Модуль с одной светоприемной поверхностью мощностью 580-605 Вт с технологией Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Сертификация

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Система управления качеством ·

• ISO14001:2015: Система экологического менеджмента ·

•  ISO45001:2018: Системы управления охраной труда и здоровья.

Особенности

• Модули N-типа с технологией TOPcon (Tunnel Oxide Passivating Contacts) обеспечивают меньшую деградацию LID/LeTID и лучшую производительность при низкой освещенности.

• Модули N-типа с технологией HOT 3.0 от JinkoSolar обеспечивают лучшую надежность и эффективность.

• Высокая устойчивость к солевому туману и аммиаку.

• Сертифицированы для выдерживания: максимальная статическая нагрузка на переднюю сторону 5400 Па, максимальная статическая нагрузка на заднюю сторону 2400 Па.

• Лучшая ловушка света и сбор тока для повышения выходной мощности и надежности модуля.

• Минимизация вероятности деградации, вызванной явлением PID, за счет оптимизации технологии производства ячеек и контроля материалов.

Механические характеристики

Конфигурация упаковки

Характеристики (STC)

Условия применения

Инженерные чертежи

*Примечание: Для получения конкретных размеров и допусков, пожалуйста, обратитесь к соответствующим подробным чертежам модуля.

Электрические характеристики 

Что такое технология TOPCon?

Технология TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) — это передовая технология фотоэлементов, используемая для повышения эффективности солнечных батарей в преобразовании солнечного света в электричество. Суть технологии TOPCon заключается во введении туннельного оксидного слоя и легированного поликремниевого слоя на задней стороне элемента, что формирует структуру пассивированных контактов. Эта структура снижает поверхностную рекомбинацию и рекомбинацию металлических контактов, тем самым улучшая производительность элемента.

• Туннельный оксидный слой: на задней стороне элемента создается сверхтонкий туннельный оксидный слой. Этот слой достаточно тонкий, чтобы электроны могли проникать через него, но достаточно толстый, чтобы снизить потери от поверхностной рекомбинации.

• Легированный поликремниевый слой: на туннельный оксидный слой наносится слой легированного поликремния. Этот слой может быть либо N-типа, либо P-типа и используется для сбора зарядовых носителей.

• Пассивированный контакт: структура пассивированных контактов, образованная туннельным оксидным слоем и легированным поликремниевым слоем, эффективно снижает поверхностную рекомбинацию и рекомбинацию металлических контактов, увеличивая напряжение холостого хода и короткозамкнутый ток элемента.