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ट्रांसफॉर्मर का इम्पीडेंस

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फील्ड: एन्साइक्लोपीडिया
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China

शीट रिएक्टेंस की परिभाषा


ट्रांसफॉर्मर में, सभी फ्लक्स प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग दोनों से जुड़े नहीं होते। कुछ फ्लक्स केवल एक वाइंडिंग से जुड़े होते हैं, जिन्हें लीकेज फ्लक्स कहा जाता है। यह लीकेज फ्लक्स प्रभावित वाइंडिंग में स्व-रिएक्टेंस का कारण बनता है।


इस स्व-रिएक्टेंस को लीकेज रिएक्टेंस भी कहा जाता है। जब यह ट्रांसफॉर्मर के प्रतिरोध के साथ जुड़ता है, तो यह इम्पीडेंस बनता है। यह इम्पीडेंस प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग दोनों में वोल्टेज गिरावट का कारण बनता है।


ट्रांसफॉर्मर का प्रतिरोध


विद्युत शक्ति ट्रांसफॉर्मर के प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग आमतौर पर कॉपर से बने होते हैं, जो धारा के लिए एक अच्छा चालक है लेकिन अतिचालक नहीं है। अतिचालक व्यावहारिक रूप से उपलब्ध नहीं हैं। इसलिए, ये वाइंडिंग कुछ प्रतिरोध के साथ होते हैं, जिन्हें सामूहिक रूप से ट्रांसफॉर्मर का प्रतिरोध कहा जाता है।


ट्रांसफॉर्मर का इम्पीडेंस


जैसा कि हमने कहा, प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग दोनों में प्रतिरोध और लीकेज रिएक्टेंस होता है। ये प्रतिरोध और रिएक्टेंस जुड़कर ट्रांसफॉर्मर का इम्पीडेंस बनते हैं। यदि R1 और R2 और X1 और X2 क्रमशः प्राथमिक और द्वितीयक प्रतिरोध और लीकेज रिएक्टेंस हैं, तो Z1 और Z2 प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग का इम्पीडेंस होता है,

 

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ट्रांसफॉर्मर का इम्पीडेंस ट्रांसफॉर्मर के समानांतर संचालन के दौरान एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है


ट्रांसफॉर्मर में लीकेज फ्लक्स


आदर्श ट्रांसफॉर्मर में, सभी फ्लक्स प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग दोनों से जुड़े होते हैं। हालांकि, वास्तविकता में, सभी फ्लक्स दोनों वाइंडिंग से नहीं जुड़ते। अधिकांश फ्लक्स ट्रांसफॉर्मर के कोर से गुजरता है, लेकिन कुछ फ्लक्स केवल एक वाइंडिंग से जुड़ता है। इसे लीकेज फ्लक्स कहा जाता है, जो वाइंडिंग की इन्सुलेशन और ट्रांसफॉर्मर ऑयल से गुजरता है, कोर से नहीं।


लीकेज फ्लक्स प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग दोनों में लीकेज रिएक्टेंस का कारण बनता है, जिसे चुंबकीय लीकेज कहा जाता है।

 

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वाइंडिंग में वोल्टेज गिरावट ट्रांसफॉर्मर के इम्पीडेंस के कारण होती है। इम्पीडेंस प्रतिरोध और लीकेज रिएक्टेंस का संयोजन है। यदि हम प्राथमिक ट्रांसफॉर्मर पर V1 वोल्टेज लगाते हैं, तो प्राथमिक स्व-प्रेरित वि.श. (EMF) को संतुलित करने के लिए I1X1 का एक घटक होगा (यहाँ, X1 प्राथमिक लीकेज रिएक्टेंस है)। अब यदि हम प्राथमिक प्रतिरोध के कारण वोल्टेज गिरावट को भी ध्यान में रखें, तो ट्रांसफॉर्मर का वोल्टेज समीकरण आसानी से लिखा जा सकता है,

 

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इसी तरह द्वितीयक लीकेज रिएक्टेंस के लिए, द्वितीयक पक्ष का वोल्टेज समीकरण है,

 

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ऊपर दिए गए चित्र में, प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग अलग-अलग शाखाओं में दिखाए गए हैं, और यह व्यवस्था ट्रांसफॉर्मर में एक बड़े पैमाने पर लीकेज फ्लक्स का कारण बन सकती है क्योंकि लीकेज के लिए बहुत जगह है। 


यदि वाइंडिंग को एक ही स्थान पर रखा जा सकता हो, तो प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग में लीकेज को दूर किया जा सकता है। यह, बेशक, भौतिक रूप से असंभव है, लेकिन, द्वितीयक और प्राथमिक को सांद्रित रूप से रखकर इस समस्या का बहुत हद तक समाधान किया जा सकता है। 


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