Forward Biasing

Demê terman P bi tarma posîtif baterîyê re xwerandî û terman N bi tarma negatif, diod forward biased diket.

Li nav forward bias, tarma posîtif baterîyê holek di nav P-region re gerîn û tarma negatif elektronan di nav N-region re gerîn, wan ji bo junction werdigire. Vê şeye girîngkirina kargaranên barz di nav junction de, ji ber vê yekê recombination û kamkirina girîngîna depletion region diket. Ji ber hevîna forward bias voltage, depletion region girîngîna diket û current exponentially berder diket.

Reverse Biasing

Li nav reverse biasing, terman P bi tarma negatif baterîyê re xwerandî û terman N bi tarma posîtif baterîyê re xwerandî, ji ber vê yekê applied voltage N side posîter bêtir dibiket ji P side.

Tarma negatif baterîyê majority carriers, holek, di P-region de jîn û tarma posîtif elektronan di N-region de jîn û wan ji bo junction werdigire. Vê şeye kamkirina kargaranên barz di nav junction de û girîngkirina depletion region diket. A small amount of current flow due to minority carriers, called as reverse bias current or leakage current. As reverse bias voltage is raised depletion region continues to increase in width and no current flows. It can be concluded that diod acts only when forward biased. Operation of diod can be summarized in form of I-V diod characteristics graph.

Ji ber hevîna reverse bias voltage, girîngîna depletion region diket û pêdivî ye ku junction breaks down. Vê şeye girîngkirina current diket. Breakdown is the knee of diod characteristics curve. Junction breakdown takes place due to two phenomena.

Avalanche Breakdown

Li nav high reverse voltages, avalanche breakdown happens when minority carriers gain enough energy to knock electrons from bonds, leading to a large current flow.

Zener Effect

The Zener effect occurs at lower reverse voltages, where a high electric field breaks covalent bonds, causing a sudden increase in current and junction breakdown.