Modulo mono-facciale da 580-605 Watt con tecnologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Certificazione

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Sistema di gestione della qualità ·

• ISO14001:2015: Sistema di gestione ambientale ·

•  ISO45001:2018: Sistemi di gestione per la salute e la sicurezza sul lavoro.

Caratteristiche

• I moduli N con tecnologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) offrono una degradazione LID/LeTID inferiore e un'ottima performance in bassa luce.

• I moduli N con la tecnologia HOT 3.0 di JinkoSolar offrono maggiore affidabilità ed efficienza.

• Elevata resistenza al salmastro e all'ammoniaca.

• Certificati per sopportare: carico statico massimo frontale di 5400 Pa, carico statico massimo posteriore di 2400 Pa.

• Migliore trappolaggio della luce e raccolta di corrente per migliorare la potenza e l'affidabilità del modulo.

• Minimizza la possibilità di degradazione causata dai fenomeni PID attraverso l'ottimizzazione della tecnologia di produzione delle celle e il controllo dei materiali.

Caratteristiche meccaniche

Configurazione dell'imballaggio

Specifiche (STC)

Condizioni di applicazione

Disegni ingegneristici

*Nota: Per le dimensioni specifiche e i range di tolleranza, si prega di fare riferimento ai disegni dettagliati dei moduli corrispondenti.

Prestazioni elettriche 

Cos'è la tecnologia TOPCon?

La tecnologia TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) è una tecnologia avanzata di celle fotovoltaiche utilizzata per migliorare l'efficienza delle celle solari nella conversione della luce solare in elettricità. L'essenza della tecnologia TOPCon è l'introduzione di un strato di ossido tunnel e uno strato di polisilicio dopato sul retro della cella, che forma una struttura di contatto passivato. Questa struttura riduce la ricombinazione superficiale e la ricombinazione dei contatti metallici, migliorando così le prestazioni della cella.

• Strato di ossido tunnel: Un sottilissimo strato di ossido tunnel viene realizzato sul retro della cella. Questo strato è abbastanza sottile da permettere agli elettroni di attraversarlo, ma abbastanza spesso da ridurre le perdite di ricombinazione superficiale.

• Strato di polisilicio dopato: Uno strato di polisilicio dopato viene depositato sopra lo strato di ossido tunnel. Questo strato può essere dopato N o P e viene utilizzato per raccogliere i portatori di carica.

• Contatto passivato: La struttura di contatto passivato, formata dallo strato di ossido tunnel e dallo strato di polisilicio dopato, riduce efficacemente la ricombinazione superficiale e la ricombinazione dei contatti metallici, aumentando così la tensione aperta e la corrente cortocircuito della cella.