רכיבי הזרם בטרנזיסטור

Encyclopedia

שדה: encyclopedia

China

הגדרת מרכיבי הזרם בטרנזיסטור

מרכיבי הזרם בטרנזיסטור כוללים זרם פליטה (IE), זרם בסיס וזרם קולקטור.

בטרנזיסטורים NPN, הזרם זורם עקב אלקטרונים, בעוד בטרנזיסטורים PNP, הוא זורם עקב חורים, מה שגורם לכיווני זרם הפוכים. בואו נחקור את מרכיבי הזרם בטרנזיסטור PNP עם תצורת בסיס משותף. המפגש בין הפליטה לבסיס (JE) מוטה קדימה, והמפגש בין הקולקטור לבסיס (JC) מוטה אחורה. התמונה מציגה את כל מרכיבי הזרם הרלוונטיים.

אנו יודעים שהזרם מגיע לטרנזיסטור דרך הפליטה וזהו הזרם הפליטתי (IE). הזרם הזה כולל שני מרכיבים – זרם חורים (IhE) וזרם אלקטרונים (IeE). IeE הוא עקב מעבר של אלקטרונים מהבסיס לפליטה ו-IhE הוא עקב מעבר של חורים מהפליטה לבסיס.

בטרנזיסטורים תעשייתיים, הפליטה היא ממולכת חזק יותר מאשר הבסיס, מה שהופך את זרם האלקטרונים לתכוף בהשוואה לזרם החורים. לכן, כל הזרם הפליטתי הוא עקב מעבר של חורים מהפליטה לבסיס.

חלק מהחורים שעוברים את המפגש JE (מגע הפליטה) מתאחדים עם האלקטרונים שנמצאים בבסיס (N-טיפוס). לפיכך, לא כל החורים עוברים את JC. החורים הנשארים יגיעו למגע הקולקטור, מה שמייצר את מרכיב הזרם החורים, IhC. תתרחש איחוד מסיבי בבסיס והזרם שייצא מהבסיס יהיה

אלקטרונים בבסיס שאבדו עקב איחוד עם חורים שנדחפו לאורך JE מתחדשים על ידי אלקטרונים נכנסים. חורים שמגיעים למגע הקולקטור (JC) יעברו לאזור הקולקטור.

כאשר המעגל הפליטתי פתוח, אז IE = 0 ו-IhC = 0. בתנאי זה, הבסיס והקולקטור יפעלו כדיודה מוטה אחורה. כאן, זרם הקולקטור, IC יהיה זהה לזרם satuarty הפוך (ICO או ICBO).

ICO הוא למעשה זרם קטן הפוך העובר דרך דיודה מפגש PN. זהו עקב נשאים מיעוט שנוצרים תרמלית שנדחפים על ידי הפוטנציאל המחסום. הזרם ההופכי גדל; אם המפגש מוטה אחורה והוא ישאף בכיוון אותו כמו זרם הקולקטור. הזרם מתקרב לערך סטציונרי (I0) בעוצמה הפוכה מתונה.

כאשר המגע הפליטתי מוטה קדימה (באזור פעילות פעיל), אז זרם הקולקטור יהפוך ל-

ה-α הוא גינוס הזרם הסימני הגדול, שהוא חלק מהזרם הפליטתי המכיל את IhC.

בטרנזיסטור PNP, הזרם satuarty הפוך (ICBO) יכלול את הזרם עקב חורים עוברים דרך מגע הקולקטור מהבסיס לאזור הקולקטור (IhCO) ואת הזרם עקב אלקטרונים העוברים במגע הקולקטור בכיוון הפוך (IeCO).