Módulo mono facial de 580-605 vatios con tecnología de Contactos Pasivantes de Óxido de Túnel (TOPcon)

Certificación

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Sistema de Gestión de Calidad ·

• ISO14001:2015: Sistema de Gestión Ambiental ·

•  ISO45001:2018: Sistemas de gestión de la seguridad y salud en el trabajo.

Características

• Los módulos tipo N con tecnología de Contactos Pasivados de Óxido de Tunelización (TOPcon) ofrecen una menor degradación por LID/LeTID y un mejor rendimiento en condiciones de poca luz.

• Los módulos tipo N con la tecnología HOT 3.0 de JinkoSolar ofrecen mayor confiabilidad y eficiencia.

• Alta resistencia a la salinidad y al amoníaco.

• Certificados para soportar: 5400 Pa de carga estática máxima en el lado frontal, 2400 Pa de carga estática máxima en el lado trasero.

• Mejor captación de luz y recolección de corriente para mejorar la potencia de salida y la confiabilidad del módulo.

• Minimiza la posibilidad de degradación causada por fenómenos PID mediante la optimización de la tecnología de producción de células y el control de materiales.

Características Mecánicas

Configuración de Empaquetado

Especificaciones (STC)

Condiciones de Aplicación

Dibujos de Ingeniería

*Nota: Para dimensiones específicas y rangos de tolerancia, consulte los dibujos detallados del módulo correspondiente.

Rendimiento Eléctrico 

¿Qué es la tecnología TOPCon?

La tecnología TOPCon (Contacto Pasivado de Óxido de Tunelización) es una tecnología avanzada de celdas fotovoltaicas utilizada para aumentar la eficiencia de las celdas solares en la conversión de luz solar en electricidad. La esencia de la tecnología TOPCon es la introducción de una capa de óxido de tunelización y una capa de polisilicio dopado en el lado trasero de la celda, lo que forma una estructura de contacto pasivado. Esta estructura reduce la recombinación superficial y la recombinación de contacto metálico, mejorando así el rendimiento de la celda.

• Capa de Óxido de Tunelización: Se fabrica una capa ultrafina de óxido de tunelización en el lado trasero de la celda. Esta capa es lo suficientemente delgada como para permitir que los electrones se tunelen a través de ella, pero lo suficientemente gruesa como para reducir las pérdidas por recombinación superficial.

• Capa de Polisilicio Dopado: Se deposita una capa de polisilicio dopado sobre la capa de óxido de tunelización. Esta capa puede ser dopada de tipo N o P y se utiliza para recoger los portadores de carga.

• Contacto Pasivado: La estructura de contacto pasivado, formada por la capa de óxido de tunelización y la capa de polisilicio dopado, reduce eficazmente la recombinación superficial y la recombinación de contacto metálico, aumentando así el voltaje en circuito abierto y la corriente en cortocircuito de la celda.