فروپاشی مغناطیسی و لبههای پهن
تحلیل جریان نشتی و اثر لبهای
تعریف: جریان نشتی به جریان مغناطیسی اشاره دارد که از مسیر مورد نظر در مدار مغناطیسی منحرف میشود. این میتواند با استفاده از سولنوید برای تمایز بین جریان نشتی و اثر لبهای توضیح داده شود:
وقتی جریان از طریق سولنوید عبور میکند، بیشتر جریان مغناطیسی به صورت جریان اصلی در طول محور هسته تشکیل میشود، در حالی که یک قسمت از آن بدون پیروی کامل از مسیر هسته به خارج از سیمپیچ نشت میکند—این جریان نشتی است. در یک سولنوید بلند، جریان نشتی عمدتاً در دو سر رخ میدهد، جایی که خطوط میدان مغناطیسی به جای عبور از مقطع مقطعی هسته به هوا اطراف پخش میشوند.
همزمان، در دو سر سولنوید، خطوط میدان مغناطیسی توزیع غیر یکنواختی دارند که اثر "لبهای" را ایجاد میکند و باعث پخش جریان میشود. در حالی که جریان نشتی (که روی انحراف مسیر تأکید دارد) اثر لبهای توصیف میکند که پخش جریان اصلی در مرزها را توصیف میکند. هر دو پدیده بر روی کارایی سولنوید تأثیر میگذارند: جریان نشتی باعث ضرر انرژی میشود، در حالی که اثر لبهای میدان مغناطیسی را دیستورب میکند و بهینهسازی از طریق اقداماتی مانند افزایش مقطع مقطعی هسته یا استفاده از محافظ مغناطیسی در طراحیهای الکترومغناطیسی مورد نیاز است.
طبقهبندی جریان در مدارهای مغناطیسی سولنوید
بیشتر جریان مغناطیسی تولید شده توسط سولنوید از طریق هسته منتشر میشود، از فاصله هوایی عبور میکند و به عملکرد مورد نظر مدار مغناطیسی کمک میکند. این جزء به عنوان جریان مفید (φᵤ) تعریف میشود.
در شرایط عملی، تمام جریانها به طور دقیق به مسیر طراحی شده در هسته مغناطیسی پیروی نمیکنند. بخشی از جریان حول سیمپیچ یا اطراف هسته پخش میشود و به مقاصد عملیاتی مدار کمک نمیکند. این جریان غیرفعال جریان نشتی (φₗ) نامیده میشود که در محیط اطراف پخش میشود و در کار الکترومغناطیسی شرکت نمیکند.
بنابراین، جریان کل (Φ) تولید شده توسط سولنوید حاصل جمع جبری جریانهای مفید و نشتی است، که با معادله زیر بیان میشود:Φ= ϕu + ϕl
ضریب نشتی نسبت جریان کل تولید شده به جریان مفید در فاصله هوایی مدار مغناطیسی را ضریب نشتی یا عامل نشتی مینامند. این ضریب با (λ) نشان داده میشود.
