Search


Đặc tính JFET

Bài viết này giải thích về JFET, bao gồm định nghĩa, các thông số kỹ thuật chính (VGS(off), IDSS, gm, rd, μ) và các định nghĩa, công thức, đặc tính tương ứng của chúng.

Encyclopedia
Trường dữ liệu: Bách khoa toàn thư
Electrical Engineer
10Year<
China
Thêm chúng tôi trên Google

Định nghĩa JFET


JFET là một loại transistor điều khiển dòng điện bằng trường điện.

 


Khi mua JFET cho một ứng dụng cụ thể, chúng ta cần kiểm tra các thông số kỹ thuật của thiết bị. Các thông số này được cung cấp bởi nhà sản xuất. Dưới đây là các tham số được sử dụng để chỉ định JFET và bao gồm:

 


  • Điện áp Ngắt Cổng (VGS(off))

  • Dòng Điện Cổng Đóng (IDSS)

  • Khả năng Truyền Dẫn (gmo)

  • Kháng Xuất Đầu Động (rd)

  • Hệ Số Khuếch Đại (μ)

 


Điện áp Ngắt Cổng


Tại một điện áp nguồn cố định, dòng điện nguồn (ID) của JFET phụ thuộc vào điện áp cổng đến nguồn (VGS).

 


ab4a8a22e7d0dd610644ae7d8c52f7ef.jpeg 

 


Nếu điện áp cổng đến nguồn giảm từ không trong JFET kênh n, dòng điện nguồn cũng giảm theo. Mối quan hệ giữa điện áp cổng đến nguồn và dòng điện nguồn được mô tả dưới đây. Sau một điện áp cổng đến nguồn nhất định (V25155-1GS), dòng điện nguồn ID trở thành không. Điện áp này được gọi là Điện áp Ngắt Cổng (VGS(off)). Điện áp này về mặt số học bằng điện áp đóng kín nguồn đến nguồn (Vp). Trong trường hợp JFET kênh p, nếu chúng ta tăng điện áp đầu cuối cổng từ không, dòng điện nguồn sẽ giảm và sau một điện áp cổng đến nguồn nhất định, dòng điện nguồn trở thành không. Điện áp này là điện áp ngắt cổng cho JFET kênh p. Đây là điện áp ngắt cổng cho JFET kênh p.

 


Dòng Điện Cổng Đóng


Khi đầu cuối cổng được nối đất (VGS = 0) và điện áp nguồn đến nguồn (VDS) được tăng dần trong JFET kênh n, dòng điện nguồn tăng tuyến tính. Sau điện áp đóng kín (Vp), dòng điện nguồn giữ nguyên, đạt giá trị tối đa. Dòng điện tối đa này, được gọi là Dòng Điện Cổng Đóng (IDSS), là cố định cho mỗi JFET.

 


Khả năng Truyền Dẫn


Khả năng truyền dẫn là tỷ lệ thay đổi dòng điện nguồn (δID) so với thay đổi điện áp cổng đến nguồn (δVGS) tại một điện áp nguồn đến nguồn cố định (VDS = Hằng số).

 


Giá trị này đạt cực đại tại V25155-7GS = 0.

 


3731c7ee9f535a1627b225b13c9c332d.jpeg

 


Điều này được ký hiệu bằng gmo. Giá trị cực đại (gmo) được chỉ định trong bảng dữ liệu JFET. Khả năng truyền dẫn tại bất kỳ giá trị nào khác của điện áp cổng đến nguồn (gm) có thể được xác định như sau. Biểu thức của dòng điện nguồn (ID) là

 


Bằng cách lấy đạo hàm riêng của biểu thức dòng điện nguồn (I25155-1D) theo điện áp cổng đến nguồn (VGS)

 


4fb3c1035e98295c9d1bb55da99d61cd.jpeg

 



 


Tại VGS = 0, khả năng truyền dẫn đạt giá trị cực đại và đó là

 


Do đó, chúng ta có thể viết,

 


5500458a45ecae441d5e55777249f2c7.jpeg

 


Kháng Xuất Đầu Động


Đây là tỷ lệ thay đổi điện áp nguồn đến nguồn (δVDS) so với thay đổi dòng điện nguồn (δID) tại một điện áp cổng đến nguồn cố định (VGS = Hằng số). Tỷ lệ này được ký hiệu là rd.

 


d2fb43ac57d6c74ae77d2858a39330ad.jpeg

 


Hệ Số Khuếch Đại

 


Hệ số khuếch đại được định nghĩa là tỷ lệ thay đổi điện áp nguồn (δVDS) so với thay đổi điện áp cổng (δVGS) tại một dòng điện nguồn cố định (ID = Hằng số).Có mối quan hệ giữa khả năng truyền dẫn (g25155-8m) và kháng xuất đầu động (rd) và có thể được thiết lập theo cách sau.

 


14201b5d7e162862e1c6af79ea0cc751.jpeg

Đóng góp và khuyến khích tác giả!

Bình luận

Chia sẻ câu hỏi hoặc quan điểm
WhatsApp
Yêu cầu
+86
Nhấp để tải lên tệp
Tải xuống
Lấy Ứng Dụng IEE Business
Sử dụng ứng dụng IEE-Business để tìm thiết bị lấy giải pháp kết nối với chuyên gia và tham gia hợp tác ngành nghề mọi lúc mọi nơi hỗ trợ toàn diện phát triển dự án điện và kinh doanh của bạn
Đăng nhập
hoặc tiếp tục với
Lần đầu sử dụng?
Đăng ký