Componentes Currentis in Transistoribus

Definitio componentium currentis transistoris

Componentes currentis in transistore includunt currentem emittentis (IE), currentem basalis, et currentem collectoris.

In transistoribus NPN, currentis fluit propter electronos, dum in transistoribus PNP, fluit propter foramina, quod efficit directiones oppositas. Explorandum est componentia currentis in transistore PNP cum configuratione communis basalis. Iunctura emittens-basis (JE) est praebiased directa, et iunctura collector-basis (JC) est praebiased inversa. Figura ostendit omnia componentia currentis relativa.

Scimus, currentis advenit ad transistorem per emittentem et hic currentis vocatur currentis emittentis (IE). Hic currentis constat duobus componentibus – currente foraminis (IhE) et currente electronis (IeE). IeE est propter transitum electronorum ab base ad emittentem et IhE est propter transitum foraminum ab emittente ad basem.

In transistoribus industrialibus, emittens est magis dopatus comparativus ad basem, faciens currentem electronis neglegibilis comparativus ad currentem foraminis. Ergo, totus currentis emittens est propter transitum foraminum ab emittente ad basem.

Quaedam foramina quae transeunt iuncturam JE (iunctura emittens) combiniunt cum electronis presentibus in basi (N-typus). Ita, non omnes foramina transeuntia JE pervenient ad JC. Reliqua foramina pervenient ad iuncturam collectoris quae producit componentem currentis foraminis, IhC. Erunt recombinationes in massa in basi et currentis egressurus ex basi erit

Electroni in basi amissi propter recombinationem cum foraminibus injectis trans JE reficiuntur per electronos venientes. Foramina perveniunt ad iuncturam collectoris (JC) transibunt in regionem collectoris.

Cum circuitus emittens sit circuited apertus, tunc IE = 0 et IhC = 0. In hac conditione, basis et collector operabuntur ut diode praebiased inversa. Hic, currentis collectoris, IC, erit idem ac currentis saturatio inversa (ICO vel ICBO).

ICO est in factum parvus currentis inversus qui transit per diode iuncturae PN. Hoc est propter portatores minoritatis generate thermaliter qui impelluntur per potentiale barrierae. Hic currentis inversus crescit; si iunctura sit praebiased inversa et habebit eandem directionem ac currentis collectoris. Hic currentis attinget valorem saturationis (I0) ad moderatum praebias inversum.

Cum iunctura emittens sit praebiased directa (in regione operationis activa), tunc currentis collectoris fiet

Alpha est magnus signalis currentis incrementum quod est fractio currentis emittentis quae constat de IhC.

In transistore PNP, currentis saturatio inversa (ICBO) constabitur ex currente propter foramina transiens per iuncturam collectoris ab basi ad regionem collectoris (IhCO) et ex currente propter electronos qui transiunt per iuncturam collectoris in directione opposita (IeCO).

Totalis currentis ingrediens in transistorem erit aequalis totali currenti egressuro ex transistore (secundum legem currentis Kirchhoff).

Parametri relativi ad componentes currentis

Incrementum currentis DC (αdc):Hoc potest referri ut incrementum currentis DC transistoris communis basalis. Hoc semper erit positivum et erit minus unitate.

Incrementum currentis parvi signalis (αac):Cum voltage collector-basis constans (VCB). Semper erit positivum et erit minus unitate.